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[实用新型]一种双吸附通道插片式吸盘组件-CN202220686873.2有效
发明人： 林佳继;时祥;周欢;汪莹 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双吸附通道插片式吸盘组件,包括集气板、吸盘密封板、插槽底座、吸取组件，插槽底座用于吸取组件的安装，吸取组件由若干吸盘构成，集气板设有至少两组的型腔，吸盘设有若干通气组，一组型腔至少与一组通气组相通，分别形成对应的气体通道，集气板为吸取组件供气，吸取组件通过通气组吸取硅片，本实用新型在吸盘设有两组独立的气体通道，针对不同工艺要求可选择打开或连通其中任意气体通道或打开全部的气体通道，实现对硅片整片与半片两种不同加工工艺要求的兼容，无需再对不同工艺要求更换不同吸盘。
一种吸附通道插片式吸盘组件

[实用新型]一种吸盘-CN202220687300.1有效
发明人：时祥;林佳继;周欢;汪莹 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸盘,包括至少两组通气组，一组通气组包括一组通气轨迹，一组通气轨迹与供气的一组气路轨迹连通，通气组，通气组包括气道和至少一组吸附道，气道与吸附道连通，气体沿气道通入吸附道吸取或放松硅片，本实用新型在吸盘设有两组独立的气体通道，针对不同工艺要求可选择打开或连通其中任意气体通道或打开全部的气体通道，实现对硅片整片与半片两种不同加工工艺要求的兼容，无需再对不同工艺要求更换不同吸盘。
一种吸盘

[外观设计]真空腔体-CN202230388574.6有效
发明人：戴佳;朱鹤囡;董雪迪;张武;林佳继 -专利权人：拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： 13-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：真空腔体。2.本外观设计产品的用途：一种用于光伏设备领域的真空腔体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
空腔

[发明专利]沉积处理装置-CN202211108837.9在审
发明人： 林佳继;张武;刘群 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明属于膜层沉积技术领域，公开了一种沉积处理装置，沉积处理装置包括炉体，炉体内设有进气板和抽气板，抽气板与进气板相对设置，以能够使基体设置于二者之间；进气板和抽气板上具有均匀分布的第一气孔，进气板和抽气板上还具有第二气孔，第二气孔与第一气孔通过布气通道连通以能够使气体流通于第一气孔和第二气孔之间。通过在抽气板与进气板上均匀设置第一气孔，并将基体置在抽气板与进气板之间，使基体的反应区域被气体均匀覆盖，提高沉积膜层的均匀性。
沉积处理装置

[发明专利]一种非晶硅层、其制备方法、制备装置和用途-CN202210973541.7在审
发明人：范伟;梁笑;毛文龙;祁文杰;林佳继;卢佳 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅层、其制备方法、制备装置和用途，所述非晶硅层制备方法包括：将硅片放置于反应腔氧化处理后，抽取反应腔内气体后，采用至少两路进气方式向反应腔内通入硅源气体进行非晶硅生长，所述进气的位置分别沿硅片区域分散排布，制备得到所述的非晶硅层。本发明中硅源气体采用多路进气，并且进气位置分散至硅片放置区域，气流分散，避免局部区域浓度大造成“雾状”片的产生，具有方法简单、硅源气体利用率高和非晶硅层质量好等特点。
一种非晶硅层制备方法装置用途

[发明专利]太阳能电池本征层和掺杂层、制备方法、制备装置和太阳能电池-CN202211064762.9在审
发明人：董雪迪;林佳继;张武 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池本征层和掺杂层、制备方法、制备装置和太阳能电池，所述制备方法包括：在硅片的两侧表面采用热丝化学气相沉积法制备本征层；在硅片一侧的本征层上采用热丝化学气相沉积法制备p型掺杂非晶硅层，在硅片另一侧的本征层上采用热丝化学气相沉积法制备n型掺杂非晶硅层。本发明采用热丝化学气相沉积法制备本征层和掺杂层，实现快速沉积制备，膜层质量高。
太阳能电池掺杂制备方法装置

[实用新型]一种高温热炉-CN202221812139.2有效
发明人： 林佳继;庞爱锁;张武;郭永胜 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温热炉，该高温热炉包括炉体组件、加热炉丝和置物管，炉体组件的截面为方形，加热炉丝为单独控制的多组，多组加热炉丝沿炉体组件的长度方向间隔设置在炉体组件的内侧壁上，置物管设在炉体组件内。该高温热炉能够确保同一个硅片受热均匀，也能够确保位于高温热炉内不同位置的硅片的加热温度一致，从而较好地确保了硅片能够被均匀加热，提升了产品良率。
一种温热

[实用新型]一种线性ICP等离子体处理装置-CN202221891558.X有效
发明人： 林佳继;张武;刘群 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种线性ICP等离子体处理装置，包括腔室、进气单元、真空单元、加热单元、承载单元、等离子体源、供电单元和阻抗匹配单元；所述进气单元和真空单元分别设置于所述腔室的表面；所述加热单元设置于所述腔室的内部或外部；所述承载单元和等离子体源设置于所述腔室的内部；所述供电单元和阻抗匹配单元设置于所述腔室的外部；所述等离子体源包括嵌套组合的绝缘介质管和电感线圈；所述绝缘介质管的表面设置有进气孔和等离子体喷射孔；所述电感线圈的两端连接于供电单元和阻抗匹配单元。所述处理装置提升了等离子体的分布均匀性和处理面积，避免了绝缘介质管出现寄生沉积的现象，延长了使用寿命和维护周期，降低了处理成本。
一种线性 icp 等离子体处理装置

