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[发明专利]具有薄膜交换耦合磁性结构件的微波循环器-CN200910208171.2无效
发明人： 斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波循环器，其使用薄膜交换耦合结构件来提供围绕该循环器的面内磁场。交换耦合结构件包括铁磁层和反铁磁层，所述铁磁层的面内磁化取向为大致围绕循环器，所述反铁磁层与所述铁磁层交换耦合而向所述铁磁层提供交换偏置场。交换耦合结构件连接有多个导电端口。循环器的位于端口之间的部分或腿部各自可缠绕有电线圈，每个线圈与电流源相连。没有外部磁场时，交换耦合结构件的铁磁共振频率取决于铁磁层材料的性质和因铁磁层与反铁磁层交换耦合而生成的交换偏置场的大小。如果使用了可选线圈中的一个或多个，则能通过改变线圈中的电流来改变外加磁场的大小，从而调谐铁磁共振频率。
具有薄膜交换耦合磁性结构件微波循环器

[发明专利]利用自旋转矩二极管效应的磁场检测系统-CN200910160349.0有效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电流垂直平面CPP传感器的磁场检测系统，所述CPP传感器比如为用于巨磁致电阻GMR和隧穿磁致电阻TMR自旋阀传感器的CPP传感器，所述磁场检测系统以与常规GMR和TMR自旋阀系统不同的模式操作。所述磁场检测系统包括：磁场传感器，包括：衬底；被钉扎铁磁层，具有面内磁化方向；自由铁磁层，具有在存在待检测外磁场时自由转动的面内磁化方向；以及非磁间隔层，在所述被钉扎铁磁层和自由铁磁层之间；电流源，耦接到所述磁场传感器，用于引导交流电流垂直通过所述磁场传感器的层；以及电压检测器，耦接到所述磁场传感器，用于检测施加交流电流期间存在外磁场时跨所述磁场传感器的直流电压。
利用自旋转矩二极管效应磁场检测系统

[发明专利]剪型电流垂直于平面巨磁致电阻传感器-CN200910132036.4无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2009-04-13 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种剪型电流垂直于平面巨磁致电阻传感器。剪型电流垂直于平面巨磁致电阻传感器具有磁阻尼的自由层，在一个实施例中，两个自由层中的每个与阻尼层接触，该阻尼层包括Pt、Pd或者镧系元素(从La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Th、Yb和Lu构成的组中选出的元素)。两个自由层中的每个具有一个与传感器的导电非磁性间隔层接触的表面和与相关的阻尼层接触的另一个表面。非磁性膜可以位于每个自由层和与其相关的阻尼层之间。在另一个实施例中，阻尼元素作为两个自由层中的每个中的掺杂剂或者杂质存在。在另一个实施例中，阻尼元素的纳米层位于两个自由层中的每个中。
电流垂直平面致电传感器

[发明专利]电流垂直于平面磁电阻传感器和磁电阻读头-CN200810131684.3无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种电流垂直于平面磁电阻传感器和磁电阻读头，在传感器的自由层和/或被钉扎层中具有包括Co、Fe和Ge的铁磁合金。该传感器可以是简单被钉扎结构，其中被钉扎层可以由CoFeGe铁磁合金形成。替代地，该传感器可以具有AP被钉扎层结构，其中AP2层可由CoFeGe铁磁合金形成。该含Ge合金包括Co、Fe和Ge，其中合金中Ge以约20－40原子百分比间的量存在，且其中合金中Co对Fe的比在约0.8和1.2之间。更具体地，CoFeGe合金可基本上由仅Co、Fe和Ge按化学式(Co_xFe_(100－x))_(100－y)Ge_y构成，其中，下标表示原子百分比，x在约45和55之间，y在约23和37之间。
电流垂直平面磁电传感器阻读头

[发明专利]电流垂直平面磁致电阻传感器-CN200710101998.4无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：电流垂直平面CPP磁致电阻传感器具有反平行自由APF结构作为自由层和用于所施加的偏置或检测电流的特定方向。APF结构具有第一自由铁磁层FL1、第二自由铁磁层FL2和反平行AP耦合APC层，APC层使FL1和FL2反铁磁耦合在一起从而FL1和FL2具有基本反平行的磁化方向并在存在磁场时一起转动。选择FL1和FL2的厚度以获得用于传感器的所需净自由层磁矩/面积，优选选择FL1的厚度大于FL1材料中电子的自旋扩散长度，以最大化电子的体自旋相关散射并因而最大化传感器信号。CPP传感器特别地利用从被钉扎铁磁层到APF结构指向的传统检测电流操作，引起对电流诱导噪声的抑制。
电流垂直平面致电传感器

