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[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置-CN202010515418.1有效
发明人：寺仓聪志;森政士;荒濑高男;岩濑拓 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供等离子处理方法及其处理装置，在对使用了含硼的无定形碳膜的层叠膜进行蚀刻时，通过实现高选择比、高蚀刻速率而能够进行连贯加工，通过简化掩模成膜工序来实现包括前后工序在内的高处理量化，进而具有垂直加工的形状控制性。本发明是通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模的等离子处理方法，其特征在于，使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体或者氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。
等离子处理方法以及装置

[发明专利]等离子处理装置-CN201980005077.9有效
发明人：岩瀬拓;矶崎真一;横川贤悦;森政士;佐山淳一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了能够使中心高的分布和节分布这两方独立地对等离子密度分布进行控制，针对处理的均匀性能够以更高精度对试料进行等离子处理，将等离子处理装置构成为具备：真空容器，试料被等离子处理；高频电源，提供用于生成等离子的高频电力；试料台，载置试料；和磁场形成部，使真空容器的内部形成磁场并被配置于真空容器的外侧，磁场形成部中具备：第1线圈；第2线圈，被配置于比第1线圈更靠内侧的位置且直径比第1线圈的直径小；第1磁轭，覆盖第1线圈、真空容器的上方以及侧面且第1线圈被配置于内部；和第2磁轭，沿着第2线圈的周方向覆盖第2线圈并在第2线圈的下方侧具有开口部。
等离子处理装置

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201710704465.9有效
发明人：石丸亮;宇根聪;森政士 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种在使用微细化的图案对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中能够以相对于SiN膜高选择比并且高产量地对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。本发明的特征在于，在使用等离子体对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中，使用含有硅元素的气体、含有卤素元素的气体、以及含有碳元素和氧元素的气体对所述含有钨元素的膜进行蚀刻。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN202080012015.3在审
发明人：刘超美;古林均;森政士;高桥良太 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：对含有硼的硅膜、多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法使用卤素气体、含有氟的气体、以及三氯化硼气体的混合气体，对含有所述硼的多晶硅膜进行蚀刻。由此，能够在对含有硼的多晶硅膜进行等离子体蚀刻时，实现蚀刻速率的提高，抑制蚀刻不良。
等离子体处理方法

[发明专利]等离子处理装置-CN201980015455.1在审
发明人：梶房裕之;横川贤悦;荒濑高男;森政士 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：为了提供能得到稳定的等离子处理特性的等离子处理装置，样品台配置于真空容器内部的处理室内的下部，载置利用所述等离子的处理对象的晶片，且在配置于上部的中央部的凸状部的上表面载置所述晶片，在该样品台中具备：配置于内部且在所述晶片的处理中供给高频电力的电极、以及在所述样品台的所述凸状部的外周侧包围所述上表面而配置的导体制的环状构件的电极；电介质制的第1环状覆盖物，在该环状构件与所述处理室之间、以及该环状构件与所述样品台的上表面之间，相对于所述环状构件覆盖而配置；导体制的第2环状覆盖物，在所述处理室与第1环状覆盖物的上表面之间将第1环状覆盖物的上表面覆盖而配置，还具备：调节器，对应于检测在晶片的处理中供给到导体制的环状构件的高频电力的电压的结果来调节该高频电力的大小。
等离子处理装置

[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置-CN201780000763.8有效
发明人：寺仓聪志;森政士;荒濑高男;岩濑拓 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供等离子处理方法及其处理装置，在对使用了含硼的无定形碳膜的层叠膜进行蚀刻时，通过实现高选择比、高蚀刻速率而能够进行连贯加工，通过简化掩模成膜工序来实现包括前后工序在内的高处理量化，进而具有垂直加工的形状控制性。本发明是通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模的等离子处理方法，其特征在于，使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体或者氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。
等离子处理方法以及装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201810153827.4有效
发明人：岩濑拓;手束勉;矶崎真一;横川贤悦;森政士 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，具备：处理室，配置于真空容器内部；样品台，配置于该处理室内部，在上表面放置处理对象的晶片；电介质制的圆板构件，在处理室上方与样品台上表面对置配置；圆板状的上部电极，面向样品台的一侧被圆板构件覆盖而配置，被提供用于形成用于在处理室内形成等离子体的电场的第1高频电力；线圈，覆盖处理室的上方和周围配置于真空容器的外部，产生用于形成等离子体的磁场；和下部电极，配置于样品台的内部，被提供用于在放置于样品台的晶片上形成偏置电位的第2高频电力，具备：环状的凹部，在圆板构件与上部电极之间形成于圆板构件一侧；和金属制的环状的构件，嵌入该环状的凹部并且与上部电极相接。据此，提升处理的成品率。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN201880005229.0在审
发明人：岩濑拓;荒濑高男;寺仓聪志;渡边勇人;森政士 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了实现在改善前端变细的形状的同时抑制蚀刻速率下降的等离子体蚀刻方法，等离子体处理装置具备对试料进行等离子体处理的处理室、供给用于生成等离子体的高频电力的第一高频电源、载置试料的试料台以及向试料台供给高频电力的第二高频电源，其中，该等离子体处理装置还具备控制部，对第一高频电源和第二高频电源进行控制，使得使用由溴化氢气体、氢氟烃气体以及含氮元素气体的混合气体生成的等离子体，对硅氧化膜与多晶硅交替层叠而得到的层叠膜或硅氧化膜与硅氮化膜交替层叠而得到的层叠膜进行蚀刻。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体灰化装置-CN201910648238.8在审
发明人：伊东亨;森政士;金清任光 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体灰化装置，在通过等离子体来去除含硼无定型碳膜的等离子体灰化方法中，能够兼得含硼无定型碳膜的去除速度的提高和向沟槽侧壁层的侧面蚀刻抑制。等离子体处理方法在使用具有含硼的无定型碳膜的掩模来进行等离子体蚀刻后，使用等离子体，对硅氮化膜、硅氧化膜或者钨膜，选择性地去除所述无定型碳膜，在所述等离子体处理方法中，具有：去除工序，使用由O2气体、CH3F气体或者CH2F2气体的混合气体生成的等离子体来去除所述无定型碳膜。
等离子体处理方法以及灰化装置