[实用新型]一种调节式热电偶及高温真空炉-CN202221947803.4有效
发明人： 林佳继;龙占勇;罗迎春;李洪 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本实用新型属于温度测量装置技术领域，具体公开了一种调节式热电偶，该调节式热电偶包括测温组件、固定座和锁紧组件，测温组件可滑动地穿设在固定座上，锁紧组件套设在测温组件上，且锁紧组件位于测温组件与固定座之间，当锁紧组件松开时，测温组件能够相对于固定座滑动，从而调整测温组件插入炉壳内部的深度，以使测温组件真实地反映炉壳内部被处理的元件的温度，测温准确，当锁紧组件锁紧时，测温组件的位置固定，固定效果良好。本实用新型还提供一种高温真空炉，包括上述的调节式热电偶，使得炉壳内部被处理的元件的温度测量准确。
一种调节热电偶高温真空炉

[发明专利]一种氢化非晶氧化硅膜、其制备方法和用途-CN202210885529.0在审
发明人：周雨;董雪迪;林佳继 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种氢化非晶氧化硅膜、其制备方法和用途，所述制备方法包括：以硅源、氧源和氢气作为气源，热丝化学气相沉积法在硅片表面反应沉积得到所述的氢化非晶氧化硅膜。本发明采用热丝化学气相沉积法制备氢化非晶氧化硅膜，相比于PECVD法具有更高的沉积速率，并且减少膜层表面损伤，有效提高了膜层质量，具有更高的钝化效果。
一种氢化氧化制备方法用途

[发明专利]一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途-CN202210886651.X在审
发明人：周雨;董雪迪;张武;林佳继 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：以正硅酸乙酯和磷烷作为反应气源，在反应腔内采用热丝化学气相沉积法在硅片的表面沉积得到磷掺杂非晶硅膜；抽除反应腔内的气体，并通入保护气，调节热丝化学气相沉积法中热丝距离对所述的磷掺杂非晶硅膜进行加热退火，加热退火后制备得到所述的磷掺杂多晶硅膜。本发明以磷烷和正硅酸乙酯作为原料，采用利用热丝化学气相沉积法制备磷掺杂多晶硅膜，通过热丝距离调节，实现催化沉积和退火加热激活，大大缩短了制备时间，且避免了大气对磷掺杂非晶硅膜的污染。
一种掺杂多晶制备方法用途

[发明专利]一种太阳能电池钝化结构、其制备方法、制备装置和用途-CN202210887050.0在审
发明人：周雨;董雪迪;林佳继;张武 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池钝化结构、其制备方法、制备装置和用途，所述制备方法包括：采用热丝化学气相沉积法在硅片的表面依次制备氧化硅层、磷掺杂多晶硅层和氮化硅层。本发明均采用热丝化学气相沉积法制备氧化硅层、磷掺杂多晶硅层和氮化硅层，采用同一种工艺制备能够在不破除真空的条件下，避免对硅片和膜层造成损伤，保证钝化效果而且能够有效缩短工艺时间。
一种太阳能电池钝化结构制备方法装置用途

[发明专利]一种太阳能电池用氧化硅膜及其制备方法与用途-CN202210849755.3在审
发明人：周雨;董雪迪;林佳继 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池用氧化硅膜及其制备方法与用途。所述制备方法包括以下步骤：以正硅酸乙酯和氮气为气源，以热丝化学气相沉积法在待镀膜硅片表面反应沉积得到氧化硅膜。本发明以正硅酸乙酯(TEOS)和氮气作为气源，成本低，同时采用热丝化学气相沉积法，安全高效地实现了氧化硅膜的低温沉积，得到了薄膜质量更高、性能更加优越且膜厚可控的氧化硅薄膜。
一种太阳能电池氧化及其制备方法用途

[实用新型]一种串间距贴膜系统-CN202122804844.X有效
发明人： 林佳继;张立 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B65B33/02 文献下载
摘要：本实用新型为一种串间距贴膜系统，包括过渡输送线、串间距贴膜装置以及自动出料装置；串间距贴膜装置设置于过渡输送线与自动出料装置之间；过渡输送线用于将待加工产品输送至串间距贴膜装置；串间距贴膜装置用于对待加工产品的串间距贴膜；自动出料装置用于将完成加工的产品摆放至设定位置；通过设置过渡输送线、串间距贴膜装置以及自动出料装置，完成产品的自动输送、贴膜以及存放，相比人工更为高效。
一种间距系统

[发明专利]一种衬底处理装置-CN202210920807.1在审
发明人：罗迎春;林佳继;龙占勇;李洪 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： F27D15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底处理装置，该衬底处理装置包括冷却室本体、升降模组、旋转模组和第一门体，冷却室本体限定出运输通道以及环绕运输通道设置的冷却腔，运输通道具有第一出入口和第二出入口，第一出入口用于进出衬底，第二出入口与热炉的进料口对接，运输通道内设有用于承载衬底的舟架。升降模组包括升降驱动源和升降支架，升降支架的外侧壁止抵在运输通道的内侧壁上，旋转模组设在升降支架上且用于驱动舟架转动，第一门体配合在第一出入口处。该衬底处理装置能够快速地实现衬底冷却，并且在冷却衬底的同时热炉的炉体不会被冷却，使得热炉在继续生产时无需重新加热炉体，提升热炉的生产效率。
一种衬底处理装置