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- [发明专利]电吸收调制激光器芯片及其制作方法-CN202310780751.9在审
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李鸿建;陈云飞
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武汉云岭光电股份有限公司
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2023-06-29
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2023-10-13
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H01S5/065
- 本发明涉及一种电吸收调制激光器芯片，包括集成的DFB激光器、EAM电吸收调制器以及SOA光放大器，所述DFB激光器的电极和所述SOA光放大器的电极通过可调阻值的电极连接件连接。还提供一种电吸收调制激光器芯片的制作方法。本发明使用电极连接件将SOA与DFB器件连接，实现单源表测试DFB激光器及SOA光放大器性能，同样在封装工作时可减少驱动数量，使DFB激光器和SOA光放大器在单电流源的情况下进行出光选模及光放大，提高出光功率并减小啁啾，增加传输距离，由于金属电极的金属良好的散热性能，也增加了DFB激光器和SOA光放大器的散热面积，此外，由于采用可调阻值的电极连接件，使DFB激光器和SOA光放大器在单电流驱动下更合理的分配电流，实现均衡的光功率输出。
- 吸收调制激光器芯片及其制作方法
- [发明专利]半导体激光器结构及其制备方法-CN202211057956.6有效
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郭娟;李鸿建
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武汉云岭光电股份有限公司
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2022-08-31
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2023-09-19
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H01S5/22
- 本发明涉及一种半导体激光器结构的制备方法，包括S1，生长一次外延结构；S2，在一次外延结构上二次外延制作光栅；S3，接着在光栅层上生长第一掩膜层，并制作脊波导，脊波导的中间脊宽大于两端脊宽；S4，再利用光刻保护脊波导的两端，腐蚀中间区域至一次外延结构的衬底，形成两个膨大腔室；S5，去掉第一掩膜层，并重新生长第二掩膜层，第二掩膜层覆盖剩下的脊波导和两个膨大腔室的表面；S6，涂BCB或者聚酰亚胺，进行曝光和显影，使BCB仅填充于两个膨大腔室中；S7，重新生长第三掩膜层，使其包裹BCB和脊波导；S8，得到半导体激光器。提供一种半导体激光器结构。本发明可实现低阈值和高效率注入，同时降低器件电容；可有效提高解理良率，改善腔面脏污。
- 半导体激光器结构及其制备方法
- [发明专利]脊波导半导体激光器及其制备方法-CN202211060039.3有效
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李鸿建;郭娟
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武汉云岭光电有限公司
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2022-09-01
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2023-01-20
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H01S5/024
- 本发明涉及一种脊波导半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，在衬底上生长缓冲层，并于缓冲层上生长量子阱；S2，在量子阱的一相对侧分别对接生长第一InP层，第一InP层生长的高度与量子阱的高度一致；S3，继续在量子阱和第一InP层上依次生长覆盖层和接触层，并在量子阱所在的区域制作脊波导，两第一InP层包裹脊波导；S4，接着完成后续生长制作工艺后得到激光器。还提供一种脊波导半导体激光器。本发明在激光器量子阱的两侧对接生长InP，利用InP高热导率散热，解决器件工作时结温高的问题；同时两侧对接生长的InP增加了激光器的腔长，同时将脊波导包裹起来，在生产制备中易解理，不会出现解理腔面损伤，可显著提高激光器的良率，降低生产成本。
- 波导半导体激光器及其制备方法
- [发明专利]半导体激光器及其制作方法-CN202210315573.8有效
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李鸿建;龙浩;郭娟
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武汉云岭光电有限公司
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2022-03-29
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2022-08-09
