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[发明专利]半导体存储器装置-CN202310576275.9在审
发明人：福住嘉晃;青地英明;松尾美惠;吉井谦一郎;进藤浩一郎;河崎一茂;佐贯朋也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本文中描述的实施例大体上涉及一种半导体存储器装置。根据一个实施例，阵列芯片包含三维安置的多个存储器单元和连接到所述存储器单元的存储器侧互连层。所述电路芯片包含衬底、设置在所述衬底上的控制电路，以及设置在所述控制电路上并连接到所述控制电路的电路侧互连层。所述电路芯片粘贴到所述阵列芯片，其中所述电路侧互连层面向所述存储器侧互连层。所述接合金属设置在所述存储器侧互连层与所述电路侧互连层之间。所述接合金属接合到所述存储器侧互连层和所述电路侧互连层。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体装置-CN201910880521.3有效
发明人：冈田史朗;松尾美惠;山下浩;锅屋信介;片冈宪一 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一基板，具有多个第一贯通孔；多个第一电极，在第一基板上分别与多个第一贯通孔邻接地设置；多个第二电极，在第一基板上分别与第一贯通孔邻接且分别与第一电极对置地设置；以及第二基板，与第一基板对置地设置，具有分别与多个第一贯通孔对置的多个第二贯通孔，至少在与第一基板对置的对置面上具有导电性，且与第二电极电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202111009849.1在审
发明人：佐贯朋也;李旭;三浦正幸;宫崎隆行;藤泽俊雄;中井弘人;向田秀子;松尾美惠 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：实施方式提供能够对功耗和发热量进行抑制的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备塑料封装，所述塑料封装包括：电感器；第1存储芯片，其包括升压电路，所述升压电路利用所述电感器来从第1电压升压为第2电压；以及第2存储芯片，其具有被从所述第1存储芯片供给所述第2电压的端子。
半导体存储装置

[发明专利]阳极化成装置及阳极化成方法-CN202110811116.3在审
发明人： 松尾美惠 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C25D11/00 文献下载
摘要：实施方式主要涉及阳极化成装置及阳极化成方法。根据实施方式，阳极化成装置包括：第一处理槽(10)，能够进行基板的阳极化成处理；支架(11)，能够保持基板；以及第一电解液供给系统(13)，能够向第一处理槽(10)供给第一电解液。支架(11)在基板(110)相对于第一电解液的液面倾斜的状态下，使基板浸渍于第一电解液。在基板相对于第一电解液的液面倾斜的状态下执行阳极化成处理。
阳极化成装置方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法-CN202110087368.6在审
发明人：林秀和;松尾美惠 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括：在第1衬底上形成第1半导体层，所述第1半导体层包含第1浓度的杂质原子；在所述第1半导体层上形成第2半导体层，所述第2半导体层包含比所述第1浓度高的第2浓度的杂质原子；以及形成多孔层，所述多孔层是所述第2半导体层的至少一部分经多孔化而成的。所述方法还包括：在所述多孔层上形成第1膜，所述第1膜包含第1元件；准备第2衬底，所述第2衬底上设置着包含第2元件的第2膜；以及将所述第1衬底和所述第2衬底以隔着所述第1膜及所述第2膜的方式贴合。所述方法还包括：以在所述第1衬底上残存所述多孔层的第1部分，在所述第2衬底上残存所述多孔层的第2部分的方式，分离所述第1衬底和所述第2衬底。
半导体装置制造方法衬底再利用

[发明专利]存储系统-CN202110170851.0在审
发明人：佐贯朋也;飨场悠太;田中瞳;三浦正幸;松尾美惠;藤泽俊雄;前田高志 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种在极低温下能够稳定且低成本地进行动作的存储系统。实施方式的存储系统具备：存储器；第1衬底，供安装所述存储器，且设定为‑40℃以下；控制器，对所述存储器进行控制；及第2衬底，供安装所述控制器，设定为‑40℃以上的温度，且经由信号传输线缆与所述第1衬底进行信号收发。
存储系统

