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[发明专利]一种高密度扇出型封装结构及其形成方法-CN202310704444.2在审
发明人： 戴风伟 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度扇出型封装结构及其形成方法，高密度扇出型封装结构包括：互连结构；焊盘，其位于互连结构的第一面，并与互连结构电连接；桥接元件，其位于互连结构之间，其中桥接元件的正面具有第一凸点；第二介质层，其包覆焊盘和桥接元件，且焊盘的顶部和桥接元件的第一凸点露出第二介质层；第一凸块下金属，其布置在焊盘的顶部和桥接元件的第一凸点上；以及芯片，其倒装布置在第一凸块下金属上，以电连接焊盘和桥接元件。该结构中取消了铜柱，用焊盘替代，工艺更简单；将桥接元件埋入第二介质层中，无需额外塑封工艺塑封桥接元件，该结构的形成过程中仅需要一次塑封工艺，相比于两次塑封，降低了晶圆翘曲。
一种高密度扇出型封装结构及其形成方法

[实用新型]一种电磁屏蔽接地结构-CN202223546825.2有效
发明人： 戴风伟 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，提出一种电磁屏蔽接地结构，包括：多层重布线层，其中所述多层重布线层的其中之一为接地层；电磁屏蔽层，其布置在所述多层重布线层上；以及铜柱，其将所述接地层与所述电磁屏蔽层连接。本实用新型通过将接地层通过铜柱与电磁屏蔽层互连以实现大面积接地，接地效果好，可以很好地适用于晶圆级工艺。
一种电磁屏蔽接地结构

[发明专利]一种多层芯片至晶圆的混合键合方法及三维堆叠器件-CN202210059782.0在审
发明人：丁飞;戴风伟;王启东;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层芯片至晶圆的混合键合方法及三维堆叠器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的方法实现多层芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆涂覆保护胶层；在涂胶晶圆的反面分别贴承载膜和支撑环；对贴膜晶圆进行一次划片；去除划片芯片的正面的保护胶层；对目标晶圆的正面和其中一个待激活芯片的正面进行等离子激活；对激活芯片的背面和承载膜进行解键合；将其中一个去膜芯片的正面与激活目标晶圆的正面进行倒装预键合；重复进行多层芯片的堆叠；待处理器件依次进行退火和二次划片。本发明的多层芯片至晶圆的混合键合方法可实现多层芯片至晶圆直接混合键合。
一种多层芯片至晶圆混合方法三维堆叠器件

[发明专利]一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件-CN202111107815.6在审
发明人：丁飞;戴风伟;王启东;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆反面进行减薄和贴承载膜；对待划片晶圆进行一次划片和清洗，得到多个待激活芯片；对待激活芯片以及目标晶圆进行激活等离子激活，得到激活芯片和激活目标晶圆；对激活芯片和承载膜进行减键合和倒装预键合，得到待处理器件；对待处理器件依次进行退火和二次划片。本发明的芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件可实现芯片至晶圆直接混合键合。
一种芯片至晶圆直接混合方法三维堆叠集成器件

[发明专利]一种三维堆叠集成器件及其直接混合键合工艺-CN202111107807.1在审
发明人：丁飞;戴风伟;王启东;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维堆叠集成器件及其直接混合键合工艺，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该工艺为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆进行一次划片；对划片晶圆反面进行减薄，在减薄后的划片晶圆反面贴承载膜，清洗去除保护胶层；对待激活芯片以及目标晶圆进行等离子激活；对激活芯片和承载膜进行减键合，将激活芯片正面与激活目标晶圆正面进行倒装预键合，得到待处理器件；对待处理器件依次进行退火和二次划片，得到三维堆叠集成器件。本发明的三维堆叠集成器件及其直接混合键合工艺可实现芯片至晶圆直接混合键合。
一种三维堆叠集成器件及其直接混合工艺

[发明专利]一种降低晶圆翘曲的扇出封装结构及形成方法-CN202211473739.5在审
发明人：杨帅;徐成;戴风伟;张春艳;樊嘉祺;张凯 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低晶圆翘曲的扇出封装结构，包括：光刻胶，其上具有贴片开口；芯片，其位于贴片开口中；以及塑封层，其塑封芯片。该扇出封装结构能够有效降低晶圆翘曲，避免了塑封工艺后因晶圆翘曲过大，而无法进行后续的重布线层工艺的情况。本发明还涉及一种降低晶圆翘曲的扇出封装结构的形成方法。
一种降低晶圆翘曲封装结构形成方法