[发明专利]具有利用赫斯勒合金的改进的电流垂直平面传感器的磁头-CN200610148545.2无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-16 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种包括CPP GMR读传感器的磁头，该读传感器包括参考层、自由磁层和设置在它们之间的间隔层，其中自由磁层和参考磁层每个由Co₂MnX构成，其中X是选自Ge、Si、Al、Ga和Sn构成的组的材料，并且其中间隔层由选自Ni₃Sn、Ni₃Sb、Ni₂LiGe、Ni₂LiSi、Ni₂CuSn、Ni₂CuSb、Cu₂NiSn、Cu₂NiSb、Cu₂LiGe和Ag₂LiSn构成的组的材料构成。另外的实施例包括双自旋阀传感器，其中自由磁层和参考层每个由赫斯勒合金构成。又一示例性实施例包括层叠的磁层结构，其中磁层每个由铁磁赫斯勒合金构成，且其中间隔层由非磁赫斯勒合金构成。
具有利用赫斯合金改进电流垂直平面传感器磁头

[发明专利]在磁阻传感器中用于改进交换偏置结构的斜角蚀刻的衬层-CN200610149421.6无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;詹姆斯·M·弗赖塔格;斯蒂芬·马特;穆斯塔法·M·皮那巴西 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有提高的钉扎场强度的磁阻传感器。该传感器包括被钉扎层结构。在具有以各向异性粗糙度处理的表面的衬层上构造AFM层。通过有角度的离子蚀刻产生的各向异性粗糙度导致了提高的钉扎强度。衬层可以包括籽晶层和形成在籽晶层上的例如PtMn的晶体材料的薄层。磁层可以包括NiFeCr的第一子层和形成在其上的NiFe的第二子层。本发明还包括具有沉积在衬层(例如非磁间隔)上的磁层的磁阻传感器，衬层具有通过各向异性纹理处理过的表面。然后在磁层上沉积AFM层。然后通过与AFM层的交换耦合和衬层的表面纹理提供的强各向异性的组合强地钉扎磁层。这样的结构例如能够用在具有被钉扎层结构的传感器中，或者用在具有堆叠内偏置结构的传感器中。
磁阻传感器用于改进交换偏置结构斜角蚀刻

[发明专利]具有电流限制孔的电流垂直平面自旋阀传感器-CN200610143327.X无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种电流垂直平面自旋阀(CPP－SV)磁致电阻传感器，具有带至少一孔的绝缘层，所述孔限制通过有源区的检测电流的流动。所述孔位于离传感器的检测边缘比后边缘更近。所述孔通过电子束光刻法构图，其可以精确控制所述孔的数目、尺寸和位置。绝缘层可以位于导电非磁间隔层中，也可以位于自旋阀的磁有源层之外。在叠层中可以包括超过一个的绝缘层，从而在绝缘层的孔重合处定义传导电流的路径。所述孔中填充导电材料，一般是与用于间隔层相同的材料。
具有电流限制垂直平面自旋传感器

[发明专利]用于异常磁致电阻元件的引线接触结构-CN200610138863.0无效
发明人：小罗伯特·E·方塔纳;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明公开一种EMR元件及其制造方法。该EMR结构包括形成有源区的一个或更多层，例如二维电子气(2DEG)。该EMR结构具有第一侧表面和相对的第二侧表面，该第一侧表面具有从该EMR结构的主体向外延伸的多个引线凸起。所述引线凸起用于形成该EMR元件的电流和电压引线。所述有源区延伸经过各引线凸起且沿所述引线凸起的每个的周边是可达到的。导电材料沿各引线凸起的周边形成且沿所述周边接触该EMR结构的有源区。所述引线凸起和接触各引线凸起的有源区的相应的导电材料形成该EMR元件的引线，例如电流引线和电压引线。
用于异常致电元件引线接触结构

[发明专利]具有改进反平行被钉扎结构的电流垂直平面磁电阻传感器-CN200510098021.2无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种电流垂直平面式自旋阀(CPP－SV)磁电阻传感器，其具有改进的反平行(AP)被钉扎结构。AP被钉扎结构具有由非磁反平行耦合(APC)层分开并且其磁化方向反平行取向的两铁磁层。AP被钉扎结构中铁磁层的一个是与CPP－SV传感器的非磁导电间隔物层相接触的参照层。在改进的AP被钉扎结构中，每个铁磁层具有大于30的厚度，优选地具有大于约50的厚度，并且APC层为具有小于7厚度，优选地为大约5或更小厚度的Ru或Ir层。超薄APC层，特别是如果由铱(Ir)形成，提供足够的耦合强度从而允许厚铁磁层将其磁化方向保持在稳定的反平行取向。
具有改进平行被钉扎结构电流垂直平面磁电传感器