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202010699742.3在审
发明人： 松尾美惠;宫岛秀史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实施方式的半导体装置的制造方法，是将具有第1弹性模量的第1衬底接合于第2衬底上，所述第2衬底上具有比第1弹性模量高的第2弹性模量。在第1衬底上形成第1半导体元件。从第2衬底剥离第1衬底。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201910554459.9在审
发明人： 松尾美惠 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。根据一实施方式，在第1衬底的除外周部以外的区域形成第1剥离层，在第1剥离层的上方形成第1半导体电路，在第2衬底上形成第2半导体电路，在第2衬底的外周部以特定的宽度形成第2剥离层，将第1衬底的形成有第1半导体电路的侧的面与第2衬底的形成有第2半导体电路的侧的面接合，对第1剥离层与第2剥离层施加拉伸应力而使第1剥离层与第2剥离层分裂，形成具备第1半导体电路及第2半导体电路的第2衬底。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN201910786022.8在审
发明人：福住嘉晃;青地英明;松尾美惠;吉井谦一郎;进藤浩一郎;河崎一茂;佐贯朋也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本文中描述的实施例大体上涉及一种半导体存储器装置。根据一个实施例，阵列芯片包含三维安置的多个存储器单元和连接到所述存储器单元的存储器侧互连层。所述电路芯片包含衬底、设置在所述衬底上的控制电路，以及设置在所述控制电路上并连接到所述控制电路的电路侧互连层。所述电路芯片粘贴到所述阵列芯片，其中所述电路侧互连层面向所述存储器侧互连层。所述接合金属设置在所述存储器侧互连层与所述电路侧互连层之间。所述接合金属接合到所述存储器侧互连层和所述电路侧互连层。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201510854341.X在审
发明人：森健太郎;铃木健之;松尾美惠;关口正博;加贺广持 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种抑制了缺陷产生的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：基板，具有第1面及与所述第1面为相反侧的第2面；绝缘层，设置在所述基板的所述第2面上；第1金属层，设置在所述绝缘层上；半导体发光部，设置在所述第1金属层上，且包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层，且所述第2半导体层电连接在所述第1金属层；以及第1电极层。所述第1电极层设置在所述基板的所述第1面，并且一部分与所述基板及所述绝缘层接触，且电连接在所述第1金属层。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]发光装置及发光装置的制造方法-CN201510093019.X在审
发明人： 松尾美惠 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能提高良率的发光装置及发光装置的制造方法。本实施方式的发光装置具备框架。发光装置具备发光元件，该发光元件搭载在所述框架上，且具有：衬底，配置在所述框架上；发光层，设置在所述衬底的上方；第一反射层，设置在所述衬底的下表面；第二反射层，设置在所述衬底的侧面；以及电极。发光装置具备键合线，该键合线的一端与电极连接，另一端与框架连接。
发光装置制造方法

[发明专利]半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法-CN201010213275.5有效
发明人： 松尾美惠;萩原健一郎;小松公 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法。半导体器件具备：半导体基板，在第1面上形成半导体元件；布线图形，形成于上述半导体基板的与上述第1面相反侧的第2面侧，至少在一部分包含接地线；贯通电极，从上述第1面到上述第2面贯通上述半导体基板，电连接上述半导体元件和上述布线图形；以及金属膜，形成于上述半导体基板的上述第2面与上述布线图形所延伸存在的面之间，与上述接地线电连接。
半导体器件摄像机模块制造方法

[发明专利]背照式固态图像拾取器件及使用该器件的相机模块-CN200810128299.3有效
发明人： 松尾美惠;幸山裕亮 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了背照式固态图像拾取器件及使用该器件的相机模块，其包括在半导体衬底上提供并且其中布置有每一个均具有光电转换元件和场效应晶体管的多个像素的图像拾取像素区段，和用于该图像拾取像素区段的外围电路区段。驱动图像拾取像素区段中的场效应晶体管的互连层在半导体衬底的第一表面侧形成。光电转换元件的光接收表面位于半导体衬底的第二表面侧。该固态图像拾取器件包括从半导体衬底的第二表面侧暴露的第一端子，和电连接到第一端子并且可连接到半导体衬底第一表面侧的外部器件的第二端子。
背照式固态图像拾取器件使用相机模块

[发明专利]接合方法和接合装置-CN200610007336.6无效
发明人：金子尚史;松尾美惠;江泽弘和 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，公开了一种接合方法，包括以下步骤：在第一主体上设置第二主体，其中在所述第一主体与所述第二主体之间插入凸起；以及通过使加热元件在所述第一主体与所述第二主体之间通过，以通过所述加热元件熔化所述凸起，利用所述凸起电和机械地接合所述第一主体和所述第二主体，其中所述加热元件被加热到构成所述凸起的材料的熔点或熔点之上。
接合方法装置

[发明专利]具有执行器的半导体装置-CN200510119434.4无效
发明人：大黑达也;池桥民雄;松尾美惠;关根秀一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-11-11 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：提供一种具有执行器的半导体装置，其中具有半导体基板；在上述半导体基板的上方设置空间进行配置，具有下部电极及上部电极和夹在这些下部电极及上部电极之间的压电体层，在上述下部电极、上述上部电极及上述压电体层之中至少上述压电体层的整个表面大致是平坦的执行器。
具有执行半导体装置

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