专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410588908.9有效
  • 毛刚 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-10-28 - 2018-11-16 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底形成有突起的鳍部;形成覆盖鳍部的侧壁和顶部表面的牺牲层,所述牺牲层包括位于鳍部的侧壁和顶部表面上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层表面的无定形硅层、位于无定形硅层表面的第二氧化硅层;对所述鳍部进行离子注入,在所述鳍部中注入杂质离子,形成阱区;去除所述牺牲层。本发明的方法,在防止鳍部离子注入损伤的同时,防止去除牺牲层时对鳍部的刻蚀损伤。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]一种FinFET器件及其制造方法、电子装置-CN201410172010.3有效
  • 赵海;毛刚 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-04-25 - 2018-07-20 - H01L21/336
  • 本发明提供一种FinFET器件及其制造方法、电子装置,所述方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有多个鳍片,在鳍片的顶部形成有硬掩膜层;沉积第一隔离材料层,以部分填充鳍片之间的间隙,并覆盖所述硬掩膜层的顶部;沉积蚀刻停止层,以部分填充鳍片之间的间隙,并覆盖第一隔离材料层;沉积第二隔离材料层,以完全填充鳍片之间的间隙;执行化学机械研磨,直至露出所述硬掩膜层的顶部;去除所述硬掩膜层;蚀刻去除剩余的第二隔离材料层;去除位于鳍片之间的间隙内的蚀刻停止层,以露出鳍片的部分。根据本发明,可以形成高度均一且侧壁轮廓竖直的多个鳍片。
  • 一种finfet器件及其制造方法电子装置

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