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[发明专利]一种半导体纳米材料器件及其制作方法-CN201110455639.5有效
发明人：刘冬华;张广宇;时东霞 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米材料器件及其制作方法，制作方法包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述轻掺杂半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四，去除所述过渡层的未被所述电极覆盖的区域；步骤五，进行半导体纳米材料器件的后续加工。本发明采用在低掺杂的半导体材料表面沉积高掺杂的过渡层来减小材料与金属电极之间的接触，之后去除电极之外的高掺杂层，既保证了较小的接触电阻，同时也消除了高掺杂层对器件的影响，使器件的性能有很大的提高。
一种半导体纳米材料器件及其制作方法

[发明专利]一种延长玻璃窑炉使用寿命及减少玻璃缺陷的冷却方法及冷却装置-CN201210540689.8无效
发明人： 时东霞 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C03B5/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种延长玻璃窑炉使用寿命及减少玻璃缺陷的冷却方法及冷却装置，方法：在玻璃窑炉下部（11）及炉底（12）外围设置冷却水槽（2），在冷却水槽（2）上设置有进水口（21）和出水口（22），冷却水从进水口（21）流进，流经冷却水槽（2）水道（23）对炉壁（11）及炉底（12）进行冷却后从出水口（22）流出；冷却装置包括设置在玻璃窑炉下部（11）及炉底（12）外围的冷却水槽（2），在冷却水槽（2）上设置有进水口（21）和出水口（22），该方法及装置有效提高产品质量，延长窑炉使用寿命，减少环境污染，成本低，易实施，效果明显。
一种延长玻璃使用寿命减少缺陷冷却方法装置

[发明专利]一种基于纳米石墨烯隧穿效应的人造皮肤及其制备方法-CN201210574577.4有效
发明人：张广宇;时东霞;赵静 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： A61F2/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米石墨烯隧穿效应的人造皮肤及其制备方法，基于纳米石墨烯隧穿效应的人造皮肤包括：柔性衬底、石墨烯层、金属电极，其中金属电极和石墨烯组成可感知应力的器件位于柔性衬底之上。本发明的人造皮肤具有石墨烯的优良特性，具有单原子层厚度、延展性好、抗压性强、电学性质优越等特点。
一种基于纳米石墨烯隧穿效应人造皮肤及其制备方法

[发明专利]基于分立式纳米石墨烯浮栅的新型低压高性能非易失性存储器-CN201210184172.X有效
发明人：张广宇;杨蓉;时东霞 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分立式纳米石墨烯浮栅的新型低压高性能非易失性存储器，包括：衬底、隧穿层、存储层、阻挡层和栅电极，所述存储层为分立的纳米石墨烯，利用纳米石墨烯的密度和尺寸调制作用，以及隧穿层的能带调制作用，可优化存储层中的电荷分布以及保持特性。本发明通过引入纳米石墨烯分立式浮栅，实现了低压操作下的低能耗非易失性闪速存储器，通过有效控制纳米石墨烯的密度和尺寸，以及调制隧穿氧化层的能带结构，可优化存储层中的电荷分布以及保持特性，实现器件的高性能操作。
基于立式纳米石墨烯浮栅新型低压性能非易失性存储器

[发明专利]一种粉体材料膨胀检测样品的制备方法-CN201110307283.0无效
发明人： 时东霞 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉体材料膨胀检测样品的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、将粉体材料放入模具中压制成柱状；B、在玻璃板上铺一层粉沫保护层；C、将步骤A中的柱状粉体材料放置在粉沫保护层上；D、将步骤C中放置有柱状粉体材料的玻璃板放入烧结炉中进行烧结，烧结完成后将柱状粉体材料取下即可。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种方法简单，样品成功率高，能有效减少材料损耗的粉体材料膨胀检测样品的制备方法。
一种材料膨胀检测样品制备方法