[发明专利]等离子处理装置-CN201880004600.1在审
发明人：近藤勇树;横川贤悦;森政士;宇根聪;中本和则 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能减少样品的针对面内方向的处理的偏差并提高处理的成品率的技术。本等离子处理装置(1)具备：配置于样品台(110)内的第1电极(基材(110B))；包围样品台(110)的上表面部(310)(电介质膜部(110A))的外周侧地配置的环状的第2电极(导体环(114))；覆盖第2电极并包围上表面部(310)的外周地配置的电介质制的环状构件(基座环(113))；用于对第1电极以及第2电极各自从高频电源提供高频电力的多个供电路径；和配置于向第2电极的供电路径上的匹配器(117)。并且，向第2电极的供电路径上的匹配器(117)与第2电极之间的第1部位(A1)、和接地部位之间经由被设为给定的值的电阻(118)电连接。
电极供电路径上表面部配置的匹配器样品台外周等离子处理装置包围电介质膜电介质制高频电力高频电源环状构件接地部位成品率导体环电连接基座环内方向电阻基材配置覆盖

[外观设计]等离子处理装置用环-CN201930195899.0有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;岩濑拓 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用环。2．本外观设计产品的用途：本产品为一种等离子处理装置用环，其在半导体制造装置上使用，设置在气体流路上用于优化等离子形成空间。3．本外观设计产品的设计要点：如立体图所示内容最能体现本外观设计产品的设计要点。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，E‑等离子处理室，F‑电极头，G‑半导体晶圆，H‑绝缘环，I‑基座，J‑本外观设计产品，K‑环壳。
外观设计等离子处理装置半导体制造装置等离子形成空间等离子处理室半导体晶圆电极头绝缘环气体流环壳优化图片

[外观设计]等离子处理装置用电极板外周环-CN201830046523.9有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;桥本尊久 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用电极板外周环。2．本外观设计产品的用途：如使用状态及示出各部名称参考图所示，本产品为在半导体制造的等离子处理装置中，设置在喷出气体的电极板外周附近的外周环。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图2。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，F ‑硅片，G ‑等离子受光端口，H‑等离子处理装置用电极板，I‑本外观设计产品，J‑等离子处理装置用感受器，K‑本外观设计产品，L‑锥形部。
外观设计等离子处理装置用电极板外周环半导体制造等离子电极板感受器锥形部硅片喷出受光外周图片

[外观设计]等离子处理装置用电极板-CN201830046524.3有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;桥本尊久 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用电极板。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为在半导体制造中等离子处理装置的气体喷出板上使用的电极板。3．本外观设计产品的设计要点：如立体图所示内容，最能体现本外观设计产品的设计要点。特别在于B部放大图中所示产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，E‑硅片，F‑等离子受光端口，G‑上部对侧电极，H‑本外观设计产品，I‑等离子处理装置用电极板外周环，J‑等离子处理装置用感受器。在各个示出透光及透明部参考图中，斜线所示的外环部具有透光性，中间灰色部分为透明。
外观设计等离子处理装置用电极板半导体制造产品形状侧电极等离子电极板感受器喷出板透光性透明部外环部外周环透光斜线硅片受光透明图片

[外观设计]等离子处理装置用基座-CN201830046879.2有效
发明人：矶崎真一;森政士;横川贤悦;荒濑高男;酒井洋辅 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：等离子处理装置用基座。2．本外观设计产品的用途：本产品为在半导体制造的等离子处理装置中，从等离子中保护试料台的基座。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．在使用状态及示出各部名称参考图中，D‑硅片，E‑等离子受光端口，F‑等离子处理装置用电极板，G‑等离子处理装置用电极板外周环，H‑本外观设计产品。
外观设计等离子处理装置用电极板等离子半导体制造试料台外周环硅片受光图片

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