“方合”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种SGT器件制作方法-CN202310125101.0在审
发明人：汪国军;王友伟;杨强;方合;徐雷军 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一包含沟槽的外延片，再沿外延片与沟槽的表面淀积场氧层，沿沟槽内淀积第一多晶硅并进行回刻，接着刻蚀沟槽内的部分第一多晶硅，以形成槽内多晶层，再对场氧层进行减薄，并露出槽内多晶层的头部，去除槽内多晶层的头部，以使槽内多晶层的表面低于或平行于外延片的表面，并去除减薄后剩余的场氧层，接着沿去除场氧层后的位置生长栅氧层，再沿沟槽内淀积第二多晶硅并进行回刻，以形成栅极层，制作SGT器件的电极。本申请提供的SGT器件制作方法具有提升了整个SGT器件的电学性能的优点。
一种 sgt 器件制作方法

[发明专利]TEOS膜的制作方法-CN202111010449.2有效
发明人：方合;宋维聪 -专利权人：陛通半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种TEOS膜的制作方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜以及在第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜，其中第一层TEOS薄膜沉积过程中未采用低频射频电源进行电离，而第二层TEOS薄膜的沉积过程中采用了低频射频电源进行电离。第一层TEOS薄膜的厚度为20～400nm，第二层TEOS薄膜的厚度为2000～6000nm。第一层TEOS薄膜具有较低的压应力，使得其与硅晶圆的粘附力较强而不容易脱膜。第二层TEOS薄膜的具有较佳的致密性，从而降低漏电流。因此，采用本申请提供的制作方法制得的TEOS膜既保持了较好的绝缘性能，同时也不容易从硅晶圆上脱落。
teos 制作方法

[发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN202210908631.8在审
发明人：田翠霞;王友伟;车洪祥;方合;徐雷军 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF6，以对硅衬底进行刻蚀，并形成沟槽；在预设时间后向硅衬底通入钝化气体O2，以在沟槽表面形成SiO2钝化层；去除沟槽底部的SiO2钝化层；重复执行通入SF6、O2以及去除底部SiO2钝化层的步骤，直至达到预设刻蚀深度；其中，SiO2钝化层的生成速率大于与SF6的反应速率。本申请提供的深硅刻蚀方法具有刻蚀速率更快的优点。
一种刻蚀方法

[发明专利]Trench MOS结构及其制作方法-CN202210552715.2在审
发明人：方合;徐雷军;王友伟;王维 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种Trench MOS结构及其制作方法，首先对外延层进行Body注入形成注入区并进行退火处理，再在注入区进行源极离子注入及退火处理形成源极。之后再对外延层进行刻蚀形成沟槽，于沟槽内生长形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅。本方案中，在制作中先进行Body注入和源极离子注入并退火，再进行沟槽制作和多晶硅填充，如此，可有效避免Body注入和源极离子注入后退火的高温对多晶硅产生影响，进而影响器件性能。
trench mos 结构及其制作方法

[发明专利]一种PVD镀膜设备-CN202110985070.7有效
发明人：方合;周云;宋维聪 -专利权人：陛通半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种PVD镀膜设备，包括：腔体、溅射单元、基座、承载装置、形变传感器和边缘顶针装置；溅射单元位于腔体上部；基座、承载装置位于腔体内部，承载装置包括承载件和升降机构，承载件位于基座的外围，升降机构与承载件相连接；形变传感器位于腔体内壁，一端电性连接有控制单元；边缘顶针装置有两个，分别与控制单元电性连接，根据控制单元接收到的晶圆形变的信号将镀膜后的晶圆顶起。本发明中的设备保证晶圆只在边缘处接触边缘凸环，减少了晶圆正面的划伤和晶圆碎片，提升良率且有效防止晶圆正面产品被镀；且兼顾镀膜后不同的晶圆翘曲形变，大幅降低晶圆滑落及碎片的几率。
一种 pvd 镀膜设备

[发明专利]伸缩驱动组件结构和半导体设备-CN202110634353.7有效
发明人：方合;张慧;崔世甲;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种伸缩驱动组件结构，包括驱动单元和多个滑动伸缩单元，多个滑动伸缩单元与多个待伸缩结构一一对应连接；各滑动伸缩单元包括推杆、可伸缩管、丝杆、滑块、导轨、带动块、固定块、阻尼块、第一限位块和第二限位块；可伸缩管一端与待伸缩结构相连接；推杆设置于可伸缩管内，且一端与可伸缩管密封连接；滑块设置于所述丝杆上，且与丝杆螺纹配合，丝杆一端与驱动单元相连接，另一端延伸到导轨内；带动块一端与滑块相连接，另一端向上延伸；固定块与所述推杆相固定；阻尼块一端与固定块相连接，另一端向下延伸，当阻尼块和带动块均处于垂直状态时，两者在同一平面上的投影至少部分重合。本发明有助于缩小设备体积以降低设备成本和功耗。
伸缩驱动组件结构半导体设备