[发明专利]一种检验粉体材料中的磁性杂质的方法-CN201110308694.1无效
发明人： 时东霞 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检验粉体材料中的磁性杂质的方法，步骤如下：(1)样品称量：称取待测粉体材料样品300g；(2)溶解：加入1500ml纯水，使粉体材料样品与纯水充分混合；(3)搅动：在强度大于2000高斯的磁棒外包裹上小塑料样袋，并放入在样品与纯水混合溶液中充分接触搅动；(4)清洗：将磁棒与小塑料样袋同时取出，在盛有1000ml纯水的大烧杯中清洗2次，然后放入到盛有500ml水的烧杯中，再单独取出磁棒，将小塑料样袋表面吸附物质在烧杯中清洗，然后取出小塑料样袋；(5)磁性物含有情况判定：用磁棒在500ml水的烧杯杯底移动，即可观察出杯中磁性物的数量、大小及形状。本发明的优点有：整个检测过程耗时短，而且成本低，操作简单宜行，检测、筛选效果直观。
一种检验材料中的磁性杂质方法

[发明专利]一种石墨烯纳米图案的加工方法-CN201110321806.7无效
发明人：张广宇;时东霞;史志文;张连昌;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯纳米图案的加工方法，包括：在石墨烯上形成人工缺陷；用含氢等离子体对该石墨烯进行各向异性刻蚀。本发明提供的方法能够可控地加工出纳米级的石墨烯结构，精度可达到十纳米以下，且能够得到具有原子级平整的zigzag边缘结构的石墨烯纳米结构。
一种石墨纳米图案加工方法

[发明专利]一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法-CN201010191154.5有效
发明人：张广宇;时东霞;张连昌 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法，步骤为：A)基底材料放入等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔体中，抽真空，基底升温到400-600℃，通入碳氢化合物气体以及其它惰性气体，控制气体的气压不超过1Torr；B)开启等离子体电源，使碳氢化合物离化裂解成活性基团，在400-600℃的基底表面发生反应，实现石墨烯的直接生长。本发明解决了在非特异性基底表面直接生长高质量石墨烯的难题，无论是对探索石墨烯的大面积直接生长技术、理解石墨烯的生长机理、研究石墨烯的基础物理问题，还是对探索石墨烯薄膜的实际应用、拓展石墨烯的应用范围都具有重要意义。
一种各种基底直接生长石墨方法

[实用新型]一种用于筛选低熔点玻璃粉的包装筛网-CN201020527443.3无效
发明人： 时东霞 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于筛选低熔点玻璃粉的包装筛网，包括网体，在网体顶部设有不锈钢筛网，在网体底部设有一出料口，其特征在于在不锈钢筛网下方、靠近出料口处设有一不锈钢拖网，所述不锈钢筛网与不锈钢拖网之间的间距构成筛选空间，在筛选空间内、不锈钢拖网上设有若干个可随不锈钢筛网振动而弹跳并敲打不锈钢筛网的弹跳球。本实用新型的目的在于克服现有技术的不足之处，提供了一种有效减少封网现象，保证低熔点玻璃粉匀速降落，并从而达到低熔点玻璃粉所需要的粒度分布要求的用于筛选低熔点玻璃粉的包装筛网。
一种用于筛选熔点玻璃粉包装筛网

[发明专利]一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法-CN200910091395.X有效
发明人：张广宇;时东霞;杨蓉;王毅;张连昌 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法，以利用这种方法来实现石墨烯晶向定位、石墨烯的加工剪裁及图案化，该方法包括：采用含氢等离子体对石墨或石墨烯的表面进行各向异性刻蚀，在石墨或石墨烯表面形成多个规则的六角形空洞，该多个六角形空洞均具有相同的取向，该取向与石墨烯的晶向是匹配的，且刻蚀边缘具有原子级平整，边缘结构均为zigzag构型。利用本发明，克服了现有对石墨或石墨烯进行刻蚀方法存在的局限性，实现了尺寸可控、并具有原子级平整边缘的石墨烯的加工剪裁及图案化。
一种石墨进行各向异性刻蚀方法

