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[实用新型]一种氮化铝陶瓷发热体-CN202223547535.X有效
发明人：余晓初;李啸琳;朱萍 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H05B3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化铝陶瓷发热体，涉及陶瓷发热技术领域，以解决现有的氮化铝陶瓷发热体内部发热管件在发生损坏更换时，由于氧化铝陶瓷外壳与发热管件在高温下共烧而成一体结构，从而需要将氧化铝陶瓷外壳一起换掉的问题，包括氮化铝陶瓷发热壳体；氮化铝陶瓷发热壳体后侧开口处安装有固定件，且固定件前端面固定连接有堵塞块，并且堵塞块与固定件上固定连接有发热管件；通过固定件、弹性卡扣和卡接框的配合，能够在本氮化铝陶瓷发热体上的发热管件发生损坏需要更换时，只需将发热管件和固定件进行更换即可，由于固定件与发热管件加起来的成本远低于本氮化铝陶瓷发热体的总成本，从而有效降低了本氧化铝陶瓷发热体的维护成本。
一种氮化陶瓷发热

[实用新型]一种陶瓷基板线圈-CN202223496405.8有效
发明人：余晓初;李啸琳;朱萍 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种陶瓷基板线圈，涉及电磁线圈技术领域，解决了线圈防护，定位和散热的问题，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板开设有一组呈环形阵列状分布的散热孔，陶瓷基板的角落处开设有两个螺栓安装孔，陶瓷基板的外侧安装有一个防护主体，防护主体的外侧安装有一个稳固架，所述第一线圈的内侧安装有一个第二线圈，第一线圈、第二线圈安装在防护主体的内侧位置。线圈的端部设置有焊接块，陶瓷基板设置有定位块，解决了焊接块稳固与定位的效果，焊接块设置有定位槽，定位槽对外接电源线焊接位置定位，本实用新型在陶瓷基板上设置有散热孔，通过散热孔有助于第一线圈、第二线圈的散热。
一种陶瓷线圈

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板烘干装置-CN202211725373.6在审
发明人：余晓初;李啸琳;朱萍 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： F26B15/18 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铝陶瓷基板烘干装置，涉及烘干设备领域，包括：安装部件，所述安装部件上安装有输送部件，安装部件的安装板中间位置处设置有中槽，输送部件的输送带具有凸条，减小基板与输送带的接触，输送带末端与翻转部件紧贴，使得翻转部件将基板承载随后进行转动，由于输送部件设置为圆心对称的两组，翻转部件会将基板翻转到另一侧输送部件处，实现翻转部件对基板的翻转，让输送部件处安装的过滤部件与烘干部件实现对基板的稳定烘干效果，有利于现有烘干设备，只具有对氮化铝陶瓷基板的单面进行烘干，无法同时对两个面进行烘干，造成设备需要人工翻转，容易对基板造成损伤或粘上灰尘的问题。
一种氮化陶瓷烘干装置

[实用新型]一种方形IGBT外壳解除应力的结构-CN202123441185.4有效
发明人：张晓;余晓初;李啸琳;朱萍;周文高;孙小伟;张宁;朱晓刚;秦蕾;冯炜平 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方形IGBT外壳解除应力的结构，包括铜块、小阳极法兰圈和瓷环，所述铜块的外侧设置有小阳极法兰圈的一端，所述小阳极法兰圈的另一端设置有瓷环。该方形IGBT外壳解除应力的结构，通过将铜块分成两部分，上下两部分用定位销固定，下面一部分和陶瓷焊接，由于其铜块薄，减小了焊接的应力，上面一部分包含小方块的部分不参与焊接，机械加工后可以保证其平面度0.008以内，确保了封装的要求。
一种方形 igbt 外壳解除应力结构

[实用新型]一种铜与不锈钢零件银铜共晶钎焊的激光阻焊结构-CN202123389644.9有效
发明人：余晓初;王晓刚;郑彬;朱伟;赵蓓莉 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B23K33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜与不锈钢零件银铜共晶钎焊的激光阻焊结构，包括不锈钢零件、镀镍助焊层、阻焊带、钎料焊缝一、钎料焊缝二和无氧铜，所述不锈钢零件的外壁表面设置有镀镍助焊层，所述不锈钢零件的外壁表面开设有两个通孔，所述无氧铜焊接在通孔内，并与通孔的内壁形成钎料焊缝一，同时无氧铜与不锈钢零件的外壁形成钎料焊缝二，在所述钎料焊缝一和钎料焊缝二的外侧激光打标阻焊带。该铜与不锈钢零件银铜共晶钎焊的激光阻焊结构，采用激光使镀镍后的零件在钎焊前焊缝外沿打出0.2‑0.5mm的阻焊带，迫使高温中钎料不能流淌到其它地方去，从而达到美化焊缝，节约钎料的目的。
一种不锈钢零件银铜共晶钎焊激光结构

