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[发明专利]一种稀土离子掺杂硅酸铋上转换发光材料及其制备方法-CN202111181609.X有效
发明人：王莎莎;崔晓慧;林继宏;聂虎臣;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土离子掺杂硅酸铋上转换发光材料及其制备方法，上转换发光材料具有式Ⅰ通式：Bi1.99Er0.01YbXLiYSiO5；其中，0＜X≤0.015，0Y≤0.08。本发明提供的材料将Er3+离子、Yb3+离子掺入硅酸铋晶体中，不会改变晶体结构；通过Yb3+离子的掺杂浓度实现对上转换发光强度的调控，且红绿光比值也同时被调控；Li+离子的掺入也不会引起晶格结构改变，只能使晶体颗粒尺寸发生变化；而这种掺杂还会导致局域晶体场的对称性降低，使之更适合稀土离子4f电子跃迁，进而使得发光强度得到增强。
一种稀土离子掺杂硅酸转换发光材料及其制备方法

[发明专利]反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法-CN202310687123.6在审
发明人：梅松;霍丽艳;崔晓慧;林继宏;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法，所述LED结构包括：第一衬底、反射金属层、绝缘介质层和外延层；其中，所述反射金属层为Ag基反射金属层，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面为粗糙面。本发明提供的这种LED结构采用Ag基反射金属层，Ag基反射金属层的反射率比Au基反射金属层的反射率高，能够提高LED结构的光电效率，且采用Ag基反射金属层的成本更低；另外由于在本发明中，所述绝缘介质层面向所述Ag基反射金属层一侧的表面为粗糙面，增大了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的接触面积，从而提升了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的粘附力。
极性薄膜 algainp led 结构及其制备方法

[发明专利]基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法-CN202310440820.1在审
发明人：梅松;林继宏;崔晓慧;霍丽艳;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法，该制备方法在具有极佳导热系数的SiC衬底上生长AlGaInP外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将AlGaInP外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到SiC与AlGaInP晶格不匹配的问题，通过在SiC衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长AlGaInP提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度。
基于 sic 衬底 algainp 发光二极管制备方法

[发明专利]具有复合超晶格电子阻挡层的LED芯片及制备方法-CN202310382707.2在审
发明人：唐慧慧;霍丽艳;崔晓慧;林继宏;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有复合超晶格电子阻挡层的LED芯片及制备方法，复合超晶格电子阻挡层是由AlN层、AlxGa1‑xN层、AlyIn1‑yGaN层、InzGa1‑zN层和MgN层循环交替生长而成的周期性结构，AlN层减少电子阻挡层及P型半导体层与多量子阱层的晶格差异，减小因晶格失配带来的电极化效应，提供较高的势垒能级有效阻挡电子迁移到P型半导体层，提高空穴的注入效率；AlN层和MgN层之间其它三层的异质结界面处可以吸引电子形成浓度较高的面载流子与多量子阱层中的电子互相排斥将电子限制在量子阱中；MgN层提供更多的空穴，增加载流子的数量，提高电子和空穴的辐射复合效率，从而提高发光效率和光电性能。
具有复合晶格电子阻挡 led 芯片制备方法

[发明专利]一种含V型坑双波长的LED外延结构及其制备方法-CN202211246213.3在审
发明人：袁健;崔晓慧;林继宏;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种含V型坑双波长的LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构包括衬底、N型氮化镓层、低温氮化镓层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一V型坑和第二V型坑；两种不同的V型坑使得有源发光区由传统的平面结构变为立体结构，通过两种不同的V型坑可以注入到不同的多量子阱层，从而可以实现在单芯片上发出两种不同波长的光；另外，第一多量子阱层中的量子垒层可以提供高势垒阻挡载流子在第一多量子阱层中复合发光，第一多量子阱层的量子阱层中In的组分大于第二多量子阱层的量子阱层，不同In组分可以控制载流子在不同深度的V型坑中的输运路径，从而实现在载流子分布的均匀性，解决了混光不均的问题。
一种型坑双波长 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种GaN LED结构及其制作方法-CN202210374540.0在审
发明人：霍丽艳;滕龙;吴洪浩;林继宏;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN LED结构及其制作方法，该方法在SiO2图形化蓝宝石衬底上生长GaN层之前，生长一层SiNx层，SiNx层和SiO2形成SiO2‑SiNx双层提高反射膜，可以减少LED发出的光在外延层内全反射，进而提高LED外延的外量子效率；SiAlxInyGa(1‑x‑y)N缓冲层多层的设计，一方面提供和SiO2图形化蓝宝石衬底有着相同取向高密度成核中心，另一方面又通过减小外延层和SiO2图形化蓝宝石衬底之间的界面自由能来促进横向生长，可以有效的降低缺陷密度，同时起到晶格过度的作用，提高LED晶体质量，进而提高LED的内量子效率；MgO钝化层设置在三维U型GaN层后，SiO2图形化蓝宝石衬底图形尖端处未被覆盖时，用于钝化图形尖端处，减少穿透位错向上延申，继而改善LED外延层的漏电性能。
一种 gan led 结构及其制作方法

