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[发明专利]一种可对土壤高效混杂的施肥机-CN202211605455.7有效
发明人：朱燕燕;黄国生;鲁根军;梁仁荣;舒斌 -专利权人：杭州径天农业开发有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A01B49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可对土壤高效混杂的施肥机，涉及茶叶种植技术领域，包括驱动组件、箱体组件和翻搅爪，所述驱动组件的顶部外端连接有箱体组件，且箱体组件的底部两侧安置有暂存箱，所述暂存箱的底部外侧连接有软管。本发明翻搅爪在进行施肥的过程中，通过电推杆工作，能带动升降套座和翻搅爪进行下移，下移后的翻搅爪能与泥土进行接触，因翻搅爪的造型为多段弯折型，翻搅爪与土壤接触后，能将土壤进行翻拌，使茶树周围上下层的土壤层进行颠倒，而翻搅爪翻拌土层的过程中，会处于持续出肥的状态，这使得肥料能与翻拌的土壤进行高效混杂，而通过使肥料与土壤进行高效混杂以及对茶树周围土壤进行松土翻拌，能提升茶树对肥料的吸收速度和吸收效果。
一种土壤高效混杂施肥

[发明专利]一种多层绝缘体上锗衬底结构及其制备方法和用途-CN202110540923.6有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;梁仁荣;罗雪;孔真真;林鸿霄 -专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层绝缘体上锗衬底结构，包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、第一锗层以及交替垂直堆叠在所述第一锗层上的n层第二绝缘层和n层第二锗层，并且靠近所述第一锗层的是所述第二绝缘层；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层存在贯穿所述第二绝缘层的凹槽；并且所述凹槽中充满与所述第二锗层相同的材料。本发明还涉及一种多层绝缘体上锗衬底结构的制备方法。本发明的衬底结构可用于垂直堆叠全耗尽晶体管，有利于减小器件的短沟道效应，同时有利于提升器件的开态电流，在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。
一种多层绝缘体衬底结构及其制备方法用途

[发明专利]超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法-CN202010975409.0有效
发明人：程为军;梁仁荣;许军;蒋春生 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提出了超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法。该超陡亚阈值摆幅器件包括：衬底，包括阱区、源区、漏区和口袋区，其中，源区和漏区分别设置在阱区的一侧，口袋区设置在源区远离阱区并靠近漏区的一侧；绝缘介质层，覆盖源区和漏区；界面氧化层，覆盖口袋区和阱区；栅堆叠结构，覆盖界面氧化层且包括至少一层铁电介质薄膜；栅极，设置在栅堆叠结构界面氧化层的表面。本发明所提出的超陡亚阈值摆幅器，具有关态电流小、开态电流大、驱动电压低、亚阈值摆幅在较宽的驱动电流范围内基本保持不变等优势。
超陡亚阈值器件及其制备方法

[发明专利]金属空气过滤器-CN202180005554.9在审
发明人：金山河;柳承勋;梁仁荣 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2021-10-05 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B03C3/51 文献下载
摘要：本公开涉及一种金属空气过滤器，包括：滤器，其由金属材料通过电沉积形成并具有纳米分支结构；离子发生器，其向待被滤器捕获的颗粒传递负电荷；以及，电源，其提供正电压以向滤器传递正电荷，并且为离子发生器提供负电压。与传统工艺相比，该过滤器的制造更加简单且成本更低。
金属空气过滤器

[发明专利]图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用-CN202111484162.3在审
发明人：任天令;囤冠华;覃肯;张海南;耿祥顺;谢丹;梁仁荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：(1)在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；(2)对步骤(1)得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；(3)对步骤(2)得到的所述光刻胶薄膜进行显影；(4)将步骤(3)得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀；(5)将步骤(4)得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜。由此，该制备方法可与现代微电子工艺兼容，且卤素钙钛矿薄膜在去胶前后，薄膜质量与性质基本不变，在光电成像阵列、显示阵列、光电逻辑阵列器件等领域具有广阔的应用前景。
图案卤素钙钛矿薄膜及其制备方法应用

