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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件组件-CN202310396606.0在审
发明人： 林承园;全五燮 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种半导体器件组件，其包括：直接接合金属(DBM)衬底，其包括：陶瓷层；第一金属层，该第一金属层设置在该DBM衬底的第一表面上，该第一金属层具有均匀的厚度；以及第二金属层，该第二金属层设置在该DBM衬底的与第一表面相对的第二表面上，该第二金属层包括：具有第一厚度的第一部分；以及具有第二厚度的第二部分，第二厚度大于第一厚度，该第二金属层的第二部分包括热膨胀系数(CTE)在7至11百万分率每摄氏度(ppm/℃)范围内的金属合金；以及半导体管芯，该半导体管芯具有与第二金属层的第二部分耦接的第一表面。
半导体器件组件

[发明专利]电子器件组件和用于制造电子器件组件的方法-CN202310363330.6在审
发明人： 林承园;全五燮;姜东旭;高荣舜;金正大;云长舜;金志奂 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件组件和用于制造电子器件组件的方法。电子器件组件包括布置在平面中的衬底。衬底具有第一侧部和第二侧部，第二侧部与第一侧部相对。组件还包括至少一个信号引脚以及设置在衬底的第一侧部上的多个半导体芯片。至少一个信号引脚包括与衬底的第一侧部耦合的近端部分、远端部分、以及设置在近端部分与远端部分之间的中间部分。中间部分在模塑料中被预模塑，近端部分和远端部分不包括模塑料。至少一个信号引脚沿着与衬底的平面正交的纵向轴线布置。
电子器件组件用于制造方法

[发明专利]高功率模块封装件结构-CN202310056915.3在审
发明人： 林承园;严柱阳;刘仁弼;全五燮 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及高功率模块封装件结构。实施例中公开的方法包括将第一直接接合金属(DBM)衬底设置成与第二DBM衬底基本上平行分开一定距离以封闭空间。该方法还包括：将至少一个半导体管芯设置在该空间中；以及在该半导体管芯和该第一DBM衬底之间没有中间间隔块的情况下，使用第一粘合剂层将该半导体管芯接合到该第一DBM衬底；以及在该半导体管芯和该第二DBM衬底之间没有中间间隔块的情况下，使用第二粘合剂将该半导体管芯接合到该第二DBM衬底。
功率模块封装结构

[发明专利]功率半导体器件模块中的杂散电感降低-CN202310071611.4在审
发明人：全五燮;林承园;R·保尔;J·蒂萨艾尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本公开涉及功率半导体器件模块中的杂散电感降低。在总体方面，模块可以包括其上实现有半导体电路的基板以及经由基板与半导体电路电耦合的负电源端子。负电源端子包括布置在第一平面中的连接片。该模块还包括经由基板与半导体电路电耦合的第一正电源端子和第二正电源端子。第一正电源端子与负电源端子横向部署并且包括布置在第一平面中的连接片。第二正电源端子与负电源端子横向部署并布置在第一平面中，使得负电源端子部署在第一正电源端子与第二正电源端子之间。
功率半导体器件模块中的电感降低

[发明专利]具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块-CN201810180876.7有效
发明人： 林承园;郑万教;李秉玉;孙焌瑞;全五燮 -专利权人：半导体组件工业公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本发明涉及具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块。在一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括与第二衬底操作地耦合的第一衬底。所述装置还可包括电源端子组件，所述电源端子组件包括沿着第一平面对准的第一电源端子，所述第一电源端子与所述第一衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括沿着第二平面对准的第二电源端子，所述第二电源端子与所述第二衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括电源端子框架，所述电源端子框架具有设置在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间的隔离部分，以及设置在所述第一电源端子的一部分周围并且设置在所述第二电源端子的一部分周围的保持部分。
具有减小电感封装半导体器件模块

[发明专利]半导体器件和半导体封装-CN202210646996.8在审
发明人：严柱阳;林承园;M·C·伊斯塔西欧;J·特耶塞耶雷;刘仁弼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件和半导体封装。半导体器件的实施方式可包括耦接在引线框上方的管芯、耦接在该管芯上方的重新分布层(RDL)、耦接在该RDL和该管芯之间的第一多个通孔，以及耦接在该引线框上方并且直接耦接到该引线框的第二多个通孔。该第二多个通孔可以与该半导体器件的外边缘相邻，并且可以与该管芯电隔离。
半导体器件半导体封装

[发明专利]浸没式直接冷却模块及相关方法-CN202210668868.3在审
发明人：全五燮;林承园;高英仙;J·蒂萨艾尔;M·J·塞登 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及浸没式直接冷却模块及相关方法。半导体封装的实施方式可包括一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯仅直接耦接到包括两条或更多条引线的直接引线框附接(DLA)引线框；以及涂层，该涂层覆盖该一个或多个半导体管芯和该DLA引线框，其中当该半导体封装耦接到浸没式冷却壳体中时，该涂层可与介电冷却剂接触，而该两条或更多条引线延伸出该浸没式冷却壳体。
浸没直接冷却模块相关方法