[发明专利]窄道异常磁电阻器件-CN200510083648.0无效
发明人：阿米塔瓦·查托帕德亚;小罗伯特·E·方塔纳;布鲁斯·A·格尼;斯蒂芬·马特;欧内斯托·E·马里尼罗 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有最优磁灵敏度的能够读非常窄并且短的磁位的异常磁电阻传感器。该传感器包括半导体层和导电材料层。第一和第二引线电连接半导体材料的边缘，引线中的一个位于从传感器一端向内一段距离处。该传感器也包括第一和第二电压引线，它们位于电流引线中的一个的两侧并与之相接近。
窄道异常磁电器件

[发明专利]反铁磁/铁磁交换耦合结构垂直磁偏置异常磁电阻传感器-CN200510081415.7无效
发明人：马修·J·凯里;布鲁斯·A·格尼;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种异常磁电阻(EMR)传感器，其在EMR有源膜上具有反铁磁/铁磁交换耦合双层结构。双层结构中的铁磁层具有垂直磁各向异性并且被反铁磁层交换偏置。反铁磁/铁磁双层结构提供垂直于EMR有源膜平面的磁场来偏置EMR传感器的磁电阻对磁场响应。铁磁层可由任何可用于垂直磁记录的铁磁材料形成，并以其各向异性轴显著地离面的方式来制备。反铁磁层可由任何已知的Mn合金形成，例如PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn和RhMn，或者由任何绝缘反铁磁材料形成，例如那些基于钴氧化物和镍氧化物的反铁磁材料。
反铁磁交换耦合结构垂直偏置异常磁电传感器

[发明专利]电流垂直于平面磁阻传感器及其制造方法-CN200410100236.9无效
发明人：普拉卡什·卡西拉杰;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种电流垂直于平面的磁阻传感器具有用于靠传感电流产生的磁场稳定自由层的附加层。铁磁稳定层通过间隔层与自由层隔开并与第二反铁磁层交换耦合，第一反铁磁层是常规铁磁层，用于在CPP传感器中钉扎被被钉扎层。稳定层为涡旋或其它非纵向磁化模式，该稳定层的涡旋磁化模式通过与第二反铁磁层交换耦合固定。稳定层穿过间隔层被铁磁耦合到自由层，由此在无传感电流和外部磁场的情况下自由和稳定层具有相似形状的涡旋或其它非纵向磁化模式。传感电流在自由层中产生涡旋磁场，其方向与稳定层中固定的涡旋磁化模式的方向相反，该场基本上消除了自由层中的涡旋磁化模式的影响。
电流垂直平面磁阻传感器及其制造方法

[发明专利]数据存储系统用电阻加热装置-CN200410038600.3无效
发明人： 斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-04-27 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H05B3/12 文献下载
摘要：数据存储系统中的电阻加热器由化学无序的Cr_XV_100－X合金形成。该合金表现出高的电阻温度系数(T_CR)，从而可根据其电阻推断加热器温度，加热和冷却时，极小的电阻－温度滞后现象，高熔点和高温下电阻的时间稳定性。电阻加热器用在数据存储系统中，包括使用加热器热辅助记录，或者导致写入头极尖的突出，以降低磁头－硬盘间距的磁记录硬盘驱动器，和把悬臂尖端上的“纳诺加热器”用于磁性介质上的热辅助记录，或者聚合物介质上的热－机械记录的基于原子力显微术(AFM)的系统。
数据存储系统用电加热装置

[发明专利]具有在被钉扎层中含半金属铁磁性哈斯勒合金的交换耦合结构的磁电阻器件-CN200410004934.9无效
发明人：马修·J.·凯里;杰弗里·R.·柴尔德莱斯;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种具有通过非磁性间隔层分隔的被钉扎铁磁层和自由铁磁层的磁电阻器件，该器件具有使用接近100％自旋极化的半金属铁磁性哈斯勒合金作为被钉扎铁磁层的交换耦合反铁磁性/铁磁性结构。交换耦合结构包括AF层和被钉扎半金属铁磁性哈斯勒合金层之间的中间铁磁层，这导致交换偏置。可以结合交换耦合结构的磁电阻器件包括电流在平面内的(CIP)读磁头和电流垂直于平面的(CPP)磁性隧道结和读磁头。交换耦合结构在磁电阻器件中可以位于非磁性间隔层的下部或上部。
具有被钉扎层中含半金属铁磁性哈斯勒合金交换耦合结构磁电器件

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