[发明专利]一种厚SiC陶瓷零件和厚不锈钢零件的缓冲焊接方法-CN202111585597.7在审
发明人：余晓初;王晓刚;郑彬;朱伟;赵蓓莉 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明涉及焊接技术领域，本发明公开了一种厚SiC陶瓷零件和厚不锈钢零件的缓冲焊接方法，包括以下步骤：步骤(1)、在所需焊接的SiC陶瓷零件表面涂覆SiC陶瓷活性钎料；步骤(2)、将退火后的无氧铜箔放在不锈钢零件及SiC零件之间作为缓冲过渡层；步骤(3)、通过石墨工装施加1‑10MPa的压力，并在1x10‑4Pa的真空热压炉中进行扩散钎焊，扩散焊温度范围为1073K‑1173K，时间为3.6ks‑30ks。本发明焊接后介面层由于有无氧铜缓冲层的存在，使得不锈钢和SiC陶瓷焊接应力通过无氧铜层低的屈服强度而释放，大大提高了焊接的可靠性。
一种 sic 陶瓷零件不锈钢缓冲焊接方法

[发明专利]一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法-CN202111577263.5在审
发明人：王晓刚;郑彬;朱伟;赵蓓莉 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，包括以下步骤；步骤(1)、帖感光膜曝光显影；步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶，进行干燥；步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥；步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗；步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。本发明方法简单，定位丝印不需太高精度，整体图案的精度取决于感光掩膜的精度，没有二次对位误差；只用一次贴膜曝光显影，不需要二次曝光，不需要标记点定位。
一种覆厚铜陶瓷阶梯图形蚀刻方法

[发明专利]一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法-CN202111649609.8在审
发明人：朱萍;余晓初;王晓刚;郑彬;朱伟;赵蓓莉 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷覆铜板技术领域，本发明公开了一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，包括以下步骤：步骤(1)、将陶瓷板打孔，按电流需要设置孔的数量，打孔时在陶瓷板边缘设置标记孔，方便后续曝光定位；步骤(2)、对陶瓷板两面进行丝印银铜浆料，丝印的同时，通过刮板作用向孔内灌入银铜浆料；步骤(3)、在真空炉内进行真空烧结覆铜层，同时陶瓷孔内部形成导电钉；步骤(4)、用陶瓷板的标记孔对位进行贴膜曝光显影蚀刻脱膜，需要导电的位置就形成了适合大电流的隐形导电过孔。本发明工艺简单，孔的金属化和AMB覆铜烧结同时完成，而且过孔载流能力大，是大电流陶瓷双面板线路的优选方案。
一种双面陶瓷铜板流过金属化方法

[发明专利]一种清洗氮化硅陶瓷覆铜板黑边的方法-CN201910320504.4有效
发明人：王晓刚;陆聪;郑彬 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2019-04-20 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗氮化硅陶瓷覆铜板黑边的方法，包括以下步骤；步骤一：将切割好的氮化硅陶瓷覆铜板放入10℃‑50℃纯水中超声水洗1‑2min；步骤二、将清洗干净的氮化硅陶瓷覆铜板放入含有一定铜缓蚀剂的溶液中；步骤三、将10%‑40%浓度的双氧水缓慢均匀的滴入含有铜缓蚀剂的溶液中，取出氮化硅陶瓷覆铜板；步骤四、将氮化硅陶瓷覆铜板用纯水冲洗后，放入5%‑10%浓度的稀盐酸溶液中，去除表面轻微的氧化层，再一次用纯水冲洗干净；步骤五、将黑边预氧化过后的氮化硅陶瓷覆铜板放入氢氟酸的溶液中，超声浸泡30‑40min，彻底洗去黑边。本发明通过预氧化，再清洗的方法，能够在不伤害氮化硅表面铜皮的情况下，洗去相应的黑膜，可以彻底去除黑边。
一种清洗氮化陶瓷铜板方法

[发明专利]一种用于多芯片封装钎焊过程中保持界面平整的方法-CN201810770582.X有效
发明人：陆聪;王晓刚;郑彬 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明用于多芯片封装钎焊过程中保持界面平整的方法，将厚度0.2mm的铜片裁剪至与工装产品组的平面尺寸相同；将铜片放入湿氢炉中，900℃下保温1‑3h退火，然后将退火后的铜片取出；将铜片压平后，每三片叠在一起，铜片组堆叠边缘涂上乙基纤维素的醇溶液，低温烘干，使得三片铜片形成一个多层结构的铜片组；取两个铜片组，分别为第一铜片组和第二铜片组，将第一铜片组放入压头与工装产品组之间，第一铜片组的顶部和底部分别与压头的底部及工装产品组的顶部接触，将第二铜片组放入底座与工装产品组之间，第二铜片组的顶部和底部分别与工装产品组的底部及底座的顶部接触；进行钎焊操作。本发明使工装产品组表面压力均匀分布。
一种用于芯片封装钎焊过程保持界面平整方法

