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[发明专利]尾气处理装置的控制方法、控制装置和车辆-CN202110163446.6有效
发明人：尹志才;张凌东;敬文涛;李亚光;包素艳;程利娟;张淳;靳建永;刘乘飞;王金威;李冰 -专利权人：北京航天爱锐科技有限责任公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： F01N3/023 文献下载
摘要：本申请提供了一种尾气处理装置的控制方法、控制装置和车辆，该控制方法包括：在颗粒物捕集器的尾气压力大于或者等于第一预定压力且小于第二预定压力的情况下，控制尾气处理装置进入第一再生模式，第一再生模式为采用加压后的空气吹扫清除颗粒物捕集器中的颗粒物的模式；在颗粒物捕集器的尾气压力大于或者等于第二预定压力的情况下，控制尾气处理装置进入第二再生模式，第二再生模式为采用加热后的空气燃烧清除颗粒物捕集器中的颗粒物的模式，加热后的空气的流量小于或者等于尾气的流量的1/4。该控制方法避免了现有技术加热尾气再生方法无法加热至预定温度的情况，提高了再生效率，解决了现有技术中颗粒物捕集器的加热再生效果差的问题。
尾气处理装置控制方法车辆

[实用新型]一种刀具刀筒组件-CN202320328536.0有效
发明人：倪鸿斌;杨继来;吴翊;李亚光;张宇奇;金红明;王恒 -专利权人：中交天和机械设备制造有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： E21D9/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种刀具刀筒组件，包括刀具、刀筒、单向阀、送液管、后盖，刀具内沿其轴向开设有第一输液通道；刀具与刀筒的一端连接，刀筒内开设有相贯通的第二输液通道和内腔，第二输液通道与第一输液通道贯通且延伸方向一致；单向阀设置在刀筒内，单向阀一端与第二输液通道连通，单向阀的另一端延伸至刀筒的内腔内，单向阀内开设有输液通孔，输液通孔与第一输液通道、第二输液通道均贯通且延伸方向一致；送液管至少部分设置在刀筒内，送液管的一端与单向阀的另一端连通，送液管的另一端用于与液源连通；后盖与刀筒的另一端连接。本实用新型提供的刀具刀筒组件，可对刀具外泥饼进行大范围的冲洗，清淤效果好，且不影响换刀油缸的安装。
一种刀具组件

[发明专利]一种金属氧化物二维催化剂的低温制备方法和应用-CN202310144601.9在审
发明人： 李亚光;吴琦璇 -专利权人：河北大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B01J23/755 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物二维催化剂的低温制备方法和应用。本发明利用水溶性淀粉为模板，以金属盐为前驱体，通过冷冻干燥技术及空气退火形成均匀的二维纳米片。利用本发明实施例中所制备的一元Ni1氧化物、二元Ni1Co1氧化物、三元Ni1Co1Ag1氧化物二维催化剂，可以高选择、高效率催化逆水煤气变换反应。本发明所提供的金属氧化物二维催化剂的合成方法，具有制备温度低、普适性、简单易行、设备简单、环境友好等优势，为催化逆水煤气变换领域提供了新途径和新思路。
一种金属氧化物二维催化剂低温制备方法应用

[实用新型]一种新型户外电源-CN202223177423.X有效
发明人： 李亚光;赖庆;董荣柱 -专利权人：深圳市乔威电源有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及能源存储技术领域，特别指一种新型户外电源，包括壳体和移动电源，所述壳体上安装有给多种电器供电的接口安装板，所述壳体内部安装有电池组和电路板，所述电路板与所述电池组电性连接，所述接口安装板与所述电路板电性连接，所述壳体内设有与所述移动电源相匹配的充电仓，所述接口安装板上设有充电仓开口，所述移动电源从充电仓开口进出所述充电仓，所述充电仓设有充电接触端，所述充电接触端与所述电路板电性连接，所述移动电源与所述充电接触端电性连接。本实用新型在常用户外电源功能不变的情况下增设移动电源及其充电仓，实现户外充电多样化。
一种新型户外电源

