“李京波”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果328个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种晶圆涂胶显影用抓取手臂-CN201922027862.4有效
发明人：徐良;史伟言;刘建哲;李京波;夏建白 -专利权人：黄山博蓝特半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆涂胶显影用抓取手臂，包括手臂本体，所述手臂本体上设置有一组晶圆放置槽；所述手臂本体的内设置有主吸气通道，主吸气通道连通有通向各晶圆放置槽下方的分支吸气通道，所述晶圆放置槽内设置有与分支吸气通道连通的吸气孔；所述主吸气通道的两侧分别设置有冷却气体进气口和冷却气体出气口，所述主吸气通道和分支吸气通道的周边设置有冷却腔。本实用新型结构简单，能够将手臂及时的冷却，保证晶圆在涂胶显影时不会受手臂过热的影响而造成涂胶、显影不均匀，从而提高晶圆的加工质量，可广泛应用于LED衬底制造领域。
一种涂胶显影抓取手臂

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法和应用-CN201911216102.6在审
发明人： 李京波;周劲澍;魏钟鸣;霍能杰 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明属于压电子技术领域，公开了一种光电探测器及其制备方法和应用。所述光电探测器依次包括衬底、聚酰亚胺层、二碲化钼单层和聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)层，在所述二碲化钼单层的边缘制作源电极和漏电极，在聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)层上制作栅极电极制得。本发明利用了有机铁电材料薄层和二维半导体材料之间光电性质的互补，极大地拓宽了光电探测器的响应范围，在响应速度、电流增益和探测灵敏度上有很大优势，能够在室温条件下工作。
一种光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]基于二维材料异质结的片上红外LED及制备方法-CN201810485223.X有效
发明人：刘思捷;魏钟鸣;李京波 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于二维材料异质结的片上红外LED，自下而上依次包括：衬底、第一二维绝缘薄层、第一高电导率二维薄层、N型二维薄层、直接带隙二维薄层、P型二维薄层、第二高电导率二维薄层、第二二维绝缘薄层。本公开不存在晶格失配问题，并且可通过改变有源区薄层的厚度对发光波长进行一定调整，可与硅基光子器件集成；并能增强对有源区载流子的限制，提高辐射效率；同时能够解决硅基片上光互连的光源问题，从而进一步实现片上的光通信。
基于二维材料异质结红外 led 制备方法

[发明专利]二维多铁半导体材料及其制备方法-CN201811019235.X有效
发明人：魏钟鸣;杨淮;李京波 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行制备。本发明获得的二维多铁半导体单晶材料为二维结构，层内由共价键结合，层间由范德瓦尔斯力结合，剥离后的纳米厚薄膜同时具备铁电性和铁磁性，可作为制备高密度存储器，电磁传感器和多功能晶体管等器件的潜在应用材料。
二维半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种单层石墨烯构筑的三维多孔石墨烯薄膜的制备方法-CN201611191949.X有效
发明人：招瑜;庞洲骏;魏爱香;李京波;刘俊;肖志明;温如春;陈镇海 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：一种利用单层石墨烯构筑的三维石墨烯薄膜的制备方法及应用。其特征在于：在制备石墨烯的改进Hummer法工艺过程中加入超声粉碎和球磨剥离工艺，获得单层或少层的石墨烯，以有机溶剂混合制备出石墨烯浆料，以丝网印刷的方法在基底上印刷不同厚度的石墨烯浆料，将这种印刷有石墨烯浆料的基底置于马弗炉，以高温热处理的方法去除有机浆料后获得一种互联的、具有纳米级的多孔三维结构的石墨烯薄膜。该薄膜具有高比表面积，可以金属氧化物、金属硫化物修饰后作为超级电容器、锂离子电池、薄膜太阳能电池等电极材料。
石墨烯浆料制备石墨烯薄膜基底薄膜太阳能电池多孔三维结构超级电容器单层石墨烯高温热处理金属硫化物金属氧化物锂离子电池印刷剥离工艺超声粉碎电极材料工艺过程丝网印刷有机浆料有机溶剂马弗炉纳米级单层球磨去除少层修饰薄膜三维互联构筑应用改进

[发明专利]一种综合针灸推拿治疗装置-CN201810750965.0在审
发明人：胡善杰;李京波 -专利权人：胡善杰;李京波
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： A61H33/06 文献下载
摘要：本发明涉及医疗护理技术领域，具体涉及一种综合针灸推拿治疗装置，包括L型支撑板，L型支撑板的顶部左侧中央设有三角形辅板，三角形辅板的内腔底部中央设有显示屏，三角形辅板的前侧底部设有与之相配合的梯形高温蒸汽箱，梯形高温蒸汽箱的内腔底部中央设有加热盘，梯形高温蒸汽箱的顶部后侧左右对称设有两组伸缩杆，伸缩杆的顶部设有针灸放置盒，针灸放置盒的表面均匀间隔贯穿设有针灸放置孔，针灸放置盒的底部与梯形高温蒸汽箱的顶部配套卡合，三角形辅板的后侧均匀间隔设有三组横板，三组横板之间通过立柱支撑；本发明能够有效克服现有技术所存在的医疗护理时工作效率低下的缺陷。
针灸高温蒸汽辅板放置盒底部中央均匀间隔医疗护理伸缩杆横板内腔推拿工作效率立柱支撑治疗装置左右对称放置孔加热盘卡合两组显示屏贯穿配套配合

