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[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件和其制造方法-CN202310884261.3在审
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;黄贤国 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件和其制造方法，在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体器件在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述半导体器件的源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体上方，可以避免所述第一导体和第二导体断开位置处的电场出现跌落的现象，从而改善了所述半导体器件的耐压性能。
横向扩散金属氧化物半导体器件制造方法

[发明专利]双向开关器件、其终端结构及电子设备-CN202210789388.2在审
发明人：陈楠;杜益成;殷鹏飞;王猛;张凯;朱浩;周熹;何云娇 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种、双向开关器件、其终端结构及电子设备，终端结构包括场板，所述场板的端部延伸至第一耐压区与第二耐压区的边缘以外，以使所述场板的垂直投影将所述第一耐压区、所述阱区和所述第二耐压区所构成的寄生三极管的基区分割；所述场板的电压随两侧开关管的栅极电压发生变化，从而能够缓解寄生三极管的漏电现象。
双向开关器件终端结构电子设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810538418.6有效
发明人：王猛;杜益成;喻慧 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：在第一掺杂类型的衬底中形成具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第一阱区，第一阱区围绕衬底的第一区域；在第一区域中形成具有第二掺杂类型的源区与漏区；以及在衬底中形成具有第二掺杂类型的埋层，埋层位于第一区域的下方，与第一阱区相连；其中，埋层与第一阱区共同包围第一区域。该半导体器件及其制造方法的有益效果是，可以省去制作结深较大的阱区的步骤，实现了LDMOS工艺与CMOS等其他工艺结合的目的，还可以同时提升器件的击穿电压BV和导通电阻Rdson的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电极结构、半导体结构和电极结构的制造方法-CN201910752870.7有效
发明人： 杜益成;王猛;喻慧 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种电极结构，半导体结构以及电极结构的制造方法，所述电极结构包括半导体基底；由所述半导体基底上表面延伸至所述半导体基底内部的沟槽；由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的接触区,以及填充在沟槽内部的填充材料，其中，所述接触区与所述沟槽外侧壁相接触。本发明的电极结构用于吸收半导体中电子/空穴，以防止半导体中的寄生结构导通。另外，所述电极结构的面积较小，降低了制造成本。
电极结构半导体制造方法

[发明专利]半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法-CN201910753221.9有效
发明人： 杜益成;王猛;喻慧 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法，其中，所述半导体结构的隔离部件可以阻挡大部分的所述第一区域的第一载流子流到所述第二区域中，以及阻挡大部分第二区域中的第二载流子流到所述第一区域中，因此所述第一区域和第二区域中可以不设置的P型隔离环和N型隔离环，从而可以有效的减小所述隔离区域的面积，从而降低了整个所述半导体结构的面积。
半导体结构驱动芯片制造方法

[发明专利]一种半导体晶片-CN201910043629.7有效
发明人：邱建平;杜益成;王猛 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶片，在所述半导体晶片中，由于在第二晶体管和第三晶体管以及在第一晶体管和第四晶体管之间设置隔离结构，有效的阻止了晶体管之间寄生的晶闸管的开启，从而提高了芯片的可靠性。进一步地，由于隔离结构沿所述第一方向的长度小于所述第一侧的两个晶体管在排列方向的总宽度，使得所述分隔区中除隔离结构所占区域之外的剩余区域用于制作功率器件，这样可以将各个功率器件的面积可以做得更大，有利于节约半导体晶片的整体面积。
一种半导体晶片

[发明专利]半导体结构和驱动芯片-CN201810940876.2有效
发明人： 杜益成;王猛;喻慧 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构和驱动芯片，在所述的半导体结构中，由于隔离区域中除了设置所述第一隔离环和第二环，以分别吸收所述第一载流子和第二载流子，还设置了用于阻挡所述第一载流子和第二载流子的横向流动，以增加所述第一载流子和第二载流子在所述半导体衬底中的流动路径的横向阻挡部件，因而，可以将所述第一隔离环和第二隔离环的面积设置得比较小，有效的减小了所述驱动芯片的整体面积。
半导体结构驱动芯片

[发明专利]半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法-CN201810943003.7在审
发明人： 杜益成;王猛;喻慧 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法，其中，所述半导体结构的隔离部件可以阻挡大部分的所述第一区域的第一载流子流到所述第二区域中，以及阻挡大部分第二区域中的第二载流子流到所述第一区域中，因此所述第一区域和第二区域中可以不设置的P型隔离环和N型隔离环，从而可以有效的减小所述隔离区域的面积，从而降低了整个所述半导体结构的面积。
半导体结构第二区域第一区域驱动芯片载流子流阻挡隔离部件隔离区域隔离环减小制造