[发明专利]石墨烯纳机电系统开关器件-CN200910091396.4有效
发明人：张广宇;时东霞;史志文;杨蓉;王毅 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯纳机电系统开关器件，包括：一U形沟槽结构；制作于该U形沟槽结构两侧边端部的两个金属电极，该金属电极作为源极；制作于该U形沟槽结构沟内底面中心的一接触电极，该接触电极作为漏极；基底作为栅极，源极与栅极以及漏极与栅极之间具有一绝缘层；两端分别固定于两源极的一石墨烯条带，该石墨烯条带悬浮于漏极之上，在该石墨烯条带发生形变时与漏极连通或关断。利用本发明，实现了器件的小型化，从而为将来这类器件的更高程度的集成创造了条件，非常有利于器件的集成。
石墨机电系统开关器件

[实用新型]一种铂金坩埚-CN200920059420.1无效
发明人： 时东霞;李珍 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C03B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了种铂金坩埚，用于熔解低熔点玻璃粉，包括上端开口的坩埚本体，所述的坩埚本体安装在坩埚座上，其技术方案的要点是，所述的坩埚本体外表面设有防止铂金坩埚高温条件下氧化挥发的保护层。本实用新型目的是克服现有技术中的不足，提供一种在外表面设有的保护层，以减少高温条件下铂金的氧化挥发，从而减少坩埚的铂金损耗。
一种铂金坩埚

[实用新型]一种低熔点玻璃原料投料装置-CN200920059421.6无效
发明人：李珍;时东霞 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C03B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低熔点玻璃原料投料装置，其技术方案的要点是，包括将玻璃粉输送到坩埚漏斗上方的输料管，所述的输料管一端与进料仓连接，所述的输料管与进料仓内腔相通，所述的输料管另一端设有上、下端均开口的固定落料位置的落料头，在所述的输料管内设有输送机构，所述的落料头设置在坩埚漏斗的正上方。本实用新型目的是克服了现有技术中的不足，提供一种落料中心可以得到准确调整和控制，投料速度的大小不会随落料中心变化的低熔点玻璃原料投料装置。
一种熔点玻璃原料投料装置

[实用新型]铂金坩埚的改进结构-CN200820202656.1无效
发明人： 时东霞 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2008-10-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C03B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及铂金坩埚。一种铂金坩埚的改进结构，包括含加料口的熔化池，设有第一排气孔的澄清池，熔化池与澄清池的下部相通，熔化池与澄清池的上部通过挡板隔开，在熔化池顶端靠近挡板位置或在挡板上部设置第二排气孔以便熔化池内的腐蚀性气体选出。其优点是：1)通过在挡板上部设置第二排气孔，使腐蚀性气体流向澄清池，并通过第一排气孔排出，有利于腐蚀性气体的逸出，减少腐蚀性气体对坩埚的损伤，延长坩埚的使用寿命，减少铂金损耗。2)通过在熔化池顶端靠近挡板位置设置第二排气孔，可以直接将腐蚀性气体排到外面。
铂金坩埚改进结构

[实用新型]铂金坩埚装埚结构-CN200820202472.5无效
发明人： 时东霞 -专利权人：珠海彩珠实业有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： F27B14/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及铂金坩埚。本实用新型的铂金坩埚装埚结构，包括由衬套和底座构成的加热炉以及置于加热炉衬套内的铂金坩埚，所述铂金坩埚和加热炉衬套之间填充有颗粒状耐高温导热材料构成的缓冲层。所述的颗粒状耐高温导热材料可以是氧化铝粉、二氧化硅粉或是氧化铝粉和二氧化硅粉的混合物。本实用新型的优点是：1)在铂金坩埚和加热炉衬套之间填充有颗粒状耐高温导热材料构成的缓冲层，将硬性接触变为软性接触，有效地减少了高温时坩埚埚体的变形、损坏。2)颗粒状导热材料使温度分布更均匀。3)颗粒状耐高温导热材料铺垫在铂金坩埚的外表面，可以减少高温时铂的氧化挥发，从而起到保护铂金、减少铂金损耗的作用。
铂金坩埚结构