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[发明专利]电磁屏蔽曲面光学窗口的制备方法、曲面光源及设备-CN202310531006.0有效
发明人：麻皓月;张振雲;尚鹏;曹波;马远飞;石红春;林泉;刘晓华;朱晨阳 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司;有研新材料股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电磁屏蔽曲面光学窗口的制备方法、曲面光源及设备，其中，曲面光源包括透明窗口、至少一组蝇眼透镜、支撑架和LED灯珠；透明窗口，为具有一定弧度的凹面窗口，当采用该曲面光源制备曲面光学窗口内的金属网栅时，透明窗口与曲面光学窗口的形状相匹配；蝇眼透镜，设置在透明窗口的内侧，且蝇眼透镜的形状与透明窗口的形状相匹配；支撑架，设置在蝇眼透镜的内侧，且与蝇眼透镜的形状相匹配，在支撑架上阵列布设有LED灯珠；其中，透明窗口、蝇眼透镜和支撑架的拱高均大于光学窗口的拱高。本发明提供的曲面光源可以改善光源在曲面维度的光强均匀性，提高金属网栅的质量。
电磁屏蔽曲面光学窗口制备方法光源设备

[发明专利]一种大尺寸细晶钨硅合金靶材制备方法-CN202310303875.8在审
发明人：户赫龙;李利利;许兴;丁照崇;陈明;贾倩;李勇军;熊晓东 -专利权人：有研亿金新材料（山东）有限公司;有研亿金新材料有限公司;有研新材料股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种大尺寸细晶钨硅靶材的制备方法，包括如下步骤：1、将高纯钨粉和硅粉进行混合，得到混合粉体；2.将混合粉体置于热压炉中多工艺段热压烧结，得到钨硅预制靶坯；3.采用热等静压设备将钨硅预制靶坯热等静压处理，得到大尺寸细晶钨硅靶材。该制备方法采用多工艺段热压和热等静压联合工艺，制备得到直径≥460mm、致密度≥99％、无缺陷、晶粒细小且均匀的大尺寸细晶钨硅靶坯。
一种尺寸细晶钨硅合金制备方法

[发明专利]一种曲面随机金属网栅的制作方法-CN202211551452.X有效
发明人：张振雲;马远飞;薛丽青;林泉;尚鹏;麻皓月;刘晓华;石红春 -专利权人： 有研新材料股份有限公司;有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及电磁屏蔽实现方法，具体公开一种曲面随机金属网栅的制作方法。所述方法包括：在曲面基底表面上镀制金属膜，其中所述金属膜自所述曲面基底依次为钛膜和铜膜；采用飞秒激光在上述镀有钛膜和铜膜的曲面基底聚焦，在所述钛膜和铜膜上按照预设的随机图案进行至少两次扫描刻蚀，其中所述飞秒激光经过光束整形系统，使激光光束能量分布由高斯形状转变成平顶形状；将上述刻蚀后的曲面基底进行清洗，得曲面随机金属网栅。通过本方法可制备曲面电磁屏蔽金属网栅，同时通过随机图案的设计，减小高级次杂散光对成像质量影响，本方法操作简单，可实现大规模工业生产。
一种曲面随机金属网制作方法

[发明专利]高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法-CN202310339974.1在审
发明人：王博;柴晨;曹琳;马远飞;冯德伸;林泉;刘晓华;莫杰;邢俊;郭伟才;张海涛;张海鹏;纪淼 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司;有研新材料股份有限公司;中国有研科技集团有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法，属于霍尔测试技术领域，其中一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，包括检测台和四个探针组件；检测台的上端面设有矩形的样片放置区；检测台内具有电路板，电路板与霍尔测试仪电连接；四个探针组件均匀分布在样片放置区的四周，探针组件包括固定片、限位杆和探针；固定片位于检测台的上端并与限位杆转动连接；探针连接在固定片的另一端，探针可纵向调节。本发明提供的高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，有效避免了引线焊接产生的虚焊、断焊等导致的欧姆接触失败，提高了连接的稳定性和霍尔测试的准确性，满足了探测器用高纯锗单晶净杂质浓度的测试需求。
高纯锗单晶霍尔测试微型探针方法

