“武良文”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果85个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种LED芯片光电性与外观一体化检测设备-CN201910924883.8有效
发明人：王晓明;崔思远;文国昇;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片光电性与外观一体化检测设备，包括晶圆机器手臂，AOI检测视觉系统、AOI检测平台、料匣、机台、测针平台、测针移动平台；其中：料匣固定在机台的上下料放置区上，机台上安装有晶圆机器手臂、AOI检测视觉系统、AOI检测平台、测针平台、测针移动平台。本发明的优点在于：能利用晶圆机器手臂将AOI外观检测平台与光电性测试平台衔接起来，实现了两个平台之间的自动传送目的；另外点测平台增加CCD相机和激光测距仪实现精准的对位成像，再通过自动调针装置对XYZ轴进行伺服控制补偿，达到了自动调针的目的，减少了中间环节，提高了作业效率，节省了人力成本，同时减少了生产过程中的人员导致的异常情况。
一种 led 芯片光电外观一体化检测设备

[发明专利]一种用于转移微型发光二极管的转移装置及转移方法-CN201810703221.3有效
发明人： 武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-06-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开一种用于转移微型发光二极管的转移装置及转移方法。本发明包括计算机系统、电磁装置控制部件、转移部件、转移头、移动控制部件、X、Y和Z方向移动轴、第一载台和第二载台；其中：计算机系统与移动控制部件连接，所述移动控制部件同时与X、Y方向移动轴、Z方向移动轴连接，所述移动控制部件通过X、Y方向移动轴、Z方向移动轴来控制转移部件运动。本发明的优点：利用磁致形状记忆合金制备抓取部件，并通过电磁装置控制抓取部件的形状以实现对微型发光二极管的抓取和释放，微型发光二极管与抓取部件之间通过形变力相连接，增加微型发光二极管与抓取部件之间的作用力，降低了转移难度，并增加了微型发光二极管的转移效率。
一种用于转移微型发光二极管装置方法

[发明专利]一种晶圆自动贴合固定装置-CN201910923873.2有效
发明人：吴琼琼;崔思远;文国昇;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆自动贴合固定装置，包括绷膜贴片组件、滚压组件、水平转移组件、第一机械手臂、第一工作台、第二机械手臂、料盒、料盒架、卡塞上下料组件；其中：水平转移组件由第二电机、载台构成，第二电机的转轴与载台连接，载台上连接有4个第一工作台。本发明的优点在于：利用机械手臂取、放料，OCR镜头检测片源刻号和相对位置，利用机械手臂调整位置放置在贴片载台上，从而使片源能够准确的完成贴片工序，再利用机械手臂取料放回卡塞中，从而完成贴片工序的自动化，提高了生产效率，降低了生产成本。
一种自动贴合固定装置

[发明专利]一种发光二极管晶圆膜环分离自动化生产设备-CN201910923835.7有效
发明人：赵晓明;崔思远;文国昇;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管晶圆膜环分离自动化生产设备，包括上料机构、残膜铁环分离机构、内环分离区、残膜收集区、外环收集区、打包贴标区、机台一、机台二，其中：机台一一侧设有机台二，机台一上安装有残膜铁环分离机构、内环分离区、残膜收集区、外环收集区、打包贴标区，机台二上安装有上料机构，上料机构由Z轴电机模组、Y轴电机模组、入料支撑杆、入料底板、料盒运载装置组成，料盒放置在料盒运载装置上，料盒运载装置安装在入料滑道上，使其在规定的位置运动。本发明的优点在于：利用气缸将铁环与残膜分离,内环与残膜分离并收集,残膜与外环分离并收集，实现了膜环分离的自动化生产，有效降低生产成本，提高膜环分离作业效率。
一种发光二极管晶圆膜环分离自动化生产设备

[发明专利]一种多色化微型LED阵列及其制作方法-CN201810732702.7有效
发明人： 武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G09F9/302 文献下载
摘要：本发明公开一种多色化微型LED阵列及其制作方法，包括目标基板和微型LED转移单元，其中：所述复数个的微型LED转移单元以固定的规则排列于所述目标基板上，所述微型LED转移单元由两种或两种以上不同发光波长的发光元件构成，通过多个发光元件的组合，实现多色发光的功能，所述发光元件包括外延层、导电电极层和焊接层，所述外延层之间通过焊接层相互连接。本发明的优点：通过外延片焊接的方式将多种波长的外延层整合在同一晶圆片上，后续经芯片制程可实现不同波长的发光LED在同一晶圆片上,并可将不同波长的发光LED整合成一个转移单元,后续微型LED芯片转移可一次转移一个转移单元，提高微型LED阵列转移效率。
一种多色微型 led 阵列及其制作方法