[发明专利]一种轨道交通芯片用氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法-CN201810771332.8有效
发明人：陆聪;王晓刚;郑彬 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明轨道交通芯片用氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法，制备所需图形的丝印网框；处理气相二氧化硅；在银铜钛粉中掺入气相二氧化硅和触变剂，得到混合粉料；将混合粉料放入球磨罐中，倒入酒精及氧化锆球，添加防氧化剂，球磨得到酒精浆料；将酒精浆料倒出，低温烘干，得到混合粉体；将饱和聚酯树脂溶解在二元酸脂有机溶剂中，得到树脂溶液；将混合粉体、异氰酸酯固化剂及树脂溶液充分搅拌，混匀得到印刷浆料；将所需图形用印刷浆料印刷在陶瓷片上，放入烘箱；将涂有印刷浆料的陶瓷片，覆铜焊接，得到氮化物陶瓷覆铜板；对氮化物陶瓷覆铜板涂满保护胶，镭雕打出图形；将氮化物陶瓷覆铜板蚀刻完毕，得到覆铜图形。本发明节省材料、浆料不会坍塌。
一种轨道交通芯片氮化物陶瓷铜板图形方法

[实用新型]一种陶瓷覆铜板焊接时精确定位的工装-CN201921075535.X有效
发明人：陆聪;王晓刚;郑彬 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷覆铜板焊接时精确定位的工装，包括压头平台、一对结构相同的基座、一对结构相同的固定旋钮、一对结构相同的深度游标卡尺和直角定位框，一对所述基座设置在压头平台的顶端边缘处，一对所述深度游标卡尺内嵌在一对所述基座的内腔，一对所述固定旋钮位于一对所述基座外壁，且将深度游标卡尺锁紧，一对所述深度游标卡尺的相对端设置有直角定位框，且直角定位框位于压头平台的顶端。该陶瓷覆铜板焊接时精确定位的工装，定位准确，可以保证每次装模时，模具所处的位置误差在0.5mm以内，可以保证接触面平整，保证了模具寿命和陶瓷覆铜板的焊接性。
一种陶瓷铜板焊接精确定位工装

[实用新型]一种陶瓷覆铜板的裂片装置-CN201920541298.5有效
发明人：王晓刚;陆聪;郑彬 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2019-04-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B28D1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷覆铜板的裂片装置，包括工装，所述工装呈矩形，且工装分为四个面，所述工装的四个面上从上至下一次开设有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和第四凹槽，且第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和第四凹槽的宽度分别为1.0mm、0.7mm、0.4mm和0.3mm，所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和第四凹槽的四个面的深度按顺时针分别1mm、2mm、3mm和4mm。该陶瓷覆铜板的裂片装置，通过将工装分为四个面，四个面上开设不同的凹槽，构成16种规格的裂片槽，使用时，选取对应面的对应凹槽，将陶瓷覆铜板需要裂片的一边插入进去，然后轻轻一掰，就能将窄边裂开，可以很好地夹住狭窄瓷边，裂片非常简单，裂片效果理想，避免出现成品部位瓷边的碎裂。
一种陶瓷铜板裂片装置

[实用新型]一种陶瓷管壳制备紧配门极引线管的装置-CN201921075534.5有效
发明人：李啸琳;朱萍;孙小伟 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷管壳制备紧配门极引线管的装置，包括陶瓷底座和陶瓷上盖；所述陶瓷底座包括发射极法兰、陶瓷、发射极铜压块、发射极小法兰、发射极小法兰和门极引线管；所述陶瓷上盖包括集电极铜压块和集电极法兰，所述集电极铜压块的外侧焊接有集电极法兰的一侧，所述集电极法兰的另一侧焊接在发射极法兰的顶端。该陶瓷管壳制备紧配门极引线管的装置，焊接前通过给压头施加一定的力F将银铜焊料压扁，让门极引线管撑紧在陶瓷孔中，装入焊接模具中在800～900℃的温度中焊接，可以实现一级焊接，气密性与拉力都优于分级焊接，且可以提高生产效率，缩短陶瓷管壳底座制备周期。
一种陶瓷管壳制备紧配门极引线装置

[实用新型]一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构-CN201921075536.4有效
发明人：李啸琳;朱萍;孙小伟 -专利权人： 无锡天杨电子有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，包括陶瓷底座、陶瓷底座包括发射极铜块、发射极小法兰、瓷件、集电极焊接法兰和辅助极引出管，发射极铜压块的外壁四周设置有发射极小法兰，发射极小法兰的顶端外边缘设置有瓷环，瓷环的顶端一侧面焊接有发射极法兰，瓷环的内壁设置有辅助极引出管，瓷环、辅助极引出管与发射极小法兰之间均通过金属化层连接导通。该IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，将瓷件内壁辅助极引出管与发射极小法兰之间直接用金属化层连接导通，最终实现辅助极引出管与发射极铜块之间导通，该结构简单、连接稳定性高，且省却了焊接接线片的工序，并使内部空间扩大，装载芯片更加简单方便。
一种 igbt 陶瓷外壳信号引线结构

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