[发明专利]一种治疗和预防恶性肿瘤的药物及其制备方法-CN201810715498.8在审
发明人： 李京波;胡善杰 -专利权人： 李京波;胡善杰
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： A61K36/90 文献下载
摘要：本发明公开一种治疗和预防恶性肿瘤的药物及其制备方法，所述治疗和预防恶性肿瘤的药物由以下重量份的原料制成：茯苓25‑35份、白芍15‑20份、金银花3‑6份、绞股蓝4‑8份、藤梨根10‑15份、龙葵15‑20份、解毒蕨12‑14份、当归2‑5份、鳖甲2‑4份、三七5‑8份、雪莲花2‑4份、刚藤2‑5份，其制备方法包括粉碎、提取、浓缩，同时将提取物制备层特有的剂型。
恶性肿瘤制备雪莲花提取物制备金银花当归茯苓绞股蓝藤梨根重量份解毒白芍鳖甲龙葵治疗预防浓缩

[发明专利]一种光纤激光器中千瓦级包层光剥离器-CN201910972014.2在审
发明人：肖文波;夏情感;吴华明;胡家琦;李京波 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤激光器中千瓦级包层光剥离器，该剥离器采用微通道水冷技术散热，可以实现千瓦级包层光的剥离；其包括热沉外壳、填胶孔、光纤、微通道、入水口、出水口；所述填胶孔设置在热沉外壳的内部，所述光纤设置在填胶孔内部中心处，所述微通道环绕光纤设置在填胶孔内，所述入水口和出水口设置在微通道两端；光纤的外表层用高折射率胶涂覆，高折射率胶填充满填胶孔。本发明的技术效果是：剥离千瓦级包层光时，散热均匀且温升低；以剥离1000瓦包层光为实例，其最高温度为297开，最低温度为287开，包层光剥离器能稳定安全的工作。
包层填胶微通道剥离器光纤高折射率剥离出水口入水口热沉光纤激光器技术效果散热均匀稳定安全孔设置外表层中心处散热胶填胶涂水冷温升环绕

[发明专利]一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件-CN201610566736.4有效
发明人：杨亿斌;招瑜;肖也;牟中飞;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件，该晶体管包括：导电衬底；设置在所述导电衬底上的绝缘介质层；分别设置在所述绝缘介质层两端的源电极和漏电极，在两者之间为沟道区；设置在所述源电极和与之相连的沟道区上的第一二维材料层；设置在所述漏电极和所述沟道区上部分第一二维材料层上的第二二维材料层；所述第一二维材料层与第二二维材料层的材质不同；所述第一二维材料层、第二二维材料层和源电极及漏电极能形成欧姆接触。本发明提供的这种晶体管具有良好的输出特性等性能，且成本低。本发明提供的这种晶体管的制备方法衬底利用率高、制备效率高，能避免蒸镀金属对二维材料的损伤，还可以制备阵列器件。
一种二维材料异质结场效应晶体管制备方法阵列器件

[发明专利]掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质-CN201910495657.2在审
发明人：郑树文;何伟;李京波;王立云;郑涛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质，方法包括：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。本发明无需利用霍尔效应或者C‑V方法测量载流子浓度，降低了测量误差，提高了精确度；另外，本发明可不采用SIMS或ICP方法就能获取掺杂原子浓度，降低了测量成本且操作简单，可广泛应用于半导体检测技术领域。
掺杂半导体载流子掺杂原子吸收光谱激活率存储介质半导体检测测量成本方法测量霍尔效应浓度确定能隙测量应用

[发明专利]一种在FTO衬底上制备二硒化钨半导体薄膜的方法及其应用-CN201710468990.5有效
发明人：招瑜;温如春;庞洲骏;陆健婷;魏爱香;刘俊;肖志明;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种在FTO衬底上制备二硒化钨半导体薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：反应前驱液的制备：将溶剂、硒源、钨源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S2：FTO导电玻璃的预处理：将FTO导电玻璃的前期表面洗涤处理；S3：二硒化钨半导体薄膜的制备：将经步骤S2处理后的FTO导电玻璃与步骤S1制得的反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在FTO导电玻璃上制备得到二硒化钨半导体薄膜。本发明的二硒化钨半导体薄膜制备方法具有制备工艺简单、成本低廉，可以得到物相均匀、结晶良好、纯度较高的二硒化钨半导体薄膜等优点，本发明的WSe₂半导体薄膜在染料敏化太阳能电池和薄膜太阳能电池制作应用中具有良好的前景。
一种 fto 衬底制备二硒化钨半导体薄膜方法及其应用

