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[发明专利]半导体器件-CN201710637227.0有效
发明人：米克罗·坎托罗;李允逸;李炯锡;许然喆;金竝基;吕昌旼;尹承燦;李东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910782648.1在审
发明人：宋炫升;李斗铉;李允逸;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源鳍；栅结构，在第二方向上延伸以与有源鳍相交；有源鳍上的源/漏区；源/漏区上的金属硅化物层；金属硅化物层上的填充绝缘部分，填充绝缘部分具有与金属硅化物层的一部分相连接的接触孔；金属硅化物层与填充绝缘部分之间的保护阻挡层；以及接触孔中的接触插塞，电连接到金属硅化物层的所述部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201910141074.X在审
发明人：吴仲健;朴星一;朴宰贤;李炯锡;朴恩实;李允逸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍型图案；在鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一栅电极；位于第一栅电极的侧壁上并且位于鳍型图案中的源极/漏极区域；在衬底上沿第一方向延伸的分隔结构，分隔结构包括第一沟槽并与鳍型图案间隔开，并且分割第一栅电极；位于分隔结构的侧壁上并且覆盖源极/漏极区域的层间绝缘层，层间绝缘层包括第二沟槽，第二沟槽的下表面低于第一沟槽的下表面；以及连接到源极/漏极区域并且填充第一沟槽和第二沟槽的接触。
鳍型源极/漏极区域方向延伸分隔结构栅电极半导体器件层间绝缘层下表面图案侧壁衬底图案间隔填充相交分割覆盖

[发明专利]半导体装置-CN201910003735.2在审
发明人： 李允逸;朴星一;朴宰贤;李炯锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸；虚设鳍型图案，从基底突出，并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；第一栅极结构，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于第一鳍型图案上；第二栅极结构，在第二方向上延伸，位于第二鳍型图案上；以及盖图案，在第二方向上延伸，位于第一栅极结构和第二栅极结构上，其中，盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分，并且虚设鳍型图案和分离部分使第一栅极结构与第二栅极结构分离。
鳍型图案栅极结构半导体装置虚设延伸基底方向交叉上表面

[发明专利]集成电路装置及其形成方法-CN201811058096.1在审
发明人：朴宰贤;白桂铉;全庸淏;金哲;朴星一;李允逸;李炯锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路装置及其形成方法。所述集成电路(IC)装置包括：在衬底上沿着第一方向彼此相邻的第一区域和第二区域；在所述第一区域和所述第二区域中的每一个中沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的鳍图案；沿着所述第一方向延伸并且与所述鳍图案相交的栅电极；以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的隔离区域，所述隔离区域的底部相对于所述衬底的底部具有不均一的高度。
第二区域第一区域集成电路装置方向延伸隔离区域衬底图案方向垂直栅电极均一集成电路相交

[发明专利]半导体器件-CN201811619564.8在审
发明人：李正韩;朴成哲;李允逸;金并基;全英敏;河大元;黄寅灿;朴宰贤;申宇哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。
栅电极栅极间隔物方向延伸分隔图案半导体器件部分突出源图案侧壁长轴衬底覆盖

[发明专利]具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法-CN201810639708.X在审
发明人：朴星一;刘庭均;李东勳;李允逸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；垂直沟道结构，包括在第一方向上延伸的一对有源鳍及夹置在所述一对有源鳍之间的绝缘部分，所述第一方向垂直于所述衬底的上表面；上源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构上；下源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构下方及所述衬底上；栅极电极，设置在所述上源极/漏极与所述下源极/漏极之间且环绕所述垂直沟道结构；以及栅极介电层，设置在所述栅极电极与所述垂直沟道结构之间。所述栅极电极与所述上源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔可小于所述栅极电极与所述下源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔。本公开的半导体器件具有适于按比例缩放的结构。
垂直沟道结构半导体器件栅极电极源极/漏极衬底漏极按比例缩放栅极介电层垂直沟道方向垂直上表面夹置绝缘制造环绕延伸

[发明专利]垂直半导体器件-CN201810158997.1在审
发明人：朴星一;朴范琎;李允逸;刘庭均;李东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种垂直晶体管结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括连接到第二晶体管的第二上电极的第一下电极以及连接到第二晶体管的第二下电极的第一上电极。第一晶体管还包括连接到第二晶体管的栅电极的栅电极。
晶体管电极下电极栅电极垂直半导体器件垂直晶体管结构

[发明专利]有带对准栅电极的垂直晶体管的半导体器件及其制造方法-CN201810156564.2在审
发明人：朴星一;金昶熹;李允逸;M.坎托罗;刘庭均;李东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶端处并具有比有源柱更大的宽度。第一绝缘层设置在有源柱的侧壁上，第二绝缘层至少设置在第一源极/漏极区的底表面上。栅电极设置在第一绝缘层和第二绝缘层上。第二源极/漏极区在有源柱的底端处设置在衬底中。还描述了制造方法。
绝缘层源极/漏极区半导体器件栅电极衬底垂直晶体管顶端处侧壁底端制造对准

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