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[实用新型]一种双组分材质的汽车空调压缩机隔音罩-CN202123041795.5有效
发明人： 李佳驹;魏刚;王洁 -专利权人：卡酷思汽车配件（廊坊）有限公司;卡酷思汽车配件（沈阳）有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： F04B37/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双组分材质的汽车空调压缩机隔音罩，包括下罩体和内六角孔，所述下罩体的上表面贴合有上罩体，且下罩体和上罩体的外壁边沿均设置有定位扣，并且下罩体和上罩体的内壁均贴合连接有内衬体，所述上罩体的端部外壁固定安装有基座，且基座的内部上端活动安装有旋杆，并且基座内部的旋杆外壁固定连接有锥齿轮，所述基座的内部下端嵌入设置有限位架，且限位架的内部安装有传动机构。该双组分材质的汽车空调压缩机隔音罩提升了隔音效果，从而加强了驾乘人员的舒适性，同时隔音罩和压缩机之间的连接稳定性提升，避免隔音罩因震动和压缩机之间产生间隙，从而避免影响隔音罩的使用效果。
一种组分材质汽车空调压缩机隔音

[实用新型]一种推杆式车辆座椅倾角补偿平台-CN202120504156.9有效
发明人：张天蛟;屈小暄;李佳驹;曹依婷;柴赟 -专利权人：上海海洋大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B60N2/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种推杆式车辆座椅倾角补偿平台，其包括：上支撑板，上支撑板固定在车辆座椅的底部，上支撑板的四周边角处设有上连接吊耳；下支撑板，下支撑板固定在车辆的底板上，下支撑板的四周边角处设有下连接吊耳；多个驱动单元，每个驱动单元连接在相对应的下连接吊耳和上连接吊耳之间；控制单元，控制单元与驱动单元相连接；限位支撑单元，限位支撑单元设置在上支撑板和下支撑板的中部，限位支撑单元能够对上支撑板进行限位支撑。本实用新型不仅能降低车辆座椅的晃动，而且还能补偿车辆座椅的倾角，以降低车辆水平方向存在大小不为零的加速度时驾乘人员感受到的抛离感，进而提高驾乘的舒适度和安全性。
一种推杆车辆座椅倾角补偿平台

[发明专利]一种IGBT器件-CN201710667988.0有效
发明人：任敏;林育赐;罗蕾;谢驰;李佳驹;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT器件，属于功率器件技术领域。本发明包括自下而上依次层叠的金属化集电极、第一导电类型半导体集电区、第二导电类型半导体漂移区和金属发射极；第二导电类型半导体漂移区中具有栅极结构和位于栅极结构两侧的第一导电类型半导体基区，第一导电类型半导体基区中第一导电类型半导体接触区、第二导电类型半导体发射区；并且第一导电类型半导体基区的掺杂浓度自靠近金属发射极至远离金属发射极方向逐渐增大。本发明通过合理调整基区的掺杂浓度，使得其靠近发射区侧的浓度较低形成基区少子减速场以抑制闩锁的发生，藉此在不影响IGBT正常工作特性的情况下提高了IGBT器件的抗闩锁能力。
一种 igbt 器件

[发明专利]一种深槽DMOS器件-CN201710716441.5有效
发明人：任敏;罗蕾;谢驰;李佳驹;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种深槽DMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明包括自上而下设置的金属化源极、漂移区、衬底、金属化漏极；其中漂移区中具有深槽及位于其两侧或者外围的体区，深槽中包括栅电极、栅介质层和应变绝缘介质区，应变绝缘介质区的下表面与衬底上表面相接触。本发明通过在深槽结构中引入具有压缩特性或者拉伸特性的应变绝缘介质区，为多子电流流动通路所在半导体材料施加应力进而提高载流子的迁移率，实现降低导通电阻的目的；同时，应变绝缘介质区掺杂有电荷可与漂移区形成横向电场，辅助耗尽漂移区，实现提高器件的反向耐压的目的。
一种 dmos 器件