[发明专利]浸没式冷却封装件-CN202210685276.2在审
发明人： 林承园;全五燮;M·J·塞登 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开涉及浸没式冷却封装件。半导体封装件的实施方式可包括一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯嵌入在衬底中；至少三个销翅端子，该至少三个销翅端子耦接到该衬底；至少一个信号引线连接器和固定器部分，该至少一个信号引线连接器和该固定器部分耦接到该衬底；以及涂层，该涂层直接耦接到该衬底的在操作期间暴露于冷却剂的所有表面。该固定器部分可被配置为紧固到可包括该冷却剂的浸没式冷却壳体中的固定器。
浸没冷却封装

[实用新型]半导体器件封装件-CN202022539348.1有效
发明人： 林承园;全五燮 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：在一般方面，半导体器件封装件可包括衬底和设置在该衬底上并与该衬底耦接的半导体管芯。半导体器件封装件还可包括引线框，该引线框具有限定于该引线框中的凹部，凹部的至少一部分设置在半导体管芯上并经由导电粘合剂与半导体管芯耦接。
半导体器件封装

[发明专利]半导体器件组件与散热机构的集成-CN202110101094.1在审
发明人： 林承园;姜东旭;全五燮 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明题为“半导体器件组件与散热机构的集成”。在一般方面，电子设备组件可包括半导体器件组件，该半导体器件组件包括陶瓷衬底、设置在该陶瓷衬底的第一表面上的图案化金属层、以及设置在该图案化金属层上的半导体管芯。电子设备组件还可包括散热器具。陶瓷衬底的第二表面的陶瓷材料可直接接合到散热器具的表面。陶瓷衬底的第二表面可与陶瓷衬底的第一表面相反。
半导体器件组件散热机构集成

[实用新型]夹片和半导体封装件-CN202022183381.5有效
发明人：刘仁弼;林承园;J·严;J·蒂萨艾尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及夹片和半导体封装件。夹片的具体实施可包括直接键合到陶瓷层的第一侧的第一铜层、直接键合到陶瓷层的第二侧的第二铜层以及部分地蚀刻到第二铜层的厚度中的多个沟道，陶瓷层的第二侧与陶瓷层的第一侧相背对。
半导体封装

[发明专利]半导体器件封装件-CN202010893748.4在审
发明人： 林承园;李秉玉;全五燮 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件封装件。在一般方面，一种半导体器件可包括衬底和正电源端子，该正电源端子与该衬底电耦接，该正电源端子被布置在第一平面中。该器件还可包括第一负电源端子，该第一负电源端子从该正电源端子横向地设置并且布置在该第一平面中。该器件还可包括第二负电源端子，该第二负电源端子从该正电源端子横向地设置并且布置在该第一平面中。该正电源端子可设置在该第一负电源端子和该第二负电源端子之间。该器件还可包括导电夹，该导电夹经由导电桥将该第一负电源端子与该第二负电源端子电耦接。该导电桥的一部分可布置在第二平面中，该第二平面与该第一平面平行并且非共面。
半导体器件封装

[发明专利]用于功率模块的热传递-CN202010412781.0在审
发明人：刘仁弼;J·蒂萨艾尔;林承园;姜东旭 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明题为“用于功率模块的热传递”。在一个总体方面，装置可以包括衬底、与该衬底的第一表面耦接的半导体管芯以及设置在该衬底的第二表面上的金属层。第二表面可以与第一表面相对。该装置还可以包括与金属层耦接的多个金属翅片以及与金属层耦接的金属环。金属环可以包围多个金属翅片。
用于功率模块传递

[发明专利]功率模块封装件及其制造方法-CN201410542443.3有效
发明人：李根赫;全五燮;孙焌瑞;林承园 -专利权人：快捷韩国半导体有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块封装件，所述功率模块封装件包括：基板；至少一个布置在所述基板上的电极；以及覆盖所述基板的至少一部分的封装构件，所述封装构件包括容纳所述至少一个电极的壳体单元。所述至少一个电极与所述封装构件间隔开。
功率模块封装及其制造方法

[其他]半导体封装件及功率模块-CN201790000891.8有效
发明人： 林承园;全五燮;孙焌瑞;钟马尅;欧拉夫·兹施昌 -专利权人：快捷半导体公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及半导体封装件及功率模块。半导体封装件的实施方式可包括：第一基底，所述第一基底具有耦接在第一金属层与第二金属层之间的第一介电层；第二基底，所述第二基底具有耦接在第三金属层与第四金属层之间的第二介电层。第一管芯可与第一电间隔件耦接，所述第一电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接，并且第二管芯可与第二电间隔件耦接，所述第二电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接。
基底耦接间隔件半导体封装件功率模块介电层金属层第二金属层第一金属层第二管管芯申请

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