[发明专利]一种紫外发光二极管外延结构层的制备方法-CN201810765799.1有效
发明人： 武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种紫外发光二极管外延结构层的制备方法。本发明包括通过溅射镀膜的方式实现在蓝宝石基板上依次生长出的AlN缓冲层、非掺杂AlN薄膜层、n型掺杂AlN层以及通过MOCVD方式生长的有源层，和通过溅射镀膜的方式生长的p型掺杂AlN层。本发明的优点：通过物理溅射的方式生长MOCVD不易生长的高质量AlN材料并实现了n型Si掺杂和p型Mg掺杂，在此基础上，MOCVD生长更高Al含量的AlGaN有源层更易实现，让紫外发光二极管可以发出更短波长的紫外光，这些不仅简化了紫外发光二极管的外延结构设计，降低了紫外发光二极管的制备难度，还因为不用制作会吸收紫外光的p型掺杂GaN欧姆接触外延层而提高了紫外发光二极管的整体出光效率。
一种紫外发光二极管外延结构制备方法

[实用新型]一种发光二极管晶圆片自动智能存取设备-CN201921898253.X有效
发明人：王晓明;崔思远;文国昇;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管晶圆片自动智能存取设备，包括上料区料盒、取放料机构、机械手臂、轨道、出料区、安全护罩、晶圆片、存储区旋转机构、条码枪、检修人员进出口；其中：上料区料盒摆放在上料区固定桌上，上料区固定桌固定模块将上料区料盒固定，上料区固定桌的数量为两个，分别放置在轨道的两边。本实用新型的优点在于：提高了发光二极管晶圆片的分类存储以及提取效率，减少了发光二极管晶圆片的分类储存以及提取的时间，通过上料区的智能识别系统，可以快速判断发光二极管晶圆片的类型，再通过智能运载小车运送到指定位置进行存储，全程的自动化管理，有效地减少了人力成本，并且极大地减少了人工操作时所可能出现的异常情况。
一种发光二极管晶圆片自动智能存取设备

[实用新型]一种晶圆切割自动化设备-CN201921975016.9有效
发明人：吴琼琼;崔思远;文国昇;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆切割自动化设备，包括划片机、地轨、有轨制导小车、防护网、中控、料架、裂片机；其中：若干数量的划片机和裂片机呈线状放置，划片机上设置有划片机作业门，划片机作业门内部安装有划片机卡塞摆放平台，裂片机上设置有裂片机作业门，裂片机作业门内部安装有裂片机卡塞摆放平台，每台划片机作业门与裂片机作业门对向放置。本实用新型的优点在于：可实现晶圆的自动运输加工，利用自动运输小车进行水平方向移动，自动运输小车上机械手臂控制抓取片源放置划片机和裂片机中作业，有效的降低了人力成本，具有生产效率高，人力成本低的特点。
一种切割自动化设备

[实用新型]一种LED芯片自动化测试系统-CN201921898239.X有效
发明人：王晓明;崔思远;文国昇;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片自动化测试系统，中控料塔、RFID读取器、点测机、轨道、有轨运载小车、中控显示屏、料塔、中控电脑、电控箱、控制芯片；其中：中控料塔后端连接有轨道，有轨运载小车安装在轨道上，若干数量的点测机紧靠轨道两侧放置，所述中控料塔由RFID读取器、中控显示屏、料塔、中控电脑、电控箱组成。本实用新型的优点在于：采用智能型上下料系统，通过中控料塔及有轨小车统一发放物料，解决了在产线中集中发放和回收产品的难题；同时具备针痕实时监控、晶圆图实时监控、良率统计、稼动率统计、探针寿命统计、产品追溯、远程控制等功能，可以有效地保证在长时间的测试过程中无需人工干预，可有效的节省人工成本，提高生产效率。
一种 led 芯片自动化测试系统

[实用新型]一种发光二极管晶粒分选自动化生产自动线设备-CN201921627103.5有效
发明人：崔思远;文国昇;赵晓明;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管晶粒分选自动化生产自动线设备，包括存储设备、中央控制台、运输设备、轨道、全自动晶粒分选机，其中：存储设备摆放于轨道一端，显示器一、电脑主机通过螺丝安装于中央控制台，轨道左右两侧均设有中央控制台，相机、夹爪、电机一通过螺丝固定组成夹爪模组，夹爪模组通过固定座二固定于六轴机器人。本实用新型的优点在于：利用有轨小车搭配自动机械手将生产原材料从料塔搬运到目的分选机，再将生产完成的制品取出送回料塔，以实现分选自动化上下料，减少人力需求，降低生产成本，提高生产效率；实现缺料提前预警，生产人员只需整批往存储设备上下料即可，减少生产人员上下料的次数及移动距离，极大提高作业效率。
一种发光二极管晶粒分选自动化生产自动线设备

[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法-CN201811028387.6在审
发明人： 武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法，其中，所述复合势垒层包括第一势垒层和第二势垒层，第一势垒层厚度较薄，此厚度较薄的第一势垒层无法使沟道层在界面形成高浓度二维电子气，使HEMT器件在零栅压时源、漏之间无法导通；第二势垒层为二次选区外延生长厚度较厚的势垒层，厚度较厚的第二势垒层可使下方的沟道层在界面形成高浓度二维电子气，且第二势垒层在栅极区域断开，使沟道层界面的高浓度二维电子气在栅极区域断开，实现增强型的GaN基HEMT器件的外延结构；同时，本发明中所述第二势垒层使用选区二次外延的方法生长，避免了凹槽栅和p型栅结构中刻蚀以及F离子注入造成的晶格损伤，而导致器件可靠性差等问题。
一种增强 gan hemt 器件外延结构及其制备方法