[发明专利]一种超结功率器件-CN201710665471.8有效
发明人：任敏;李佳驹;苏志恒;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种超结功率器件。本发明提供的一种超结功率器件，其第一导电类型半导体漂移区中的第二导电类型半导体柱具有两种或两种以上的不同宽度(a1、a2……、an；n≥2)，且相邻两个所述第二导电类型半导体柱之间的间距有两种或两种以上的不同宽度(b1、b2……、bm；m≥2)，由于不同宽度和间距的超结柱耗尽所对应的漏源电压点不同，因而增加了米勒电容Cgd和漏源电容Cds骤降的源漏电压跨度，缓解了Cgd和Coss的骤降现象，减小电流电压的震荡。
一种功率器件

[实用新型]一种可调节光栅支架-CN201922137590.3有效
发明人： 李佳驹;周小洪;马关益 -专利权人：卡酷思汽车配件（廊坊）有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节光栅支架，包括框架，背板和光栅安装组件，光栅安装组件包括固定套，旋转套和固定套支架，固定套支架为伸缩式套管结构，能够实现光栅组件安装高度的调节，固定套顶端和底端均开设有弧形槽，旋转套顶端和底端相应位置开设有定位螺孔，旋转套嵌入式安装于固定套内，并可以在弧形槽范围内调节角度；此外，固定套和固定套支架的支撑单元均为伸缩式结构，能够根据需要进行拉伸调节。本实用新型提供的可调节光栅支架，能够有效提高光栅安装效率，适应不同的安装和生产需求。
一种调节光栅支架

[发明专利]一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件-CN201710425854.8有效
发明人：任敏;罗蕾;林育赐;李佳驹;谢驰;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种屏蔽栅VDMOS器件。本发明提供一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件，在现有屏蔽栅VDMOS器件，通过采用不同的槽栅介质材料，在不同介质材料的交界处产生电场尖峰，使电场峰值出现在槽的中部。既避免了雪崩击穿发生在槽底，使器件的耐压降低，又避免了雪崩击穿发生在槽顶，使器件的UIS能力降低。本发明提出的一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件，在基本不影响屏蔽栅VDMOS器件其他性能的情况下，既提高了屏蔽栅VDMOS器件的耐压，又提高了屏蔽栅VDMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)，使屏蔽栅VDMOS器件的UIS能力和耐压有一个较好的折中。
一种限定雪崩击穿屏蔽 vdmos 器件

[发明专利]一种屏蔽栅功率DMOS器件-CN201810326836.9有效
发明人：任敏;杨梦琦;李佳驹;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种屏蔽栅功率DMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明基于传统屏蔽栅DMOS器件进行改进，器件两侧的沟槽栅结构之间的漂移区顶层具有体区，在体区的顶层具有交替排列的源区和接触区，通过合理设置源区和接触区的交替排列方向并且在接触区和沟槽的侧壁之间引入重掺杂的电流引导层形成导通电阻较低的电流通道，而使源区和沟槽侧壁的介质层直接接触。这样设计能够将雪崩击穿电流固定于电流引导层中，并引导雪崩电流直接经由电流引导层从接触区流走而不经过源区下方的体区，这样就防止了寄生BJT的开启，提升了器件的UIS耐量及抗UIS失效能力。另外，由于屏蔽栅电极的横向耗尽作用，能够避免电流引导层对于器件耐压性能的负面影响。
一种屏蔽功率 dmos 器件

[发明专利]一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET-CN201710625714.5有效
发明人：任敏;罗蕾;李佳驹;谢驰;林育赐;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET，在第一导电类型半导体掺杂底部辅助层中引入辅助氧化埋层，并且该辅助氧化埋层的上端面高于第一导电类型半导体掺杂底部辅助层的上端面，位于第一导电类型半导体掺杂柱区中，引入的辅助氧化埋层改变了第一导电类型掺杂底端辅助层区的电场分布，加大其对耐压的贡献，从而增大了器件的耐压，同时辅助氧化埋层，在半超结MOSFET第二导电类型半导体掺杂柱区底部附近引入了电场峰值，从而将雪崩击穿点固定在第二导电类型半导体掺杂柱区底部附近，最终使雪崩击穿电流路径避开寄生BJT的基区电阻，在半超结MOSFET器件发生雪崩击穿时，有效避免寄生三极管的开启，从而提高半超结MOSFET器件在非箝位电感负载应用中的可靠性。
一种具有辅助氧化半超结 mosfet

