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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微型探测器及缺陷量测方法-CN201910263956.3有效
发明人： 林本坚;林崇荣;金雅琴;蔡宜霈 -专利权人：林崇荣
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是提供一种微型探测器及缺陷量测方法，微型探测器包含一基板、一鳍状结构、一浮动栅极、一感测栅极、一读取栅极以及一天线层。鳍状结构位于基板上。浮动栅极位于基板上，浮动栅极与鳍状结构彼此垂直交叉。感测栅极位于鳍状结构的一侧。读取栅极形成于鳍状结构的另一侧。天线层连接感测栅极，其位于感测栅极上方。天线层接触一外部能量源后产生一引致电荷，透过一耦合效应将引致电荷储存于浮动栅极内。借此，可透过计算引致电荷推估晶圆制程中的缺陷分布。
微型探测器缺陷方法

[发明专利]光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法-CN202310028733.5在审
发明人：刘瑞雄;李柏璇;吕安云;陈冠廷;陈柏熊;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。
光阻剂半导体装置制造方法紫外线微影术

[发明专利]半导体装置、其制造方法与使用其的感测方法-CN202210850702.3在审
发明人：金雅琴;林崇荣;林本坚;王玺钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置、其制造方法与使用其的感测方法，半导体装置包含半导体鳍、隔离结构、栅极结构、源极/漏极结构、感测触点、感测垫结构及读取触点。半导体鳍包含通道区及位于通道区相对两侧的源极/漏极区。隔离结构横向围绕半导体鳍。栅极结构位于半导体鳍的通道区上方。源极/漏极结构分别位于半导体鳍的源极/漏极区上方。感测触点位于隔离结构正上方且与栅极结构相邻。感测垫结构连接至感测触点。读取触点位于隔离结构正上方且与栅极结构相邻。
半导体装置制造方法使用

[发明专利]半导体制造设备及制造半导体装置的方法-CN202210112360.5在审
发明人：池育德;陈媺妼;金雅琴;林崇荣;林本坚;林伯禹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：揭示一种半导体制造设备及制造半导体装置的方法。在一个态样中，设备包括：一支持器，支持器用以放置一基板；及一辐射源，辐射源用于提供辐射以将一图案转移至基板上。设备亦包括多个感测装置，感测装置用以在不存在基板时基于辐射的强度提供一参考信号。设备进一步包括一控制器，控制器能够操作地耦接至感测装置，控制器用以基于参考信号调整辐射的强度。
半导体制造设备装置方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110733420.0在审
发明人：金雅琴;林崇荣;林本坚;王建评;王绍华;张俊霖;陈立锐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：方法包括将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极，以及将第二电压施加至检测器单元的第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极。第一晶体管串联耦接至第二晶体管，并且第一电压高于第二电压。对检测器单元执行预曝光读取操作。在施加第一电压和第二电压之后，将曝光装置的光投射到第二晶体管的栅极。对检测器单元执行曝光后读取操作。将预曝光读取操作与曝光后读取操作的数据进行比较。基于预曝光读取操作和曝光后读取操作的比较的数据调整光的强度。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]制造具有不可印刷的伪部件的集成电路的方法-CN201510344663.X有效
发明人：林钜馥;陈正宏;刘沛怡;王文娟;林世杰;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了集成集成电路(IC)方法的实施例，该方法包括接收IC设计布局，IC设计布局具有多个主要部件和多个空间块。该IC方法也包括计算最优化的块伪密度比率r0以使图案密度均匀性(UPD)最优化，确定目标块伪密度比率R，确定不可印刷的伪部件的尺寸、节距和类型，生成不可印刷的伪部件的图案以及将不可印刷的伪部件添加在IC设计布局中。
制造具有不可印刷部件集成电路方法

[发明专利]堆叠掩模-CN201310132002.1有效
发明人： 林本坚;李信昌;秦圣基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G03F1/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠掩模。该掩模包括低热膨胀材料(LTEM)衬底、至少两个吸收层以及分离这两个吸收层的间隔层。第一吸收层沉积在LTEM衬底上方。该掩模进一步包括位于吸收层的上方的顶涂层。间隔层的厚度约等于晶圆衬底上的构形部件的高度乘以物镜的缩倍的平方。吸收层包括阶段图案。
堆叠

[发明专利]制造集成电路的方法-CN201510312208.1有效
发明人：林钜馥;陈正宏;刘沛怡;王文娟;林世杰;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了IC方法的一个实施例。首先接收IC设计布局的多个模板的图案密度(PD)。然后从多个模板中识别高PD离群值模板和低PD离群值模板。将高PD离群值模板分离为模板的多个子集，并且模板的每个子集携带高PD离群值模板的PD的部分。对低PD离群值模板实施PD均匀性(PDU)优化以及通过使用相应的模板的子集实施多个单独的曝光工艺。本发明涉及制造集成电路的方法。
制造集成电路方法

