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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN201780014454.6有效
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

[发明专利]使用催化沉积的间隙填充方法-CN202180013702.1在审
发明人：尹炳勋;吴立其;李靖珠;吴凯;岑羲;雷伟;柳尚澔;赛沙德利·甘古利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：讨论了沉积金属膜的方法。金属膜形成在具有金属底部及电介质侧壁的特征的底部上。金属膜的形成包含：在将基板维持在沉积温度下的同时，暴露于金属前驱物及烷基卤化物催化剂。所述金属前驱物具有高于沉积温度的分解温度。所述烷基卤化物包含碳及卤素，且所述卤素包含溴或碘。
使用催化沉积间隙填充方法

[发明专利]选择性氧化和简化预清洁-CN202180011894.2在审
发明人：贝纳切克·梅巴克;李靖珠;徐翼;雷雨;唐先敏;凯尔文·陈;亚历山大·詹森;菲利普·A·克劳斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：讨论了用于选择性地氧化包含介电表面和金属表面的基板表面的介电表面的方法。还讨论了清洁包含介电表面和金属表面的基板表面的方法。所公开的方法使用由氢气和氧气产生的等离子体来氧化的介电表面和/或清洁基板表面。所公开的方法可在单个步骤中执行，而无需使用单独的竞争性氧化和还原反应。所公开的方法可在恒定温度下和/或在单个处理腔室内执行。
选择性氧化简化清洁

[发明专利]使用脉冲偏压的悬垂部减少-CN202180012155.5在审
发明人：贝纳切克·梅巴克;科马尔·S·加德;基索尔·卡拉提帕拉比尔;李靖珠;唐先敏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式涉及通过减少沉积膜的悬垂部来扩大基板特征结构的开口宽度的方法。本公开内容的一些实施方式利用高能量偏压脉冲来蚀刻基板特征结构的开口附近的沉积膜。本公开内容的一些实施方式在不损坏下面的基板的情况下蚀刻沉积膜。
使用脉冲偏压悬垂减少

[发明专利]用于半动态自下而上回流的方法及设备-CN202180008728.7在审
发明人：仲兰兰;希里什语·A·佩特;张富宏;李靖珠;基索尔·卡拉提帕拉比尔;谢祥金;唐先敏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种填充基板上的结构的方法使用半动态回流工艺。该方法可包括：在第一温度下在该基板上沉积金属材料，将该基板加热至高于该第一温度的第二温度，其中该基板的加热引发在该基板上沉积的该金属材料的静态回流，停止该基板的加热，及在该基板上沉积额外金属材料，引发该基板上沉积的该额外金属材料的动态回流。在动态回流期间可施加RF偏压功率，以助于维持基板的温度。
用于动态自下而上回流方法设备

[发明专利]用于物理气相沉积腔室的双极准直器-CN201910054159.4有效
发明人： 李靖珠;刘国俊;王伟;普拉沙斯·科斯努 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。
用于物理沉积双极准直器

[发明专利]用于预清洁导电互连结构的方法-CN201680057628.2有效
发明人：谢祥金;刘风全;大平·姚;亚历山大·詹森;李靖珠;阿道夫·米勒·艾伦;唐先民;张镁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C23G5/04 文献下载
摘要：本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。
用于清洁导电互连结构方法

[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN202011362647.0在审
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

[发明专利]用于改良的金属离子过滤的方法和设备-CN202010445713.4在审
发明人：唐先民;李靖珠;刘国俊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方，和第二组磁体，所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方，所述两组磁体一起产生导引磁场，所述导引磁场大体上垂直于准直器。
用于改良金属离子过滤方法设备

[发明专利]用于改良的金属离子过滤的方法和设备-CN201580027248.X有效
发明人：唐先民;李靖珠;刘国俊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方，和第二组磁体，所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方，所述两组磁体一起产生导引磁场，所述导引磁场大体上垂直于准直器。
用于改良金属离子过滤方法设备

[发明专利]用钴填充基板特征的方法与设备-CN201880061451.2在审
发明人：侯文婷;雷建新;李靖珠;陶荣 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：于此提供了用于用钴填充特征的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的方法包括：经由化学气相沉积(CVD)工艺在基板的顶上和设置在基板中的特征内沉积第一钴层；及通过在具有钴靶材的物理气相沉积(PVD)腔室中执行等离子体处理以将第一钴层的一部分回流到特征中而至少部分地用钴或含钴材料填充特征。PVD腔室可被构造成从设置在PVD腔室中的钴靶材同步地沉积钴或含钴材料在特征内。
填充特征方法设备

[发明专利]用于物理气相沉积腔室的双极准直器-CN201480050843.0有效
发明人： 李靖珠;刘国俊;王伟;普拉沙斯·科斯努 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。
用于物理沉积双极准直器

[发明专利]反射沉积环和包括反射沉积环的基板处理室-CN201380044008.1有效
发明人：阿纳塔·K·苏比玛尼;约瑟夫·M·拉内什;袁晓雄;阿希什·戈埃尔;李靖珠 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本文提供用于改良横越基板的温度均匀性的设备。在某些实施方式中，一种沉积环，用于使用在基板处理系统中来处理基板，该沉积环可包括环状主体，该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，该中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于基板支座之上，该基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板，且其中该开口的尺寸经过设计，以暴露该支撑表面的主要部分；并且其中该第一表面包括至少一个反射部，该至少一个反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的中心轴，其中该至少一个反射部具有表面积是该第一表面的总表面积的大约百分之五至大约百分之五十。
反射沉积包括处理

[发明专利]形成互连结构的方法-CN201180032673.X有效
发明人： 李靖珠;邓贤明;龚则敬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种形成互连结构的方法。在一些实施例中，在衬底上形成互连结构的方法可包括：通过第一沉积工艺而在衬底的顶表面上和在特征结构的一或多个表面上沉积材料，所述特征结构设置于衬底中，所述第一沉积工艺以在所述顶表面上较快的速率而在所述特征结构的底表面上较慢的速率而沉积所述材料；通过第二沉积工艺而在衬底的顶表面上和在所述特征结构的一或多个表面上沉积材料，所述第二沉积工艺以在所述特征结构的底表面上较快的速率而在所述衬底的顶表面上较慢的速率而沉积所述材料；以及加热所沉积的材料以朝向特征结构的底表面吸引所沉积的材料，而使所沉积的材料至少部分地填充特征结构。
形成互连结构方法

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