[发明专利]可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备-CN202110508314.2有效
发明人：方合;张慧;崔世甲;宋维聪 -专利权人：陛通半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备，包括腔体、溅射装置、基座、挡板、驱动装置、驱动齿轮、传动齿轮及多个可动遮挡单元；挡板包括第一部分和第二部分，第一部分沿腔体的周向分布，第二部分一端与第一部分的底部相连接，另一端向腔体的中心方向延伸；驱动齿轮和传动齿轮相啮合；多个可动遮挡单元位于传动齿轮的内侧，各可动遮挡单元包括相互连接的啮合部和遮挡部，啮合部与传动齿轮相啮合，相邻的遮挡部部分重叠，以在遮挡部的内侧形成溅射通道；驱动装置与驱动齿轮相连接；当驱动齿轮在驱动装置的驱动下旋转时，传动齿轮在啮合作用下旋转，并带动可动遮挡单元旋转，由此改变溅射通道的大小。本发明有助于提高镀膜均匀性。
灵活调整溅射范围物理沉积设备

[发明专利]可防误溅射的物理气相沉积设备-CN202110568274.0有效
发明人：方合;张慧;崔世甲;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可防误溅射的物理气相沉积设备，包括腔体、溅射装置、基座、伸缩遮挡模块及伸缩驱动机构；基座和伸缩遮挡模块位于腔体内，且伸缩遮挡模块位于溅射装置和基座之间，包括多个不同内径的可动遮蔽环，多个可动遮蔽环自上而下设置，各可动遮蔽环由2个位于同一平面的半圆环形可动遮挡部构成，各可动遮挡部与伸缩驱动机构相连接；当同一可动遮蔽环的2个可动遮挡部相互接触时构成无缝闭合的环形体，环形体的中心显露出晶圆的镀膜区域，以对晶圆进行边缘遮挡。本发明在物理气相沉积设备内设计多个内径不同的可动遮蔽环，各可动遮蔽环可以根据不同的需要闭合，以实现对晶圆边缘不同范围的遮挡，有助于提高镀膜品质和降低设备成本。
可防误溅射物理沉积设备

[发明专利]用于改善薄膜均匀性的镀膜设备-CN202110330031.3有效
发明人：周云;宋维聪;解文骏;方合 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改善薄膜均匀性的镀膜设备，包括：腔体、沉积源、晶圆基座，靶材位于腔体的上部，磁铁位于靶材上方，晶圆基座位于腔体下部，晶圆基座包括基座表面及位于基座表面下方的平板电极，平板电极用于提供偏压场，平板电极被一个或多个绝缘环分为多个电极区域，每个被绝缘环分开的电极区均能独立产生一个脉冲直流偏压或者射频偏压，以在晶圆表面不同区域产生相同或者不同的负偏压。本发明通过对平板电极的进行分区，由此可以根据晶圆表面不同区域的工艺需要设定不同的偏压大小，并通过调节各电极区域串联电阻的阻值来优化沉积薄膜的应力均匀性和方阻均匀性，能大幅提高沉积薄膜的品质，有助于提高生产良率。
用于改善薄膜均匀镀膜设备

[发明专利]一种ZnO纳米粒子的制备方法-CN201210065650.5无效
发明人：王顺利;李培刚;唐为华;方合 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C01G9/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种无机纳米材料的制备方法，具体是指一种ZnO纳米粒子的制备方法，本发明采用液相激光烧蚀法，步骤是将锌靶分别用去离子水与无水乙醇超声各清洗1h，再把一定浓度的CTAB水溶液倒入石英容器中，控制激光照射位置，控制激光焦点在锌靶表面，同时调整锌靶放置位置，使得焦点距离石英容器侧壁距离1.5cm，进行烧蚀反应。烧蚀过程中每隔一定时间改变一次照射点位置，最后将胶体溶液离心干燥得到粉体产物。本发明方法工艺简单易操作，可以通过改变靶材与溶剂种类、激光能量密度、烧蚀时间等条件制备各种尺寸和形貌的纳米粒子，制得的产物纯度高。
一种 zno 纳米粒子制备方法

[发明专利]一种制备核壳结构二氧化钛纳米颗粒的方法-CN201110100915.6无效
发明人：李立群;方合;李培刚;刘爱萍;朱晖文;唐为华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明是公开了一种无机纳米材料的制备方法，具体是指一种制备核壳结构二氧化钛纳米颗粒的方法。本发明先取一定体积的去离子水倒入石英玻璃容器中，将经过去离子水和乙醇超声清洗过的Ti靶放入溶液中，斜靠着器壁放置，通过激光照射到靶材的表面，同时调整焦点到石英容器器壁距离，在水溶液中进行反应即可，反应完成之后可得淡蓝色TiO2胶体溶液。本发明方法工艺简单易操作，绿色环保，反应过程中无需使用对环境有污染的复杂化合物做前驱体，可以通过改变靶材与溶剂种类、激光能量密度、烧蚀时间等条件制得不同尺寸不同形貌的产物。
一种制备结构氧化纳米颗粒方法

1
共 11 条