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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810824927.5有效
发明人： 深沢正永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：基板，其具有第一导电层和比第一导电层设置为更深的第二导电层；大直径凹部，其在基板的主面侧具有尺寸与所述第一导电层和所述第二导电层重叠的开口，所述第一导电层在所述大直径凹部的底部的至少一部分中露出，其中所述大直径凹部的底部与所述第一导电层的上部共面；小直径凹部，其从所述大直径凹部延伸，所述第二导电层在所述小直径凹部的底部露出；导电部件，其设置于由所述大直径凹部和所述小直径凹部构成的连接孔中以将所述第一导电层和所述第二导电层连接；以及层间绝缘膜，其暴露于所述导电部件、所述大直径凹部的底部和所述小直径凹部的顶部。本发明可实现半导体装置的产率提高。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910146438.3有效
发明人： 深沢正永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。该方法可包括：在具有第一导电层和第二导电层的基板的主面侧形成大直径抗蚀剂图形；基于将大直径抗蚀剂图形用作掩模的蚀刻以在基板中形成大直径凹部，第一导电层在大直径凹部的底部露出；在基板的主面侧形成小直径抗蚀剂图形；并且基于将小直径抗蚀剂图形用作掩模的蚀刻以在基板中形成小直径凹部，其中，在形成所述大直径抗蚀剂图形前，将小直径抗蚀剂图形用作掩模而将所述基板蚀刻至不会露出所述第二导电层的深度；并且然后，通过将大直径抗蚀剂图形用作掩模以进行蚀刻以形成所述大直径凹部，以使得第一导电层在所述大直径凹部中露出，并且同时形成所述小直径凹部以使得所述第二导电层在所述小直径凹部中露出。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及蚀刻方法-CN202080093564.8在审
发明人：平田瑛子;深沢正永 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种蚀刻方法，该蚀刻方法能够改善在半导体装置中加工接触孔时由蚀刻引起的缺陷。该蚀刻方法包括：通过使用第一气体的等离子体将第一聚合膜接合至绝缘膜上，该绝缘膜设置在包含硅的半导体层上；使用第二气体的等离子体，在移除第一聚合膜的同时，通过氧化绝缘膜的上表面形成变质层；通过使用第三气体的等离子体将第二聚合膜接合至变质层上；以及通过使用第四气体的等离子体移除第二聚合膜和变质层。
半导体装置蚀刻方法

[发明专利]氧化物半导体膜的蚀刻方法-CN201980076777.7在审
发明人：平田瑛子;辰巳哲也;深沢正永;浜口智志;唐桥一浩 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在根据本发明的实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法中，通过使用第一稀有气体在所述氧化物半导体膜中形成改性层，并且通过使用与所述第一稀有气体不同的第二稀有气体对所述改性层进行溅射。
氧化物半导体蚀刻方法

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN202110188871.0在审
发明人：香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
半导体装置固体摄像器件

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN201480053552.7有效
发明人：香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
半导体装置固体摄像器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210375078.2有效
发明人： 深沢正永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：基板，其具有第一导电层和比第一导电层布置为更深的第二导电层；大直径凹部，其在基板的主面侧具有尺寸与第一导电层和第二导电层重叠的开口，使得第一导电层在大直径凹部的底部的部分露出；小直径凹部，其从大直径凹部延伸并挖掘至大直径凹部的底部而形成，使得第二导电层在小直径凹部的底部露出；以及导电部件，其设置于由大直径凹部和小直径凹部构成的连接孔中以将第一导电层和第二导电层连接。本发明可以防止比第二导电层设置为更浅的第一导电层受到过度蚀刻，于是确保了第一导电层的恰当导电性以及第一导电层和填充部件之间的恰当连接。因此，可实现半导体装置的产率提高。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]蚀刻方法及蚀刻处理设备-CN201880051825.2在审
发明人： 深沢正永 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种蚀刻方法，包括：至少将电力、压力和气体流量的值输入到设置单元；根据输入到设置单元的值，在腔室中进行蚀刻处理；以及通过使用蚀刻处理时的测量值来计算离子能量分布函数。
蚀刻方法处理设备

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN201910897516.3在审
发明人：香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：第一基板，其具有多个布线层；以及第二基板，其具有多个布线层，并且被接合至第一基板，其中，在第一基板和第二基板中的一个基板中设置有焊盘，在焊盘与以最靠近另一个基板的方式位于所述另一个基板侧上的布线层之间在各布线层中设置有由金属形成的金属布线，并且在与所述焊盘或所述金属布线相邻的位于所述另一个基板侧上的布线层中，在处于上一层中的所述焊盘或所述金属布线的至少拐角部分处设置有其它的金属布线，其中，所述其它的金属布线在所述拐角部分处与处于所述上一层中的所述焊盘或所述金属布线的边缘重叠。本技术能够被应用于固体摄像器件。
金属布线布线层焊盘基板第一基板固体摄像器件半导体装置第二基板拐角边缘重叠金属形成接合抗裂性应用

[发明专利]等离子体处理方法、处理装置及半导体装置的制造方法-CN201210229382.6无效
发明人：久保井信行;深沢正永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法、等离子体处理装置及半导体装置的制造方法。所述等离子体处理方法包括以下步骤：由含有碳和氮的混合气体产生等离子体以生成CN活性物质，并且，利用所述CN活性物质处理半导体基体的表面。本发明能够提供减少晶体缺陷和金属污染的半导体基体处理方法。
等离子体处理方法装置半导体制造

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