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H01S5/12
- 本发明涉及一种半导体激光器，包括衬底，衬底上依次外延生长有缓冲层、有源层以及InP层，还包括光栅层，光栅层的制作具体为于InP层向有源层的方向刻蚀形成光栅，并在经过刻蚀后的InP层上进行光栅掩埋得到光栅层；在进行光栅掩埋前通入惰性气体；光栅层中的高折射率材料和进行光栅掩埋的材料相同，惰性气体作为光栅层中的低折射率材料。还提供一种制作方法。本发明的光栅层设计中以惰性气体作为低折射率材料，使得光栅层材料折射率差为传统设计的10倍及其以上，极大地提高光栅耦合系数，进而提高激光器的耦合效率和功率效率。光栅层设计材料相同，相较于传统的InGaAsP/InP两种材料，相同的材料设计，易于外延生长，有助于提高界面处光栅层外延生长质量。
- 半导体激光器及其制作方法
- [发明专利]一种自生成脊型波导的激光器制作方法-CN202111415222.6在审
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李鸿建;郭娟
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武汉云岭光电有限公司
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2021-11-25
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2022-04-26
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H01S5/22
- 本发明涉及一种自生成脊型波导的激光器制作方法，包括如下步骤：S1，生长外延结构，并于外延结构的正上方覆盖掩膜层；S2，刻蚀部分掩膜层至露出外延结构；S3，于掩膜层上生长第一InP层，外延结构上无掩膜层遮挡的区域的第一InP层的生长速率快；S4，在第一InP层上生长接触层；S5，去掉掩膜层，进行电极制作，并进行减薄、解理、测试，以完成制作。本发明利用宽的介质掩膜，进行小面积外延生长，使得无掩膜区域InP盖层的材料生长速率快，缩短了外延生长时间，节省了时间和物料成本；选择区域生长InP盖层和接触层，自生成脊型波导，省去了脊型波导和接触条的制作，简化了激光器的工艺流程，而且该选择区域外延生长方法，重复性好，易于实现产业化量产。
- 一种生成波导激光器制作方法
- [发明专利]一种掩埋异质结的制备方法-CN202110451693.6有效
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李鸿建;郭娟
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武汉云岭光电有限公司
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2021-04-26
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2021-11-05
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H01S5/183
- 本发明涉及一种掩埋异质结的制备方法，包括：S1，在外延层表面制作光栅层；S2，再于光栅层上生长InP盖层，以将光栅层表面的凹槽填平，得到平整的表面；S3，接着于InP盖层上生长牺牲层及非晶态半导体材料层，以得到过渡结构；S4，继续在过渡结构上生长SiO2/SiNx掩膜层，然后对过渡结构进行刻蚀形成台状结构；S5，待台状结构形成完毕后，去掉SiO2/SiNx掩膜层，以非晶态半导体材料层作为当前的掩膜层继续在台状结构上依次生长P‑InP层和N‑InP层。本发明通过在限制层生长前去掉SiO2/SiNx掩膜层，从而去掉屋檐结构，采用非晶态半导体材料层为自对准掩膜，进行MOCVD电流限制层生长，这些非晶态的外延层容易去掉，实现了自对准非晶态半导体材料做掩膜的功能，避免了常规技术中的屋檐结构。
- 一种掩埋异质结制备方法
- [发明专利]波导探测器及其制备方法-CN202011362446.0在审
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李鸿建;张翼菲
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武汉云岭光电有限公司
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2020-11-27
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2021-03-19
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G01D5/26
- 本发明涉及波导探测器技术领域，提供了一种波导探测器，包括衬底，于所述衬底上依次设有波导层和吸收层，所述波导层沿光传播的方向延伸；所述波导层的光入射端处设有用于将光聚集到所述波导层中的聚焦结构。还提供一种波导探测器的制备方法，包括如下步骤：S1，在衬底上依次制作波导层和吸收层，其中波导层沿着光传播的方向延伸；S2，制作完成后在波导层的光入射端处安置聚焦结构，所述聚焦结构能够将入射来的光聚集然后送至波导层中，进而使得光的耦合效率得到提高。本发明在波导层的光入射端处设聚焦结构，使得光的耦合效率得到极大的提高，吸收层沿入射光的渐扩结构解决了现有技术中前强后弱的情况，同时也避免了波导层前端的光电流过大饱和。
- 波导探测器及其制备方法
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