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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310323704.1在审
发明人：黄圭晩;朴星一;朴宰贤;崔道永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：可以提供一种半导体器件，包括：下图案，在第一方向上延伸；栅电极，在下图案上并在第二方向上延伸；下沟道图案，在下图案上并包括至少一个下片状图案；以及上沟道图案，在下沟道图案上并包括至少一个上片状图案，其中，上沟道图案在第三方向上与下沟道图案间隔开，栅电极包括下片状图案穿过的下栅电极和上片状图案穿过的上栅电极，下栅电极包括限定沟槽的下导电衬层和填充沟槽的下填充层，并且上栅电极的整个底表面高于下栅电极的上表面。
半导体器件

[发明专利]半导体装置、包括其的集成电路和多值逻辑装置-CN202310422010.3在审
发明人：朴星一;朴宰贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：在第一方向上彼此间隔开的第一公共源极/漏极和第二公共源极/漏极；在第一公共源极/漏极和第二公共源极/漏极之间的第一沟道结构以及在第一公共源极/漏极和第二公共源极/漏极之间并在竖直方向上与第一沟道结构间隔开的第二沟道结构；围绕第一沟道结构的上表面、下表面和侧表面的第一栅极结构；以及围绕第二沟道结构的上表面、下表面和侧表面并与第一栅极结构间隔开的第二栅极结构，其中，第二沟道结构的水平高于第一沟道结构的水平。
半导体装置包括集成电路多值逻辑

[发明专利]半导体器件-CN202310262352.3在审
发明人：朴星一;朴宰贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体主体。半导体主体包括：第一阱区，具有第一导电类型；第二阱区和第三阱区，在第一方向上通过第一阱区彼此间隔开并且具有第二导电类型，第一阱区介于第二阱区和第三阱区之间；第一掺杂区，在第一阱区中沿与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开；第二掺杂区，与第二阱区相邻并且具有第二导电类型；以及第三掺杂区，与第三阱区相邻并且具有第二导电类型。半导体主体的第二表面包括第一阱区、第二阱区、第三阱区、多个第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区的底表面。
半导体器件

[实用新型]显示装置-CN202320771449.2有效
发明人：金炫植;金律局;金志允;朴宰贤;林熙运 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：本实用新型公开一种显示装置，包括：基板；像素电路，配置在所述基板上；平坦化绝缘层，配置在所述像素电路上，包括具有开口或槽的第一结构；坝层，配置在所述平坦化绝缘层上，包括与所述第一结构重叠的第一开口；以及中间层，配置在所述第一结构和所述第一开口的至少一部分中。
显示装置

[发明专利]栅极驱动器-CN201910136882.7有效
发明人：成在民;金江南;朴宰贤;李炫旭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G09G3/3266 文献下载
摘要：栅极驱动器包括级，每一级包括：第一晶体管，包括接收第一输入信号的栅电极、接收第一输入信号的第一电极和连接到第一节点的第二电极；第二晶体管，包括连接到第一节点的栅电极、接收第一时钟信号的第一电极和连接到第一输出端的第二电极；第三晶体管，包括接收第二时钟信号的栅电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到第一输出端的第二电极；第四晶体管，包括接收第三时钟信号的栅电极及第一电极和连接到第二节点的第二电极；第五晶体管，包括连接到第二节点的栅电极、接收第二电源电压的第一电极和连接到第一节点的第二电极；以及第六晶体管，包括连接到第一节点的栅电极、接收第二电源电压的第一电极和连接到第二节点的第二电极。
栅极驱动器

[发明专利]三维半导体器件及其制造方法-CN202211532512.3在审
发明人：李炅奂;朴星一;朴宰贤;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体器件，包括：第一有源区，在衬底上，并包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源/漏图案；第二有源区，堆叠在第一有源区上，并包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源/漏图案；栅电极，在下沟道图案和上沟道图案上；第一有源接触部，电连接到下源/漏图案；上分离结构，在第一有源接触部与上源/漏图案之间；第二有源接触部，电连接到上源/漏图案；下分离结构，在第二有源接触部与下源/漏图案之间。
三维半导体器件及其制造方法

[发明专利]生产氯乙烯类聚合物的方法-CN202180006858.7有效
发明人： 朴宰贤;任重哲;李贤珉 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C08F214/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种生产氯乙烯类聚合物的方法，其包括将氯乙烯单体和化学式1表示的单体加入反应器并进行聚合，其中，基于100重量份的氯乙烯单体，化学式1表示的单体的添加量为1重量份至4重量份，并将化学式1表示的单体连续添加到反应器中。
生产氯乙烯类聚方法

[发明专利]用于控制信号转换速率的集成电路-CN201710060815.2有效
发明人：裵俊汉;朴宰贤;辛钟信;韩振镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：一种集成电路，包括：差分信号驱动器，接收来自第一输入端的第一信号、接收来自第二输入端的作为第一信号的差分信号的第二信号、将对应于第一信号的第一输出信号输出至第一输出端、以及将对应于第二信号的第二输出信号输出至第二输出端。该集成电路还包括：第一电容器单元，连接至第一输出端并且基于第一电容控制第一输出信号的转换速率；第二电容器单元，连接至第二输出端并且基于第二电容控制第二输出信号的转换速率；以及相位选择单元，接收第一信号并将第一信号提供给第二电容器单元、以及接收第二信号并将第二信号提供给第一电容器单元，以便控制第一和第二输出信号的转换速率。
用于控制信号转换速率集成电路