[发明专利]一种低成本镁铝尖晶石粉体改性处理方法-CN202211140202.7在审
发明人：郭立;赵永田;曹波;石红春;马远飞;薛丽青;郑安生;尚鹏;林泉;刘晓华 -专利权人：有研科技集团有限公司;有研新材料股份有限公司;有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本镁铝尖晶石粉体改性处理方法。使用烧结助剂、分散剂和粘结剂，以高纯镁铝尖晶石粉体(纯度≥99.9％)为原料，工艺路线：(1)首先将称量好的烧结助剂和镁铝尖晶石粉体依次放入装有分散剂的有机容器中，球磨8‑10h；(2)其次将一定量的粘结剂放入装有烧结助剂、镁铝尖晶石粉体、分散剂形成的浆料中球磨12h‑24h；(3)最后将球磨完毕的浆料进行干燥、球磨、过筛。本发明工艺流程简单、生产成本低、原材料利用率高、粉体烧结活性好及易于批量化制备。通过选择合适的分散剂，可以有效地增加高纯粉体流变性，易于素坯成型，有利于提升素坯致密度；通过添加适量的粘结剂，可以实现对改性粉体尺寸控制。
一种低成本尖晶石体改处理方法

[实用新型]高纯磷脱水脱氧装置-CN202022939503.9有效
发明人：许兴;刘向前;马英俊;林泉;闵振东;李万朋;柴晨;魏巍 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C01B25/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及高纯材料提纯装置技术领域，具体涉及一种高纯磷脱水脱氧装置，包括：盛料组件，用于盛放待处理的原料磷；加热组件，套装在盛料组件的外壁上；控制组件，包括温度指示控制器、热电偶以及调压器，其中，热电偶与温度指示控制器电连接，并设置在盛料组件的外壁上，调压器与加热组件连接以调整加热组件的加热功率；抽真空组件，用于保持盛料组件内的真空状态。通过设置加热组件以及抽真空组件，使得可以对含微量水的原料磷进行高温、真空处理，有效排除原料磷中水和氧分子，从而获得高纯磷。
高纯脱水脱氧装置

[实用新型]籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置-CN202022910260.6有效
发明人：王博;李燕;柴晨;雷同光;王宇;冯德伸;于洪国;林泉 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，该籽晶清洗用置放结构包括框架本体和多个限位凹槽，框架本体包括至少三个侧板，所述至少三个侧板均竖直设置，并且所述框架本体为采用所述至少三个侧板合围形成；所述多个限位凹槽均设置在所述侧板的顶部，用于盛放籽晶。该籽晶清洗用置放结构通过在侧板的顶部侧面上设置限位凹槽，能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中，清洗较为彻底；同时还起到限位作用，避免籽晶之间产生磕碰，使得籽晶清洗更加彻底、安全。
籽晶清洗置放结构应用于锗单晶生长装置

[实用新型]监测热偶固定装置-CN202022996666.0有效
发明人：权盼;张路;马英俊;张洁;张賡;许兴;林泉;刘向前 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01K1/143 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件加工制造领域，具体涉及一种监测热偶固定装置，包括：套管，具有用于容纳所述监测热偶的管腔,所述套管的外壁面上标有刻度；工装卡具，包括本体，所述本体具有套管孔以及安装孔，所述套管孔用于容纳所述套管；支撑杆，所述工装卡具通过所述安装孔安装在所述支撑杆上，以将所述工装卡具吊装在待测温石英管的上方。通过使用带刻度的套管固定监测热偶，并通过工装卡具固定在靠近石英管外表面的位置，解决了监测热偶位置不准确，重复性较差的问题，使得监测热偶得以精确固定，提高了监测热偶的测温的准确性。
监测固定装置

[发明专利]一种锗砷硒碲合金靶材及其制备方法-CN201910526762.8有效
发明人：石红春;刘晓华;朱晨阳;何金江;杨海;雷继锋 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氧大尺寸锗砷硒碲合金靶材及其制备方法，所述合金包括以下各组分及其原子百分比：锗15～25％；砷20～40％；硒30～50％；碲3～10％，上述各原料混合后原子百分比之和为100％；所述制备方法包括将靶材原料蒸馏提纯后按上述配比混合放入石英管中，真空熔封后再加入10ppm的高纯GeCl4，再次熔封。二次熔封后的石英管放入摇摆炉中熔制、退火得到小尺寸铸锭，经热等静压处理将小尺寸铸锭扩散连接制备成大尺寸合金靶坯，靶坯经机械加工成大尺寸锗砷硒碲合金靶材。此方法制备的合金靶材规格为Dia(150～450mm)×Th(5～30mm)，杂质氧含量小于100ppm，相对密度大于99％。
一种锗砷硒碲合金及其制备方法

[发明专利]一种铝氮钪合金靶材的制备方法和应用-CN201811144407.6有效
发明人：丁照崇;李勇军;何金江;王兴权;雷继锋;庞欣;贺昕;刘晓 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁控溅射靶材制备技术领域的一种铝氮钪合金靶材的制备方法和应用。该方法以AlN粉、Sc粉为原料，经混合、压力烧结成型、机加工得到铝氮钪合金靶材，所得铝氮钪合金靶材的相对密度大于97％，能够应用于溅射沉积氮化物膜，溅射镀膜过程中，无需通入反应气体氮气即能稳定成膜。
一种铝氮钪合金制备方法应用

