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[实用新型]防倒灌电路、双向电平转换器及集成电路-CN201921889500.X有效
发明人：韩文涛;宋阳;刘建新;赵鹏 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种晶体管防倒灌电路，与信号端子连接，包括：驱动晶体管，栅极接驱动信号，高电位端接电源，低电位端与所述信号端子连接；防倒灌模块，与所述上拉电源、所述信号端子和所述驱动晶体管的衬底电连接，被配置为当所述电源上电时，使所述电源电压加载在所述驱动晶体管的衬底，当上拉电源掉电时，使所述信号端子的电压加载在所述驱动晶体管的衬底。可以调节晶体管管的衬底电压，使其跟随信号端子电平的变化，从而晶体管的低电位电压不会高于衬底电压，有效地防止了因电流倒灌而使管子烧坏。
倒灌电路双向电平转换器集成电路

[实用新型]双工通信电路及装置-CN201921927555.5有效
发明人：田永刚;韩文涛;阎燕山;杨楠;宋阳;赵鹏 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H03M9/00 文献下载
摘要：一种双工通信电路及装置，通过加入第一驱动器、第二驱动器、第一接收器、第二接收器以及差分线缆，实现了通过一根差分线缆同时双向传输串行数据信号和控制信号，解决了传统技术方案中存在无法利用一条电缆线同时进行信号的双向传输的问题。
双工通信电路装置

[发明专利]一种用于GGNMOS的电路级建模方法及模型电路-CN201710011350.1有效
发明人：贾柱良;何凯;杨君 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于GGNMOS的电路级建模方法及模型电路，所述模型电路包括三极管、第一电阻、第二电阻和二极管，所述第一电阻的一端与电源地连接、另一端连接二极管的正极，所述二极管的负极连接电源，所述三极管的基极与二极管和第一电阻之间的连接节点连接，所述三极管的发射极接电源地、集电极通过第二电阻与电源连接。一种用于GGNMOS的电路级建模方法，对GGNMOS进行建模，运用该模型电路可以在短时间内仿真得到GGNMOS对ESD冲击的箝位能力，结构简单，易于实现，与现有的采用提取参数的方式进行物理建模相比，效率更高，设计成本低。
一种用于 ggnmos 电路建模方法模型

[发明专利]一种查找表、查找表电路及可编程器件-CN201511002422.3有效
发明人：包朝伟;张勇;汤阿龙 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H03K19/177 文献下载
摘要：本发明提供了一种查找表、查找表电路及可编程器件，该查找表包括a个基本查找表单元以及1个配置单元，基本查找表单元为m输入m输出，a个基本查找表单元并联，且a个基本查找表单元的输出端分别连接配置单元的n个输入端中的一个，配置单元设置有n个输出端，查找表根据控制信号实现b输入c输出。通过本发明的实施，使用至少2个基本查找表单元，满足了高输入高输出的设计需求，本发明在晶体管级上实现，与现有将多个单输出的查找表搭建生成多输入多输出查找表的方式相比，面积更小，速度更快，并提升了性能，同时，通过控制信号可以实现任意b输入c输出，方案简洁、易操作、功能灵活性大大提高，输入输出位宽可以灵活选择，通用性强。
一种查找电路可编程器件

[发明专利]存储器-CN201911345781.7在审
发明人：邓玉良;唐越;殷中云;方晓伟;杨彬;苏通;李昂阳;朱晓锐 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，提供一种存储器，包括封闭腔体、设于封闭腔体内的若干存储芯片以及设于封闭腔体内且用于向存储芯片提供退火热源的若干加热件。本发明的存储器将存储芯片与加热件封装在一个封闭腔体内，确保退火时的隔温要求，同时，加热件则为存储芯片提供热源以满足其退火需求。这样，在极端环境下，或者，不适宜将存储芯片拆卸进行退火的条件下，本申请的存储器能够实现自主地退火，避免对存储器进行拆卸来实现退火维护。
存储器

