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[发明专利]半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法-CN202310052575.7在审
发明人： 海老原洪平;增冈史仁;附田正则;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供绝缘可靠性高的半导体装置。还涉及电力变换装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：场绝缘膜(3)，其形成于第1导电型的外延层(32)之上；表面电极(4)，其搭至场绝缘膜(3)的内周端部处；以及外周电极(5)，其搭至场绝缘膜(3)的外周端部处。在外延层(32)的表层部形成有与表面电极(4)连接且与表面电极(4)的外周端部相比延伸至外侧的第2导电型的末端阱区域(2)。半绝缘膜(7)形成为与表面电极(4)及外周电极(5)分离，将场绝缘膜(3)的一部分覆盖。半绝缘膜(7)在与末端阱区域(2)的外周端相比更靠内侧的区域及外侧的区域的每一者，通过形成于场绝缘膜(3)的开口部与外延层(32)连接。
半导体装置电力变换制造方法

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN202080106392.3在审
发明人： 海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：涉及半导体装置，半导体基板被分割成设置有活性区域的内侧区域和包围内侧区域的外侧区域，半导体装置具备：第1导电类型的半导体层；第2导电类型的终端阱区域，以包围内侧区域的方式选择性地设置于半导体层的上层部；杂质区域，选择性地设置于终端阱区域的上层部；表面电极；背面电极；绝缘膜，以部分性地覆盖终端阱区域的上部的方式设置；外周布线层，至少一部分设置于绝缘膜的上部，包围内侧区域；以及层间绝缘膜，至少覆盖绝缘膜以及外周布线层，表面电极设置在从内侧区域到层间绝缘膜的上部，经由贯通层间绝缘膜而到达杂质区域的第1接触孔与杂质区域连接，外周布线层被设置成从层间绝缘膜的上部的表面电极的端部的下方位于更外侧。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置-CN201680084166.3有效
发明人：日野史郎;贞松康史;八田英之;永久雄一;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本申请说明书公开的技术涉及有效地抑制堆垛层错的产生所引起的正向电压的偏移的技术。与本技术相关的半导体装置具备：第2导电类型的第1阱区域(31)；第2导电类型的第2阱区域(32)，在俯视时夹着多个第1阱区域整体而设置，面积比各个第1阱区域大；第2导电类型的第3阱区域(33)，在俯视时夹着第2阱区域而设置，面积比第2阱区域大；以及第1导电类型的分断区域(25)，设置于第2阱区域与第3阱区域之间且上表面与绝缘体接触。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN202180038495.5在审
发明人： 海老原洪平;日野史郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：缓和对半导体装置的表面电极的恶劣影响。半导体装置具备：第1阱区域，形成于漂移层的上表面的表层；栅极电极；第2阱区域，在俯视时包围第1阱区域；以及栅极部，覆盖层间绝缘膜和从层间绝缘膜露出的栅极电极。而且，栅极电极的外侧端部比栅极部的外侧端部更远离第1阱区域、并且比第2阱区域的外侧端部更接近第1阱区域。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置和电力变换装置-CN201880027397.X有效
发明人： 海老原洪平;宫川成人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种抑制氧化物的析出来防止树脂层的剥离且可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置(100)具备：第二导电类型的末端阱区域(2)，形成于半导体层(1b)的表层；场绝缘膜(3)，被设置成延伸到比末端阱区域(2)的外周端更外周侧；树脂层，被设置成至少一部分在比场绝缘膜(3)的外周端靠外周侧的半导体层(1b)的表面上延伸；第二导电类型的浮动阱区域(7)，在半导体层(1b)的表层，形成为与末端阱区域(2)分离，与场绝缘膜(3)的外周端相接且延伸到比场绝缘膜(3)的外周端更外周侧，具有浮置电位。
半导体装置电力变换

