[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体灰化装置在审
| 申请号： | 201910648238.8 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110808210A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 伊东亨;森政士;金清任光 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩丁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体灰化装置，在通过等离子体来去除含硼无定型碳膜的等离子体灰化方法中，能够兼得含硼无定型碳膜的去除速度的提高和向沟槽侧壁层的侧面蚀刻抑制。等离子体处理方法在使用具有含硼的无定型碳膜的掩模来进行等离子体蚀刻后，使用等离子体，对硅氮化膜、硅氧化膜或者钨膜，选择性地去除所述无定型碳膜，在所述等离子体处理方法中，具有：去除工序，使用由O |
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| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 以及 灰化 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