[实用新型]一种地毯式的定向越野计时站点装置-CN202023071714.1有效
发明人：李嘉森;林继宏;孙进军;陈韬;高华平 -专利权人：海宁市灰常越野体育用品有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G07C1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种地毯式的定向越野计时站点装置，包括装置主体，所述装置主体的内部设置有打卡机构，所述装置主体的外部设置有安装机构，本实用新型所述的一种地毯式的定向越野计时站点装置，通过设置的打卡机构可以有效的提高使用者的便捷性，通过把点签设置成一条地毯，打卡范围就是地毯上面的一个信号墙，电源接口通电后，将电能传输给压力感应开关与MCU，压力感应开关受到压感以后将信号传给MCU，MCU与计算器为双向电性连接，控制计算器计时，计算器计时再将计时数据传给MCU，LCD再将数据显示出来给人们查看，通过设置的安装机构可以方便人们安装装置主体，将装置主体固定住，防止装置主体滑动绊倒运动员，带来更好的使用前景。
一种地毯式定向越野计时站点装置

[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制备方法-CN201711018197.1有效
发明人： 林继宏;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及一种氮化物发光二极管及其制备方法，其在P型半导体层的电子阻挡层和P型接触层之间插入一多层结构，多层结构包括复数个含In的厚度20~50埃的子结构层，以降低其能隙，便于空穴迁移，提高电子空穴的复合；同时，设置第二In_x1N层的P型杂质浓度高于第一In_x1N层，使得厚度较薄的子结构层仍可以提供足够浓度的空穴；另外，本发明采用原子层沉积技术生长子结构层，从而获得厚度较薄，但质量较高的子结构层。
一种氮化物发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN201710391429.1有效
发明人： 林继宏;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的In_xGa_1‑xN子层和n‑GaN子层，其中0.01xGa_1‑xN/n‑GaN周期性结构的差排形成层，差排形成层产生的差排密度及宽度会逐渐加深及增大而形成V型缺陷，进而影响差排密度，从而提高量子阱内量子效率。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种改善漏电流的发光二极管制备方法-CN201510196122.7有效
发明人： 林继宏;卓昌正;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提出了一种发光二极管的制备方法，在N型层与浅量子阱层沉积步骤之间插入一杂质去除步骤，利用陡变方式增加杂质管路的载气流量，充分快速吹扫该管路的残留杂质，避免残留杂质进入浅量子阱层影响该层的晶体结构，降低对发光二极管的反向漏电流的影响，改善LED结构的可靠性和生产的良品率。
发光二极管量子阱层制备残留反向漏电流晶体结构杂质去除载气流量良品率漏电流吹扫沉积生产

[发明专利]一种具有量子阱保护层的发光二极管及其制备方法-CN201710559480.9在审
发明人： 林继宏;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有量子阱保护层的发光二极管及其制备方法，其通过多量子阱结构层上、下分别设置上保护层和下保护层，将多量子阱结构层包覆在其中，借由第一子保护层与第二子保护层以及第三子保护层与第四子保护层结构与能障的变化，降低缺陷延伸至量子阱结构层，抑制电子溢流与溢流现象。且提高逆崩溃电压程度，降低反向溢出电流，加强了LED芯片在寿测检验上的强度。
一种具有量子保护层发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种外延生长用石墨盘-CN201520765705.2有效
发明人： 林继宏;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提出的一种外延生长用石墨盘，具有若干个用于放置晶圆的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽均匀分布于石墨盘的第一平台，所述第二凹槽均匀分布于石墨盘的第二平台，所述第一平台位于所述石墨盘的中心区域，所述第二平台环绕于所述第一平台，其特征在于：所述第一平台上表面高于所述第二平台的上表面。通过第一平台与第二平台上表面的高度差来改善石墨盘上晶圆波长均值的差异，提高晶圆光电性能及良品率。
一种外延生长石墨

[发明专利]一种发光元件的制备方法-CN201410780653.6有效
发明人：李政鸿;周圣伟;林继宏;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种发光元件的制备方法，生长氮化镓于已镀制AlN的平片或图形衬底上，再进行H₂氛围退火处理或H₂氛围与NH₃氛围组合式热处理藉此改变及缓冲材料间应力的问题，进而改善此应力所造成的外延片翘曲，提高发光元件的外延质量，提升发光元件的发光效率。
一种发光元件制备方法

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