[发明专利]氯乙烯基聚合物的制备方法-CN202080031821.5有效
发明人：李光珍;全亮俊;朴宰贤;河玄圭 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08F114/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氯乙烯基聚合物的制备方法。在根据本发明的氯乙烯基聚合物的制备方法中，通过在聚合过程中顺序地加入彼此不同的第一乳化剂和第二乳化剂，并且使用琥珀酸酯化合物作为第一乳化剂来制备氯乙烯基聚合物，使得当使用制备的聚合物混合增塑溶胶时，可以通过实现低粘度性能来改善加工性能，并且通过抑制挥发性有机化合物的产生来改善雾化性能。
氯乙烯聚合物制备方法

[发明专利]制备氯乙烯基聚合物的方法和由此制备的氯乙烯基聚合物-CN202280006827.6在审
发明人： 朴宰贤;任重哲;俞根勋;李贤珉;金圭善 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08F2/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过在进行聚合之前预混合包含高水合聚乙烯醇和金属碳酸盐的混合分散剂并注入，然后使氯乙烯基单体聚合来制备表现出改善的熔融速率和机械性能以及低有害性的氯乙烯基聚合物的方法，以及通过所述方法制备的氯乙烯基聚合物。
制备氯乙烯聚合物方法由此

[发明专利]发光模块、制造该发光模块的方法以及包括其的显示装置-CN202180070065.1在审
发明人： 朴宰贤;洪承植 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：根据本公开的一实施例的发光模块包括：电路基板；多个单元像素，排列于所述电路基板上；以及成型部，覆盖所述多个单元像素。其中，所述成型部包括第一成型层，至少局部地覆盖所述单元像素中的每一个；以及第二成型层，覆盖所述第一成型层。此外，防眩光层可以被布置于所述成型部上。
发光模块制造方法以及包括显示装置

[发明专利]形成集成电路器件的方法及通过其形成的集成电路器件-CN202211490750.2在审
发明人：何铭;河大元;H.辛卡;朴宰贤;M.萨雷姆;R.帕克 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。该方法可以包括提供初步晶体管堆叠，该初步晶体管堆叠包括在衬底上的上牺牲层、在衬底和上牺牲层之间的上有源区、在衬底和上有源区之间的下牺牲层、以及在衬底和下牺牲层之间的下有源区。该方法还可以包括：在下有源区的相应的相反侧表面上形成下源极/漏极区；在下源极/漏极区的第一下源极/漏极区上形成初步覆盖层，初步覆盖层包括半导体材料；将初步覆盖层转变为包括绝缘材料的覆盖层；以及在上有源区的相应的相反侧表面上形成上源极/漏极区。
形成集成电路器件方法通过

[发明专利]半导体装置-CN202211491314.7在审
发明人：李玹周;金支英;朴宰贤;孙世煜;李受恩;崔东哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：数据采样器，其被配置为接收具有第一频率的数据信号并且以具有高于第一频率的第二频率的时钟信号对数据信号进行采样，输出与数据信号的单位间隔对应的时间的数据；错误采样器，其被配置为以具有第二频率并且相位与时钟信号的相位不同的错误时钟信号对数据信号进行采样，输出与单位间隔对应的时间的多条错误数据；以及眼开度监测(EOM)电路，其被配置为比较数据与多条错误数据中的每一条以获得单位间隔中的数据信号的眼图。
半导体装置

[发明专利]三维半导体器件及其制造方法-CN202210995751.6在审
发明人：朴星一;朴宰贤;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一有源区，位于衬底上，第一有源区包括一对下源/漏区和下沟道结构；第二有源区，位于第一有源区上，第二有源区包括一对上源/漏区和上沟道结构；以及栅电极，位于下沟道结构和上沟道结构上。栅电极包括：第一金属结构和第二金属结构，它们分别设置为与下沟道结构和上沟道结构的半导体层的底面和顶面相邻。
三维半导体器件及其制造方法

[发明专利]数字环路滤波器以及包括数字环路滤波器的时钟数据恢复电路-CN202211416916.6在审
发明人：李柱允;金圣根;李玹周;孙世旭;金刚直;朴宰贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03L7/093 文献下载
摘要：一种时钟数据恢复电路，包括：开关式(bang‑bang)相位检测器，接收数据和时钟信号，并确定时钟信号的相位是否领先或落后于数据的相位；数字环路滤波器，接收开关式相位检测器的输出并对输入抖动进行滤波；累加器，对来自数字环路滤波器的输出进行累加；编码器，对累加器的输出进行编码以生成相位插值码；以及相位插值器，被配置为根据相位插值码生成具有输出相位的时钟信号。数字环路滤波器包括连接到开关式相位检测器的第一∑‑Δ调制(SDM)算术块电路。
数字环路滤波器以及包括时钟数据恢复电路

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