[发明专利]碳包覆磷化钨纳米线自支撑结构复合材料及其制备方法-CN202111056308.4有效
发明人：吕存财;娄萍萍;王淑芳;李亚光 -专利权人：河北大学
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C25B11/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳包覆磷化钨纳米线自支撑结构复合材料及其制备方法。所述碳包覆磷化钨纳米线自支撑结构复合材料中，薄层碳壳均匀包覆在磷化钨纳米线表面，其是通过在基底上负载水合氧化钨纳米线前驱体，并且在氩气气氛下高温退火并同时注射乙腈，得到薄层碳包覆氧化钨纳米线/基底复合结构，并将薄层碳包覆氧化钨纳米线/基底复合结构用次亚磷酸钠进行磷化制备得到。本发明制备工艺流程简单，操作容易，成本低廉，所得复合材料化学稳定性高，抗氧化能力强，且电催化性能提高，对工业电解水催化剂的发展具有大规模应用的潜力。
碳包覆磷化纳米支撑结构复合材料及其制备方法

[发明专利]碳包覆氮化钨和/或碳化钨纳米线复合结构及其制备方法-CN202111056303.1有效
发明人：吕存财;娄萍萍;王淑芳;李亚光 -专利权人：河北大学
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳包覆氮化钨和/或碳化钨纳米线复合结构及其制备方法。所述碳包覆氮化钨和/或碳化钨纳米线复合结构中薄层碳壳均匀包覆在氮化钨和/或碳化钨纳米线表面。其是通过在基底上负载水合氧化钨纳米线前驱体，然后将水合氧化钨纳米线前驱体于氮气气氛下进行高温退火，并同时注射乙二胺，从而得到薄层碳包覆氮化钨和/或碳化钨纳米线复合结构。本发明制备工艺流程简单，安全性较高，操作容易，成本低廉，所得复合结构电催化性能优异。
碳包覆氮化碳化纳米复合结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法-CN202211670509.8在审
发明人：褚天宇;蔡明;朱秦发;王学峰;李亚光;皇志威 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90‑110μm，粒径为5‑12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。
一种半导体单晶硅金刚切割工艺方法

[发明专利]基于多模数据融合的医疗废物环境风险评估方法及系统-CN202310032811.9在审
发明人：杨婷;孙明珍;宋月丽;李亚光;杜亚楠 -专利权人：安徽医科大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06Q10/0635 文献下载
摘要：本发明提供一种基于多模数据融合的医疗废物环境风险评估方法及系统，涉及环境风险评估技术领域。本发明首先获取医疗废物处置全过程中的多模数据，并将多模数据上传至医疗废物监管中心；然后医疗废物监管中心基于多模数据进行医疗废物环境风险评估；最后基于医疗废物环境风险评估的结果进行信息反馈并推送处理策略。本发明基于医疗废物回收全过程中各个环节的相关设备获取多模数据，并利用该多模数据医疗废物处置全过程的环境风险进行评估，其风险评估结果更加精准。
基于数据融合医疗废物环境风险评估方法系统

[发明专利]一种硅片背表面喷砂装置及工艺-CN202211408641.1在审
发明人：郑宇;王新;刘义;韩萍;何丙才;李亚光;纪新鹏;姜伟;张亮;靳慧洁 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B24C3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片背表面喷砂装置及工艺。该喷砂装置包括盖板式喷枪上支架、设置在该喷枪上支架下方的壳体以及组装在该壳体中的多个陶瓷载具、内齿圈、外齿圈；内齿圈为柱状，其外周面具有内传动齿；外齿圈为圆环形，其外周面光滑，内周面具有外传动齿；多个陶瓷载具均匀分布在内齿圈与外齿圈之间，各陶瓷载具的外周分别与内齿圈外周面上的内传动齿和外齿圈内周面上的外传动齿啮合，内传动齿和外传动齿带动各陶瓷载具运转。在喷砂时，将硅片放置于陶瓷载具的硅片承载孔中，设定内齿圈的转向为正，转速为30‑65rpm；外齿圈的转向为负，转速为25‑60rpm；喷砂加工时间为30s‑120s；调整内内齿圈的转速、转向，使硅片在喷砂作业范围内的运行轨迹为行星运动。
一种硅片表面喷砂装置工艺