[发明专利]一种Si衬底上GaN基功率半导体器件的外延层结构及其制备方法-CN201810991198.2在审
发明人： 武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底上GaN基功率半导体器件的外延层结构及其制备方法，包括Si衬底、图形化结构AlN缓冲层和GaN基功率器件结构；其中：Si衬底上制备有图形化结构，所述AlN缓冲层在有图形化结构的Si衬底上制备，所述图形化结构为圆柱形、圆锥形、穹顶形、多边棱柱形、多边棱锥形或长条形。本发明的优点在于：通过在Si衬底上制备图形化结构，并通过磁控溅射在有图形化结构的Si衬底上沉积AlN缓冲层，然后在上述缓冲层上生长GaN基功率器件结构，Si衬底上的图形化结构，对于GaN基功率器件结构的外延层应力释放有较好的效果，可以降低外延层中的位错密度，提高晶体质量；在图形化结构的Si衬底上沉积AlN缓冲层，避免了Ga原子的回熔问题，利于后续的外延生长。
一种 si 衬底 gan 功率半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]一种含氧复合缓冲层结构及提高氮化镓系外延层晶体质量的方法-CN201810780248.2在审
发明人： 武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种含氧复合缓冲层结构及提高氮化镓系外延层晶体质量的方法。本发明包括衬底加热处理、衬底表面离化处理、高含氧氮化铝层溅射、低含氧氮化铝层溅射和外延层生长五个阶段。本发明通过调变在蓝宝石基板上利用磁控反应溅射沉积氮化铝薄膜时,通入氧气溅镀多层不同含氧量的氮化铝薄膜层,最终获得匹配外延层生长的高晶体质量氮化铝复合薄膜过渡层。本发明的优点：通过在蓝宝石基板上构建一种含氧组份不同的氮化铝复数层薄膜结构材料作为缓冲层成长氮化镓系外延层，能明显提高氮化镓系外延层晶体质量。
含氧氮化镓系外延层蓝宝石基板外延层晶体氮化铝层氮化铝溅射磁控反应溅射氮化铝薄膜层氮化铝薄膜复合缓冲层薄膜结构衬底表面衬底加热复合薄膜含氧量复数层高晶体过渡层缓冲层生长调变多层构建溅镀离化组份沉积匹配氧气

[发明专利]一种提高光提取效率的紫外发光二极管芯片及其制作方法-CN201810765845.8在审
发明人： 武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提出了一种提高光提取效率的紫外发光二极管芯片及其制作方法，其中紫外发光二极管芯片包括n型半导体层、锥形坑准备层、有源层、p型半导体层、p型电极、反射层、键合层、n型电极、基板；其中：锥形坑准备层位于n型半导体层之上，有源层位于锥形坑准备层之上，p型半导体层位于有源层之上，n型半导体层上形成有n型电极层。本发明的优点在于：通过在有源层中形成六方多面结构的锥形坑，改变有源层中TM模偏振光的出光方向，使TM模偏振光不需在接近有源层附近进行长路径传播；同时调节有源层中锥形坑的开口大小和密度使有源层连接锥形坑的平台区的投影面积控制在有源区总投影面的30%以内，提高紫外发光二极管的光提取效率。
源层锥形坑偏振光紫外发光二极管芯片光提取效率紫外发光二极管投影面积控制多面结构长路径反射层键合层平台区基板源区投影开口传播制作

[发明专利]一种LED芯片自动化扩张设备-CN201910924884.2在审
发明人：王晓明;崔思远;文国昇;钟胜时;武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片自动化扩张设备，包括母环上料料盒部件、扩膜手臂部件、扩膜部件、固定座一、固定座二、工装移载部件、子环铁环上料部件、铁环上料部件；其中：机台上安装有固定座一，所述固定座一上安装有铁环上料料盒部件、母环上料料盒部件、扩膜手臂部件、扩膜部件、工装移载部件、子环铁环上料部件、铁环上料部件、铁环收料部件、撕废膜机构、贴标及晶圆检测部件。本发明的优点在于：通过自动上料，自动扩张，成品自动收料，自动回收废膜，自动检测及自动贴标等机构的相互配合，有序进行，实现全程自动化扩张作业，减少人员操作，避免入料异常，提高工作效率，实现生产的自动化，省时省力，节约企业生产成本。
铁环上料部件固定座上料料盒手臂部件膜部件工装废膜母环贴标移载子环自动化全程自动化工作效率晶圆检测扩张设备企业生产人员操作收料部件自动回收自动检测自动上料自动收料入料省力省时节约配合生产

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 85 条