[发明专利]一种命令读写方法、装置及计算机存储介质-CN201911205765.8在审
发明人：何凯;王旭亮;孙长江;李开亮 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：根据本发明实施例提供的命令读写方法、装置，接收总线读/写命令；将接收到的属于同一突发脉冲DDR Burst访问的总线写命令写入同一写缓存区；将与所述总线读命令属于同一DDR Burst访问的读缓存区的数据直接返回；然后再读取读缓存区或写缓存区执行DDR Burst读或写操作。通过本发明的方法只需增加一定的缓存区并划片，通过控制逻辑对总线接口的读/写命令进行合并处理，DDR SRAM端口执行合并后的总线读写命令，来达到效率提高的目的。对于多笔小数据量访问，可合并发送一个总线读/写命令即可，效率提高显著。
一种命令读写方法装置计算机存储介质

[发明专利]防倒灌电路、双向电平转换器及集成电路-CN201911066446.3在审
发明人：韩文涛;宋阳;刘建新;赵鹏 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种晶体管防倒灌电路，与信号端子连接，包括：驱动晶体管，栅极接驱动信号，高电位端接电源，低电位端与所述信号端子连接；防倒灌模块，与所述上拉电源、所述信号端子和所述驱动晶体管的衬底电连接，被配置为当所述电源上电时，使所述电源电压加载在所述驱动晶体管的衬底，当上拉电源掉电时，使所述信号端子的电压加载在所述驱动晶体管的衬底。可以调节晶体管管的衬底电压，使其跟随信号端子电平的变化，从而晶体管的低电位电压不会高于衬底电压，有效地防止了因电流倒灌而使管子烧坏。
倒灌电路双向电平转换器集成电路

[发明专利]双工通信电路及装置-CN201911088814.4在审
发明人：田永刚;韩文涛;阎燕山;杨楠;宋阳;赵鹏 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H03M9/00 文献下载
摘要：一种双工通信电路及装置，通过加入第一驱动器、第二驱动器、第一接收器、第二接收器以及差分线缆，实现了通过一根差分线缆同时双向传输串行数据信号和控制信号，解决了传统技术方案中存在无法利用一条电缆线同时进行信号的双向传输的问题。
双工通信电路装置

[发明专利]FPGA互连线测试方法及装置-CN201611207324.8有效
发明人：何东东;蔡广全;温长清;包朝伟 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G01R31/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种FPGA互连线测试方法及装置，获取FPGA器件之待测开关矩阵外部横向的待测互连线以及纵向的待测互连线，然后对获取的横向的待测互连线和纵向的待测互联线分别在横向和纵向进行建模以生成互连线测试图形，然后将得到的互连线测试图形转换为测试位流文件输入待测开关矩阵进行测试。可见本发明将互连线在横向与纵向进行断开各自单独成为连线型，在生成互连线测试图形是只需要对互连线在横向和纵向两个方向上进行二分，纵横分解模型在应用处理上既要比图层分解更容易简单，且针对各种类型的互连线也都仅需要进行二分，因此既能简化测试操作，又能在很大程度上提升测试效率。
fpga 互连测试方法装置

[发明专利]可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置-CN201510875108.X有效
发明人：包朝伟;黄波;汤阿龙;张勇 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G06F21/12 文献下载
摘要：本发明公开的可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置，可编程器件的配置方法包括：导入编程数据流，读取所述编程数据流携带的标识信息，并从可编程器件内嵌或外接的存储单元中读取可编程器件的标识信息；将所述编程数据流携带的标识信息与所述可编程器件的标识信息进行比较；若两者相匹配，则根据所述编程数据流配置所述可编程器件。本发明解决现有技术中无法实现编程数据流和可编程器件的对应问题。
可编程器件标识信息编程数据流配置方法装置