[发明专利]一种气箱焊接用夹紧工装-CN201911318443.4有效
发明人：马千里;李亚光;尚智慧;孔令鑫;王舒阳;张君宇;李亚斋;周仁领;伞志强;贾世江;马雪飞;徐帅;王茜;李兵;陈高攀;黄云飞;庞晓梦 -专利权人：天津平高智能电气有限公司;平高集团有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种气箱焊接用夹紧工装。该工装包括底座、左固定件、右固定件和固形块，左固定件和右固定件安装在底座上，分别用于固定气箱上相对的两个侧板，左固定件与右固定件间隔布置以在两者之间形成用于容纳气箱的容纳间隔，左固定件和右固定件上均设有用于固定气箱的锁定结构；固形块安装在底座上，具有撑紧段，撑紧段前小后大，撑紧段用于自后向前插入气箱前盖板上的套管穿孔内并撑紧套管穿孔的后侧孔口。该工装用于解决现有技术中气箱在焊接时前盖板上的套管穿孔易变形的问题。
一种焊接夹紧工装

[实用新型]一种防横倾泵下沉式布置结构-CN202222956072.6有效
发明人：阚加强;蔡肇斌;甘邯;王鹏;李亚光;贺力;付为新;王怀刚 -专利权人：三峡物资招标管理有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B63B43/06 文献下载
摘要：一种防横倾泵下沉式布置结构，包括管弄，管弄下层的压载舱内开设有第一凹坑，第一凹坑连通左舷、右舷的压载舱；管弄的右舷一侧开设有第二凹坑，防横倾泵布置在第二凹坑内。本实用新型提供的一种防横倾泵下沉式布置结构，布置更合理，更节省成本。
一种防横倾泵下沉布置结构

[发明专利]一种基于Seq2set2seq框架的关键词组预测方法-CN202010576549.0有效
发明人：刘杰;李亚光;冀俊宇;张凯;张磊;周建设 -专利权人：北方工业大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F16/31 文献下载
摘要：本发明涉及自然语言处理技术领域，尤其涉及一种基于Seq2set2seq框架的关键词组预测方法。包括以下步骤：将当前问句输入预先训练的多标签分类器，输出多维向量；预先训练的多标签分类器是基于训练集中问句和问句回复所对应的关键词，采用胶囊网络进行训练得到的模型；S2、获取多维向量中前100维向量所对应的关键词，进行行列式点过程采样，得到多个指导中心词；S3、将当前问句和多个指导中心词输入预先训练的解码器，对应输出多组预测的关键词组。本发明提供的预测方法解决了现有方法中关键词组预测差异性差、生成关键词组少、性能波动的技术问题。
一种基于 seq2set2seq 框架关键词组预测方法

[外观设计]蓝牙耳机（BT-H181）-CN202230708201.2有效
发明人：赖庆;李亚光;董荣柱 -专利权人：深圳市乔威电源有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：蓝牙耳机（BT‑H181）。2.本外观设计产品的用途：用于蓝牙耳机及耳机充电收纳盒。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组合状态图。
蓝牙耳机 bt h181

[实用新型]一种便于更换样品皿的水质检测取样装置-CN202221847222.3有效
发明人：樊振杰 -专利权人： 李亚光
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于更换样品皿的水质检测取样装置，属于环境保护技术领域，包括防护壳、防护壳上方的支架、出水口，防护壳底部一体化设置有出水口，防护壳内部设置有可以将河水采集的取样机构和可以将取样皿固定的固定机构，支架下方设置有可以将取样装置固定于船舷的安装机构。本实用新型通过取样机构，可以将河面内的水半自动化的提取，且装置较小，便于携带，增加装置的实用性，通过固定机构，可以将取样皿快捷方便的进行更换安装，提高工作效率，通过安装机构，可以安装在船舷上，跟随小船多地方进行采样，增加采样的多样性，可以更完善的反应出水质情况。
一种便于更换样品水质检测取样装置

[发明专利]一种消除硅片表面应力的碱腐蚀工艺-CN202211403424.3在审
发明人：郑宇;何丙才;刘义;王新;李亚光;姜伟;张亮;安瑞阳;刘鹏亮 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除硅片表面应力的碱腐蚀工艺。硅片加工过程依次包括切片、第一次碱液热处理、倒角、第二次碱液热处理、研磨；其中，在第一次碱液热处理中，将切片后得到的硅片浸入碱液A中处理，碱液A的质量百分比浓度为15％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为8‑30s；在第二次碱液热处理中，将倒角后的硅片浸入碱液B中处理，碱液B的质量百分比浓度为20％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为5‑25s。碱液A和碱液B所选用的碱为氢氧化钠或氢氧化钾。本发明的工艺通过在硅片倒角前后增加碱液热处理工序，可以有效地消除硅片表面应力，降低硅片在后续倒角、研磨工序的损失率。
一种消除硅片表面应力腐蚀工艺