[发明专利]超低功耗的薄膜晶体管及其制备方法-CN202010310928.5有效
发明人：程为军;梁仁荣;任天令;李宇星 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提出了超低功耗的薄膜晶体管及其制备方法。该超低功耗的薄膜晶体管包括层叠设置的衬底、隔离层、栅极、栅堆叠结构、沟道薄膜、源漏电极和钝化层，其中，栅堆叠结构设置在栅极与沟道薄膜之间；并且，栅堆叠结构包括层叠设置的至少一层铁电介质薄膜和至少一层金属层。本发明所提出的超低功耗薄膜晶体管，其栅堆叠结构包含至少一层铁电介质薄膜，由于铁电材料的极化反转，引入了负电容效应，栅堆叠结构出现负的微分电容值，从而使薄膜晶体管在室温下能够实现亚阈值摆幅小于60mV/decade，且还具有关态电流小和开态电流大的优势。
功耗薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]近红外异质结发光二极管阵列及其形成方法-CN201910458619.X有效
发明人： 梁仁荣;陈文捷;许军;任天令;王进;王敬 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了近红外异质结发光二极管阵列及其形成方法。其中，异质结发光二极管阵列结构包括：衬底；锗缓冲层，所述锗缓冲层形成在所述衬底的至少一部分表面；锗柱微结构阵列，所述锗柱微结构阵列形成在所述锗缓冲层远离所述衬底的表面，所述锗柱微结构阵列中包括多个周期性排布的锗柱；氧化锌层，所述氧化锌层形成在所述锗柱的至少一部分表面和所述锗缓冲层远离所述衬底的至少一部分表面；以及顶电极层，所述顶电极层形成在所述氧化锌层远离所述锗柱微结构阵列的至少一部分表面。该近红外异质结发光二极管阵列通过包括锗和氧化锌的材料构成异质结，所形成的发光二极管阵列具有低功耗、低电流密度等特点，且对生产设备要求低、生产步骤简单。
红外结发二极管阵列及其形成方法

[发明专利]无结型隧穿场效应晶体管及制备方法-CN201710583767.5有效
发明人：张书琴;梁仁荣;王敬;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了无结型隧穿场效应晶体管及制备方法。该无结型隧穿场效应晶体管包括：绝缘层；沟道区，所述沟道区设置在所述绝缘层上；源极和漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述沟道区的两侧；栅介质层，所述栅介质层设置在所述沟道区上；栅极，所述栅极设置在所述栅介质层上，所述栅极包括顶栅以及静电调制栅极。由此，该无结型隧穿场效应晶体管具有以下优点的至少之一：结构简单，可以利用较为简单的工艺流程实现制备，掺杂浓度灵活可调，功耗较低等。
无结型隧穿场效应晶体管制备方法

[发明专利]半导体结构以及制备方法-CN201611059666.X有效
发明人：王敬;孙川川;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成氮化物过渡层和氮化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述氮化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述半导体结构，其中，所述氮化物半导体层是由含Ga的氮化物半导体材料形成的。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用氮化镓晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对半导体结构的尺寸造成限制。
半导体结构以及制备方法

[发明专利]光调制的半导体场效应晶体管和集成电路-CN201611130449.5有效
发明人：王敬;陈文捷;郭磊;梁仁荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的半导体场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构至少部分地覆盖所述源区和/或漏区，所述发光结构用于产生用于激发所述半导体层中电子和空穴对的光线。本发明的光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置半导体层之上，部分覆盖源或漏，使发光结构与沟道区更近，可以在沟道区有效激发电子‑空穴对，提高沟道区载流子浓度，利用光照极大地改善器件的导通电流。
调制半导体场效应晶体管集成电路

[发明专利]光调制的二极管和功率电路-CN201611128685.3有效
发明人：王敬;陈文捷;梁仁荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种光调制的二极管和功率电路，该光调制的二极管包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；形成在所述第一半导体之上的第一金属层；形成在所述第一半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构用于产生用于激发所述第一半导体层中电子‑空穴对的光线。本发明的光调整二极管和功率电路，将发光结构设置在第一半导体层之上，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通压降。
调制二极管功率电路

[发明专利]半导体结构以及制备方法-CN201611053535.0有效
发明人：王敬;孙川川;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成氮化物过渡层和氮化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述氮化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述半导体结构，其中，所述氮化物半导体层是由含Al的氮化物半导体材料形成的。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用氮化铝晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对半导体结构的尺寸造成限制。
半导体结构以及制备方法

[发明专利]光调制的场效应晶体管和集成电路-CN201611128700.4有效
发明人：王敬;陈文捷;郭磊;梁仁荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光调制的场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述源区和/或漏区之中的发光结构，其中，所述发光结构用于产生光子以激发所述半导体层中的电子‑空穴对。本发明的光调制的场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置源区和/或漏区之中，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
调制场效应晶体管集成电路

[发明专利]半导体结构以及制备方法-CN201611059588.3有效
发明人：王敬;孙川川;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成缓冲层和半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述半导体结构，其中，所述过渡层以及所述半导体层分别独立地由氧化物形成。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免氧化物晶片尺寸对半导体结构的尺寸造成限制。
半导体结构以及制备方法

[发明专利]绝缘体上半导体结构以及制备方法-CN201611052552.2有效
发明人：王敬;孙川川;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成砷化物过渡层和砷化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述砷化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述缘层上半导体结构。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用砷化物晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对绝缘体上半导体结构造成的限制。
绝缘体上半导体结构以及制备方法

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