[发明专利]一种横向双扩散MOS器件-CN201710726660.1有效
发明人：任敏;林育赐;谢驰;李佳驹;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散MOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源区、高掺杂第一导电类型半导体体接触区、栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅电极和栅氧化层，第二导电类型半导体漂移区内部上表面还具有至少两个多晶硅岛，多晶硅岛存储着均匀分布的电荷；从第一导电类型半导体体区到第二导电类型半导体漏极区的方向，多晶硅岛的底部到第一导电类型半导体衬底的距离依次增加；本发明在漂移区设置了多个不同深度的存储电荷的多晶硅岛，通过改变电荷量和所需要耗尽的漂移区宽度，使漂移区的电场分布更均匀，提高器件的反向阻断电压。
一种横向扩散 mos 器件

[发明专利]一种变禁带宽度的超结VDMOS器件-CN201710726176.9有效
发明人：李泽宏;罗蕾;谢驰;李佳驹;张金平;任敏;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极；本发明在常规超结VDMOS器件的第二导电类型掺杂柱区侧面引入采用窄禁带半导体材料的窄禁带第一导电类型掺杂区，并在第一导电类型掺杂区和窄禁带第一导电类型掺杂区的正上方引入采用宽禁带半导体材料的宽禁带第一导电类型掺杂区，通过上述措施，能够有效改变超结VDMOS器件发生雪崩击穿时雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离寄生BJT的基区，从而避免寄生BJT的发射极正偏，造成BJT开启，从而提高了器件可靠性。
一种变禁带宽度 vdmos 器件

[发明专利]一种深槽超结DMOS器件-CN201710668240.2有效
发明人：任敏;罗蕾;李佳驹;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种深槽超结DMOS器件，属于功率器件领域。本发明通过在传统超结DMOS器件中引入深槽栅结构，并合理设置深槽栅结构中介质层的复合交界面以固定雪崩击穿点，由于介质层中复合交界面在远离体区处引入电场峰值，而载流子必然会选择电阻最小的路径，进而达到有效改变发生雪崩击穿时超结DMOS器件的雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离寄生BJT管的基区电阻，从而避免寄生BJT管的发射极正偏而造成的BJT管的开启，增强超结DMOS器件的钪UIS失效能力，提高器件在非箝位电感负载应用中的可靠性。
一种深槽超结 dmos 器件

[发明专利]一种超结DMOS器件-CN201710425816.2有效
发明人：任敏;罗蕾;李佳驹;谢驰;林育赐;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种超结DMOS器件，通过在超结结构的第二导电类型掺杂柱区侧面做介质层结构来固定超结DMOS器件的雪崩击穿点，同时降低超结结构第二导电类型掺杂柱区顶部的掺杂浓度，使第二导电类型半导体体区附近的电场降低。最终使得雪崩击穿电流路径避开寄生BJT的基区电阻，在超结DMOS器件发生雪崩击穿时，有效避免寄生三极管的开启，从而提高超结DMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
一种 dmos 器件

[发明专利]一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件-CN201710726672.4有效
发明人：任敏;林育赐;谢驰;李佳驹;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源区、高掺杂第一导电类型半导体体接触区、栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅电极和栅氧化层，第二导电类型半导体漂移区的内部上表面还具有阶梯型沟槽，台阶底部和第二导电类型半导体漂移区上表面的距离沿第二导电类型半导体源区到第二导电类型半导体漏极区的方向递减，阶梯型沟槽中填充了多晶硅，本发明通过改变台阶深度来调整电场分布，使漂移区的纵向电场分布更均匀，提高器件的反向阻断电压。
一种具有阶梯沟槽 ldmos 器件

[发明专利]一种具有高电流上升率的栅控晶闸管-CN201710706916.2有效
发明人：李泽宏;林育赐;谢驰;罗蕾;李佳驹;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高电流上升率的栅控晶闸管，属于功率器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴极和绝缘栅，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的顶层两端分别设置有第一导电类型半导体掺杂阱区，第二导电类型半导体掺杂阱区和第一导电类型半导体重掺杂区，第二导电类型半导体掺杂阱区材料的禁带宽度大于第一导电类型半导体掺杂阱区材料的禁带宽度，第一导电类型半导体掺杂阱区材料的禁带宽度大于第二导电类型半导体掺杂外延层的禁带宽度。基于本发明器件结构能够大幅度提高了栅控晶闸管的电流上升率。
一种具有电流上升晶闸管

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