[实用新型]坩埚杆及直拉单晶炉-CN201922421356.3有效
发明人：魏炜;雷同光;李燕 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司;有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种坩埚杆及直拉单晶炉，所述坩埚杆的内部具有冷却水循环管路，并且所述冷却水循环管路沿着所述坩埚杆的高度方向设置；所述冷却水循环管路的进水口和至少一个出水口均设置在所述坩埚杆的底部。该坩埚杆能有效降低坩埚杆实用过程中的温度，有效保护密封结构，最终保障单晶成品率。
坩埚直拉单晶炉

[发明专利]一种掺氮的铝钪合金靶材及其制造方法-CN201811048555.8有效
发明人：丁照崇;王兴权;张晓娜;何金江;李勇军;雷继锋;庞欣;贺昕 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种掺氮的铝钪合金靶材及其制造方法。铝氮钪合金靶材化学成分为(AlxSc(1‑x))(1‑y)(AlN)y，其中以AlN形式对铝钪合金进行掺氮，掺氮的铝钪合金靶材以AlSc合金粉、AlN粉为原料，通过压力烧结工艺成型后由机加工制造出掺氮的铝钪合金单体成品靶材，或与背板焊接为复合成品靶材。采用该合金靶材溅射沉积氮化物膜，可降低膜层内氮原子缺失，确保薄膜合金成分比例。
一种合金及其制造方法

[发明专利]一种高纯硫系相变合金靶材的焊接方法-CN201910564882.7在审
发明人：张晓娜;万小勇;张巧霞;宋艳青;何金江;丁照崇;李勇军;陈明 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯硫系相变合金靶材的焊接方法，其包括以下步骤：1)提供高纯硫系相变合金靶材与背板；2)靶材和背板焊接面进行表面处理；3)在靶材和背板焊接面上放置适量有机焊接胶；4)将靶材焊接面与背板焊接面相接触，施加一定压力，进行焊接；5)将焊接后的靶材冷却，以完成焊接。本发明方法通过优化靶材和背板焊接面表面状态，使两者对有机焊接胶具有浸润性，从而增加焊合面积，提高焊接效果即焊合率；同时控制焊接温度和焊接压力，从而控制焊接胶带流动性，降低焊接胶用量及控制焊缝厚度，满足客户对靶材性能的要求。
焊接靶材背板相变合金高纯硫焊接面焊合靶材冷却表面状态焊接压力面相接触焊缝浸润性胶带对靶施加客户优化

[发明专利]一种硫系多元合金靶材及其制造方法-CN201910526761.3在审
发明人：何金江;石红春;万小勇;刘晓华;张晓娜;毛永军;闫缓;李勇军 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫系多元合金靶材及其制造方法，所述靶材包括的化学元素及其质量分数为：锗10‑30％，砷20‑40％，硒30‑50％，硅0‑10％，碲0‑10％；所述靶材的相对密度≥99.5％，氧含量低于150ppm。所述制造方法首先在真空条件下合成高纯度合金，再采用高速喷嘴气雾化制球形粉末，合金快速凝固成玻璃态，同时增氧很小，最后采用真空热压或者放电等离子体烧结实现高致密烧结成形，烧结过程中不存在污染问题。采用本发明制备的硫系多元合金靶材的综合性能好，组织性能优异，密度高，氧含量低。
靶材多元合金硫系化学元素放电等离子体烧结制造高纯度合金高速喷嘴快速凝固球形粉末烧结成形烧结过程污染问题真空热压真空条件质量分数综合性能组织性能玻璃态高致密气雾化增氧制备合金合成

[发明专利]一种铝钪合金靶坯及其制备方法和应用-CN201811144477.1在审
发明人：陈德宏;吴道高;何金江;钟嘉珉;闫缓;庞思明;张小伟;苗睿瑛;杨宏博;杨秉政 -专利权人： 有研新材料股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了属于铝钪合金技术领域的一种铝钪合金靶坯及其制备方法和应用。本发明通过冷坩埚悬浮熔炼结合变频电磁搅拌制备的铝钪合金靶坯氧含量＜100ppm，铝、钪元素的质量百分数之和＞99.95％，纯度高且氧含量低，利于后期高质量成膜；铝钪合金靶坯中二次析出相体积百分数为5～25％，平均尺寸为20～45μm，外形为多边形和近球形，微观组织均匀，靶坯致密度得到显著提高，能有效避免铸锭和变形加工过程中微裂纹等内部缺陷的形成，显著提高靶材品质及成品率。
铝钪合金制备方法和应用冷坩埚悬浮熔炼体积百分数质量百分数变频电磁变形加工内部缺陷微观组织成品率近球形微裂纹析出相靶材成膜铸锭制备

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