[发明专利]一种半导体晶片-CN201810945125.X在审
发明人：邱建平;杜益成;王猛 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶片，在所述半导体晶片中，由于隔离结构沿所述半导体衬底宽度方向的宽度小于第二区域的宽度，使得所述第二区域中除隔离结构所占区域之外的剩余区域的用于制作功率器件，这样在所述第一区域、第二区域和第三区域这三个区域的面积和相同的情况下，各个功率器件的面积可以做得更大，有利于节约半导体晶片的整体面积。
半导体晶片第二区域隔离结构功率器件半导体衬底宽度方向第一区域剩余区域面积和节约制作

[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体器件-CN201820798923.X有效
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;黄贤国 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件，在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体器件在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述半导体器件的源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体上方，可以避免所述第一导体和第二导体断开位置处的电场出现跌落的现象，从而改善了所述半导体器件的耐压性能。
导体横向扩散金属氧化物半导体器件半导体器件介质层耐压层本实用新型电位导体空间断开位置关断状态击穿电压耐压性能电场导体层源电极源极区跌落隔离延伸

[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体结构-CN201820799039.8有效
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;黄贤国 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种横向扩散金属氧化物半导体结构，其中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体结构在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述第一介质层和耐压层的交界处被所述第一导体和第二导体中的一个覆盖，可以有效的降低所述半导体结构的栅极电荷，使得所述半导体结构适应于高频应用。
导体半导体结构介质层耐压层横向扩散金属氧化物半导体结构电位本实用新型导体空间高频应用关断状态击穿电压栅极电荷导体层交界处隔离覆盖

[实用新型]一种半导体器件-CN201820797777.9有效
发明人：游步东;王猛;喻慧;杜益成;彭川 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，所述半导体器件为横向扩散金属氧化物半导体器件，其主要包括：基层，位于所述基层中且具有第一掺杂类型的漂移区，位于所述基层中且具有第二掺杂类型的体区，所述漂移区与所述体区具有预定的位置关系，使得所述漂移区阻碍所述体区向所述漂移区方向的横向扩散。因此，漂移区既用作耐压区，又作为阻碍体区横向扩散的扩散抑制区，可有效的减小所述半导体器件的沟道长度，实现短沟道半导体器件。
半导体器件漂移区体区掺杂类型横向扩散横向扩散金属氧化物半导体器件本实用新型基层扩散抑制短沟道耐压区阻碍体沟道减小阻碍

[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体器件-CN201820798921.0有效
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;宋洵奕 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型一种横向扩散金属氧化物半导体器件，所述横向扩散金属氧化物半导体器通过在漂移区下方形成设置与漂移区掺杂类型相反的减小表面场效应层来辅助耗尽漂移区，以提高半导体器件的耐压性能，且还使得所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距设置得大于零，从而可以确保所述减小表面场效应层和漂移区之间具有一定的电子流经路径，以降低半导体器件的导通电阻。因此，依据本实用新型提供的横向扩散金属氧化物半导体器件的耐压性能和导通电阻性能均能得到最优化。
漂移区横向扩散金属氧化物半导体器件表面场效应减小半导体器件本实用新型导通电阻耐压性能横向扩散金属氧化物半导体掺杂类型间距设置最优化耗尽

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201810545876.2在审
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;宋洵奕 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器通过在漂移区下方形成设置与漂移区掺杂类型相反的减小表面场效应层来辅助耗尽漂移区，以提高半导体器件的耐压性能，且还使得所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距设置得大于零，从而可以确保所述减小表面场效应层和漂移区之间具有一定的电子流经路径，以降低半导体器件的导通电阻。因此，依据本发明提供的横向扩散金属氧化物半导体器件的耐压性能和导通电阻性能均能得到最优化。
漂移区横向扩散金属氧化物半导体器件表面场效应减小半导体器件导通电阻耐压性能横向扩散金属氧化物半导体掺杂类型间距设置最优化耗尽制造

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体结构和其形成方法-CN201810514863.9在审
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;黄贤国 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体结构和其形成方法，其中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体结构在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述第一介质层和耐压层的交界处被所述第一导体和第二导体中的一个覆盖，可以有效的降低所述半导体结构的栅极电荷，使得所述半导体结构适应于高频应用。
导体半导体结构介质层耐压层横向扩散金属氧化物半导体结构电位导体空间高频应用关断状态击穿电压栅极电荷导体层交界处隔离覆盖

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