[发明专利]用于电子束图案化的方法-CN201210451288.5有效
发明人：王文娟;林世杰;许照荣;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：一种用于电子束图案化的方法，包括在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
用于电子束图案方法

[发明专利]用于光刻的高生产量和小占位面积扫描曝光的系统和方法-CN201410305880.3有效
发明人： 林本坚;林世杰;许照荣;王文娟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供用于光刻的高生产量和小占位面积扫描曝光的系统和方法。一种光刻系统，其包括辐射源和曝光工具，曝光工具包括在第一方向上密集地封装的多个曝光柱。每个曝光柱都包括被配置成经过辐射源的曝光区域。该系统还包括晶圆载体，被配置成固定并且沿着垂直于第一方向的第二方向移动一个或多个晶圆，使得一个或多个晶圆通过曝光工具曝光，以沿着第二方向形成图案。一个或多个晶圆覆盖有光刻胶层并且在晶圆载体上以第二方向对准。
用于光刻生产量占位面积扫描曝光系统方法

[发明专利]介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法-CN201410108600.X有效
发明人： 林本坚;高蔡胜;刘如淦;黄文俊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明是有关于一种介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法，所述的双重图案化技术的介层窗掩膜分离方法的实施例使得介层窗图案化能够对齐其底下或上方的金属层，藉以缩减重叠误差，进而增加介层窗的置放性。假如相邻的介层窗违反介层窗之间的空间或节距(或上述二者)的G0掩膜分离规则，因为具有较高的置放失误风险，故给予末端介层窗的掩膜分配较高的优先顺序，藉此确保末端介层窗有良好的置放性。此与金属相关的介层窗掩膜分离方法可获得如较低的介层窗阻抗的较佳介层窗性能以及较高的介层窗优良率。
介层窗层介层窗图案化掩膜分配方法

[发明专利]用于带电粒子光刻系统的装置-CN201410829755.2在审
发明人：王世奇;简聪智;黄晖闵;许照荣;林世杰;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了用于带电粒子多束光刻系统的装置。该装置包括多个带电粒子双合透镜，每个双合透镜均具有第一孔径并且均配置为缩小入射在第一孔径上的细光束，从而产生缩小的细光束。该装置还包括多个带电粒子透镜，每个带电粒子透镜均与带电粒子双合透镜中的一个相关，每个带电粒子透镜均具有第二孔径，并且每个带电粒子透镜均配置为从相关的带电粒子双合透镜接受缩小的细光束并且实现以下两种状态中的一种：开启状态，其中允许缩小的细光束沿着期望的路径传输，以及关闭状态，其中阻止缩小的细光束沿着期望的路径传输。在实施例中，第一孔径大于第二孔径，从而改进带电粒子多束光刻系统中的粒子束效率。
用于带电粒子光刻系统装置

[发明专利]用于光刻系统的图案生成器-CN201310167352.1有效
发明人：余振华;包天一;吕志伟;许照荣;林世杰;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：图案生成器包括：具有平面镜的平面镜阵列板、设置在平面镜阵列板上方的至少一个电极板、设置在平面镜上方的小透镜、以及夹置在平面镜阵列板和电极板之间的至少一个绝缘层。电极板包括第一导电层和第二导电层。小透镜具有在电极板中形成的非竖直侧壁。图案生成器进一步包括夹置在两个电极板之间的至少一个绝缘体。非竖直侧壁可以是U形侧壁或L形侧壁。本发明还提供了用于光刻系统的图案生成器。
用于光刻系统图案生成器

[发明专利]用于邻近修正的方法-CN201210387301.5有效
发明人：许照荣;林世杰;林华泰;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造用于集成电路(IC)设计的掩模的方法，所述方法包括接收IC设计布局。所述IC设计布局包括：具有第一外边界的IC部件，以及分配到所述第一外边界的第一目标点。所述方法还包括生成用于所述IC部件的第二外边界；以及，将所有的第一目标点移到第二外边界以形成修改的IC设计布局。本发明还公开了用于邻近修正的方法。
用于邻近修正方法

[发明专利]用于改进反射电子束光刻的器件和方法-CN201210454441.X有效
发明人：余振华;许照荣;林世杰;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种用于反射电子束光刻的器件及其制造方法。所述器件包括衬底，形成在所述衬底上的多个导电层，这些导电层相互平行并且通过绝缘柱结构隔离；以及在每层导电层中的多个孔。每个导电层中的孔与其他导电层中的孔垂直对准并且每个孔的外围包括悬置的导电层。本发明还公开了改进反射电子束光刻的器件和方法。
用于改进反射电子束光刻器件方法

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