[发明专利]半导体装置-CN201780023631.7有效
发明人： 海老原洪平;古桥壮之;田中贵规 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备：n型的漂移层(1)，形成于具有偏角的半导体基板(4)上；多个p型柱区域(2)，形成于漂移层(1)内；以及表面电极(5)，形成于包括p型柱区域(2)的漂移层(1)之上。在包括p型柱区域(2)的漂移层(1)的表层部，以包围有源区域的方式，形成有多个作为p型的半导体区域的耐压保持构造(3)。多个p型柱区域(2)分别为向半导体基板(4)的偏角的方向延伸的线状。多个耐压保持构造(3)在俯视时分别为包括与p型柱区域(2)平行地延伸的边和与p型柱区域(2)正交的边的框状。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法-CN201980098323.X在审
发明人：伊藤正尚;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：半导体装置具备：半导体层，包括交替配置n型柱体层(13)及p型柱体层(14)而成的超级结层(15)；以及p型的耐压保持构造(56)，以包围活性区域(1)的方式形成于该半导体层的上层部。至少1个耐压保持构造(56)在俯视时与超级结层(15)重叠。在俯视时与超级结层(15)重叠的耐压保持构造(56)的至少1个具有该耐压保持构造(56)的中断的部分即间隙(57)。
半导体装置电力变换以及制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780043495.8有效
发明人：小山皓洋;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体层(2)由碳化硅形成，具有元件区域(RE)和元件区域(RE)的外侧的终端区域(RT)，具有n型。多个场限环区域(5)设置于半导体层(2)的终端区域(RT)，具有p型，相互分离地配置。场绝缘膜(7)设置于半导体层(2)的终端区域(RT)上，与场限环区域(5)以及半导体层(2)相接。场限环区域(5)各自包括与场绝缘膜(7)相接且含有卤素族原子的含卤素场限环部(5h)。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201780050421.7有效
发明人：中尾之泰;海老原洪平;日野史郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够抑制栅极绝缘膜的破坏的技术。半导体装置具备：多个半导体开关元件，是MOSFET，且内置肖特基势垒二极管；第1欧姆电极，配设于阱区域中的与规定区域相反的一侧的第1区域上方，与该第1区域电连接；第1肖特基电极，配设于在阱区域的第1区域中露出的半导体层上；以及布线，与第1欧姆电极及第1肖特基电极电连接，并且与源电极电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201980094863.0在审
发明人： 海老原洪平;富永贵亮 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：SBD(100)具备：末端阱区域(2)，以包围活性区域(RI)的方式形成于漂移层(1)的表层部；场绝缘膜(3)，形成为覆盖末端阱区域(2)的一部分；表面电极(5)，形成于比场绝缘膜(3)靠内侧的漂移层(1)上，并与末端阱区域(2)电连接；表面保护膜(6)，覆盖表面电极(5)的外侧的端部；以及背面电极(8)，形成于单晶基板(31)的背面。以末端阱区域(2)的外侧的端部的位置为基准，末端区域(RO)的拐角部处的表面电极(5)的外侧的端部相比于末端区域(RO)的直线部处的表面电极(5)的外侧的端部而位于内侧。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置-CN201780048633.1有效
发明人：古桥壮之;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，具备半导体基板和配设于其上的半导体层，半导体层具有以从与半导体基板相反侧的主面朝向半导体基板延伸至预先决定的深度的方式设置的第一导电类型的第一柱层和第二导电类型的第二柱层，第一柱层和第二柱层在半导体层的活性区域和作为活性区域的周围的区域的终端区域中在与主面平行的方向上交替地设置，与用活性区域中的1组第一柱层和第二柱层的合计宽度规定的柱间距相比，用终端区域中的1组第一柱层和第二柱层的合计宽度规定的柱间距被设定得大，在活性区域和终端区域中都是柱间距内的第一柱层的宽度和第一柱层的第一导电类型的有效的杂质浓度之积等于第二柱层的宽度和第二柱层的第二导电类型的有效的杂质浓度之积。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780041744.X有效
发明人：滨田宪治;小西和也;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够提高闩锁破坏耐量的技术。半导体装置具备发射极区域、基极接触区域、埋入区域以及载流子捕获区域。发射极区域和基极接触区域在彼此邻接的状态下在基极区域的上表面内选择性地配设。埋入区域配设于基极接触区域或发射极区域的下方的漂移区域内。载流子捕获区域配设于埋入区域与基极区域之间，载流子寿命比漂移区域低。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201980090055.7在审
发明人： 海老原洪平;日野史郎;宫崎光介;高木保志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：涉及在半导体基板的厚度方向上流过主电流的半导体装置，半导体基板具有：第1导电类型的半导体层；以及第2导电类型的阱区域，设置于半导体层的上层部，半导体装置具备：表面电极，设置于与第1主面相反的一侧的第2主面上；背面电极，设置于第1主面上；以及上表面膜，覆盖表面电极的端缘部以及半导体基板的外侧区域的至少一部分，阱区域具有向比表面电极的端面更靠外侧的外侧区域延伸的部分和向比表面电极的所述端面更靠内侧的内侧区域延伸的部分，表面电极覆盖内侧区域的至少一部分并且与阱区域电连接，上表面膜具有至少1个外周开口部，该至少1个外周开口部离开外侧区域的表面电极，沿着表面电极的外周设置。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201780034536.7有效
发明人：滨田宪治;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在超级结构造中不仅在单元区域、在终端区域中也能够良好地确保耐压的半导体装置。基于本发明的半导体装置是具有单元区域(CL)和终端区域(ET)的半导体装置(1)，具备：第一导电类型的漂移区域(3)和第二导电类型的柱形区域(4)，在SiC基板(2)上沿厚度方向延伸，且在与厚度方向垂直的方向上从单元区域(CL)至端区域(ET)交替地形成；降低表面电场层(10)，在终端区域(ET)中，跨多个柱形区域(4)地形成，从漂移区域(3)和柱形区域(4)的表面向厚度方向形成；以及第二导电类型的高浓度区域(11)，形成于降低表面电场层(10)的表面内，杂质浓度比降低表面电场层(10)高，其中，在高浓度区域(11)的厚度方向的下方未形成柱形区域(4)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201880096162.6在审
发明人： 海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体基板(30)具有第1面(S1)和具有内侧区域(RI)和外侧区域(RO)的第2面(S2)。半导体基板(30)具备具有第1导电类型的漂移层(1)和具有第2导电类型的终端阱区域(2)。终端阱区域(2)具有从内侧区域(RI)与外侧区域(RO)之间向外侧区域(RO)延伸的部分。第1电极(8)设置于第1面(S1)上。第2电极(5)设置于内侧区域(RI)的至少一部分之上，向终端阱区域(2)电连接，具有位于内侧区域(RI)和外侧区域(RO)的边界上的缘。周边构造(7、7M)离开第2电极(5、50)而设置于外侧区域(RO)的一部分之上。表面保护膜(6)覆盖第2电极(5)的缘，至少部分性地覆盖外侧区域(RO)，通过周边构造(7)被陷入。
半导体装置以及电力变换

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