[发明专利]一维硫碘化锑半导体纳米线光电探测器及其制备方法-CN201910333413.4在审
发明人： 李京波;杨淮;刘柳;霍能杰 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：本发明涉及一维硫碘化锑半导体纳米线、光电探测器及其制备方法，具体的，以碘化锑和硫化锑粉末为原料，通过化学气相输运的方法制备大量一维硫碘化锑纳米线，并制备了高性能光电探测器，其光电探测器从下到上依次为：重掺杂硅、薄层二氧化硅绝缘层、两侧金属电极以及位于两侧金属电极之间的一维硫碘化锑半导体纳米线。本发明获得的一维光电探测器具有高响应度，高开关比和高探测率等特点。由于一维纳米线的本身结构的各向异性，可将探测器拓展到偏振光探测。
光电探测器化锑硫碘制备半导体纳米线金属电极偏振光二氧化硅绝缘层一维纳米线碘化锑高响应开关比硫化锑纳米线探测率重掺杂探测器薄层输运探测拓展

[实用新型]一种钢管码放支架-CN201822195485.0有效
发明人：郭现玲;赵新龙;张文;刘爱迪;张杰;刘畅;李文恒;沈兴;李庆展;李京波;夏光照 -专利权人：中国核工业二四建设有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： B65D61/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钢管码放支架，包括水平设置的码放底座，码放底座的两端垂直设有两块相互平行且相对设置的固定挡板，两块固定挡板的上端之间设有活动挡板，活动挡板的两端通过连接轴与固定挡板可拆卸连接，活动挡板一端的连接轴与固定挡板之间通过固定锁扣相连。本实用新型的码放支架，通过成对使用，将钢管一次码放到位，保证了码放的在内的钢管尺寸统一，能够确保每个支架内放置的钢管数量一致，从而可快速进行清点工作，同时减少后期材料使用过程中装卸、码放、倒运人员的投入，从而提高作业过程中机械设备的利用率，降低施工成本，提高工作效率。
码放固定挡板钢管支架活动挡板本实用新型连接轴底座可拆卸连接材料使用成对使用工作效率固定锁扣机械设备施工成本数量一致水平设置相对设置作业过程上端倒运平行清点装卸垂直保证统一

[发明专利]一种基于相变材料的发光二极管温度报警器-CN201611191931.X有效
发明人：招瑜;梁涛恩;张宏俊;苏子豪;周磊;李京波;杨亿斌;肖也;王培星 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G01K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于相变材料的发光二极管温度报警器。在传统发光二极管的封装过程中，加入相变材料作为封装的一部分，选用环氧树脂或硅胶作为密封剂，获得相变材料与LED芯片直接接触的封装结构，LED芯片的发热或外部环境的温度升高，使得部分相变材料到达熔点并发生相变，相变时急剧膨胀产生的热应力，使芯片与封装结构的连接线偏移导致LED断路，达到了在一定温度时电流断开和发光停止的报警效果。LED断路后芯片温度的下降或外部环境温度的下降，使得芯片与封装结构的连接线重新与芯片上电极接触，LED导通，从而警报自动消除。该类报警器成本低廉，结构简单，可实现对LED芯片或外部环境的某一温度点或温度段的准确报警。
相变材料封装结构外部环境芯片连接线发光二极管温度报警器断路环氧树脂传统发光二极管熔点报警器报警效果电极接触电流断开封装过程准确报警自动消除密封剂热应力温度点温度段偏移导通硅胶封装发热警报发光膨胀

[发明专利]一种镓锗酸盐基深红色发光材料及其制备方法-CN201710141650.1有效
发明人：牟中飞;王强;朱道云;李京波;吴福根 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C09K11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种深红色发光材料，其组成式为：Sr_2‑aM_aLa_1‑xGa_3‑bN_bGe_3‑cQ_c(O_1‑d+F_2d)₁₄：xEu，其中x为Eu的掺杂量，M为Ca，Ba中至少一种，N为Al，In中至少一种，Q为Si，Sn中至少一种，0≤x≤1，0.001≤a≤0.4，0.001≤b≤0.5，0.001≤c≤0.5，0.001≤d≤0.1。其制备方法包括以下步骤：将原料混合均匀，装入坩埚，在1000～1350℃下高温灼烧1～4小时；将烧结物破碎、研磨、洗涤、烘干，得到发光材料。本发明方法制备的红色发光材料，性能稳定，发光强度高。
一种镓锗酸盐基深红色发光材料及其制备方法