[发明专利]可编程逻辑器件重构方法及装置-CN201410835994.9有效
发明人：包朝伟;刘真麒;唐万韬;王佩宁 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G06F8/72 文献下载
摘要：本发明了一种可编程逻辑器件重构方法及装置，该方法包括：确定可编程逻辑器件的待重构资源区；将待重构资源区划分为至少一个基本单元，基本单元包括至少一个可重构器件；分别对各基本单元进行重构。通过本发明的实施，根据需要确定可编程逻辑器件中的待重构资源区，并且其划分为基本单元，分别对各基本单元进行重构，实现了以基本单元为最小重构单元的重构技术，与现有以基本器件为最小重构单元的重构技术相比，最小重构范围增大，重构时所需要的控制信号及数据流数量都将减少，降低了可编程逻辑器件的器件繁杂度及重构成本。
重构基本单元可编程逻辑器件重构单元资源区可重构器件范围增大控制信号数据流

[发明专利]一种抗辐照电路的加固方法-CN201510829520.8有效
发明人：刘拴;谢文刚;耿超;陈益东;安奇 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，本发明提供一种抗辐照电路的加固方法，包括以下步骤：获取顶层时钟线，创建与顶层时钟线相连的多条底层时钟线，并生成待加固寄存器集合；提取1个待加固寄存器，并将待加固寄存器进行复制获取多个寄存器；调用标准单元库中的表决器，将每一寄存器的数据输出端连接到表决器的数据输入端，并将待加固寄存器的数据输出端连接到表决器的数据输出端；删除待加固寄存器，依次加固待加固寄存器集合中的其他待加固寄存器，该加固方法使抗辐照电路加固设计更加省时，风险更小。
寄存器数据输出端辐照表决器时钟线寄存器集合顶层电路集成电路技术标准单元库数据输入端电路加固调用省时删除复制创建

[发明专利]低触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法-CN201610321776.2有效
发明人：杜明;裴国旭;董巧;邓颖慧;汤波;李晓辉 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种低触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层上由外向内依次形成第二、第三、第四、第五阱；在第一、第三、第五阱中分别形成的第一、第三、第八有源区，在第三阱和第四阱的交界处、在第四阱和第五阱的交界处分别形成的第五、第六有源区；在第三阱中形成的第二、第四有源区，在第五阱中形成的第七有源区。本发明提供的器件能够有效降低SCR结构的触发电压并保证端口正常工作在正负压下，也能满足ESD防护设计要求。
触发正负 scr esd 防护器件及其工艺方法

[发明专利]多触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法-CN201610321749.5有效
发明人：杜明;陈瑞军;刘玲;汤波;李晓辉 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种多触发耐正负压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层中形成的第二、第三阱；分别在第一、第二、第三阱中形成的第一类型有源区，以及在第二阱和外延层的交界处形成的第一类型有源区；在第二阱中形成的两个第二类型有源区，在第三阱中形成的第二类型有源区，在第三阱和外延层的交界处形成的第二类型有源区。本发明提供的器件能够有效降低SCR结构的触发电压并保证端口正常工作在正负压下，也能满足ESD防护设计要求。
触发正负 scr esd 防护器件及其工艺方法

[实用新型]一种电源模组-CN201820723397.0有效
发明人：王文君;谢文刚;陈小平;顾勇;陈佳 -专利权人： 深圳市国微电子有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及电源封装技术领域，提供了一种电源模组，包括封装机构和设置于封装机构内部的控制芯片和分立器件，封装机构包括基板、分别设置于基板侧边的管壳墙体和设置于管壳墙体顶端的密封盖板，基板、管壳墙体和密封盖板形成一个用于设置控制芯片和分立器件的密封空间，电感器设置于密封盖板的上方并与管壳墙体的顶端连接，控制芯片和分立器件设置于基板上；本实用新型提供的电源模组通过将电源模组的组件中高度最高的电感器设置在高度小于电感器的控制芯片和分立器件上方，从而使得电源模组尺寸变小；另外，电感器设置于密封空间外，避免电感器发出过高的热量损坏控制芯片和分立器件等重要器件，又可以提高散热效率。
电源模组分立器件控制芯片电感器管壳封装机构密封盖板基板墙体本实用新型密封空间电源封装顶端连接基板侧边墙体顶端散热效率重要器件变小