[实用新型]一种微型气旋式吸头-CN202221289256.5有效
发明人：丁飞;王启东;戴风伟;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型气旋式吸头，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中微型芯片直接接触拾取无法保证洁净度、所需空间较大、非接触拾取无法用于微型芯片的问题。该微型气旋式吸头包括依次连通的进气通道、配气型腔、气旋通道和气旋型腔，气旋通道的出气方向与气旋型腔的径向的角度大于0°且小于等于90°。该微型气旋式吸头可用于微型芯片的贴片。
一种微型气旋吸头

[发明专利]一种扇出型封装结构及方法-CN202210703723.2在审
发明人： 戴风伟;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种扇出型封装方法，其首先根据封装设计的重构晶圆尺寸、芯片尺寸，确定载片的尺寸，然后根据芯片的排布方式，在载片上形成贯穿载片的腔体，接下来，将载片贴附于临时键合载片上，并将芯片正面朝下放置于腔体中，并施压使其粘结于临时键合载片上，然后填充芯片与载片之间的缝隙及载片的第一表面，最后去除临时键合载片，并在载片的第二表面形成与芯片电连接的重布线结构。
一种扇出型封装结构方法

[实用新型]一种微型伯努利吸头-CN202221289243.8有效
发明人：丁飞;王启东;戴风伟;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型伯努利吸头，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中微型芯片无法实现非接触拾取的问题。该微型伯努利吸头包括进气通道、喇叭型腔、喷流盘和多个凸起；进气通道的出气口与喇叭型腔的进气口连接，喷流盘和凸起设于喇叭型腔的进气口处，凸起设于喷流盘朝向喇叭型腔进气口的一面；凸起的一端与喷流盘连接，凸起的另一端与喇叭型腔的内壁连接。该微型伯努利吸头可用于微型芯片的贴片。
一种微型伯努利吸头

[发明专利]一种保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法-CN202210585490.0在审
发明人： 戴风伟;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护low‑k介质的有源芯片硅通孔制作方法，包括：提供有源芯片，其中所述有源芯片包括衬底、金属互连层以及位于衬底与金属互连层之间的有源层，且所述有源层和金属互连层均具有通孔区，所述金属互连层包括多层介质层、位于多层介质层之间的low‑k介质以及位于介质层和low‑k介质中的金属布线；刻蚀介质层和low‑k介质形成第一通孔；在介质层的上表面以及第一通孔的内壁制作保护层；在介质层的上方以及第一通孔内布置光刻胶，并通过光刻去除第一通孔中的部分光刻胶形成孔图形，然后刻蚀孔图形底部暴露出的保护层；刻蚀位于孔图形之下的有源层中的通孔区和衬底形成硅通孔；以及去除光刻胶，并清洗硅通孔。
一种保护 low 介质有源芯片硅通孔制作方法

[发明专利]一种直孔硅通孔的介质层填充方法-CN202210464883.6在审
发明人：陈立军;戴风伟;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种直孔硅通孔的介质层填充方法，包括：将晶圆的背面减薄，并制作硅通孔；在晶圆的背面以及硅通孔内形成绝缘层，并去除位于硅通孔的底部的绝缘层；在硅通孔内和绝缘层上形成金属布线；以及通过真空压膜或真空涂胶工艺在硅通孔内和晶圆上形成介质层。通过该方法，可以有效保护直孔硅通孔内壁的金属层，增强芯片的可靠性，同时由于硅通孔内有介质层填充，晶圆表面相对平整，容易实现多层再布线结构，而不会出现线路不连续的问题。
一种直孔硅通孔介质填充方法

[发明专利]一种芯片封装结构及封装方法-CN202011416545.2有效
发明人：王全龙;曹立强;王国军;戴风伟 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构及封装方法，芯片封装结构包括：第一基片，所述第一基片具有第一表面，所述第一基片中具有容纳槽，所述容纳槽朝向第一表面；位于所述容纳槽中的芯片填充件，所述芯片填充件的侧壁与所述容纳槽的侧壁之间的间隔区域为第一微流道。把芯片填充件置于容纳槽中，芯片填充件的侧壁可以通过第一微流道进行散热，芯片四周散热效果较好，提高了芯片的可靠性。
一种芯片封装结构方法

[发明专利]一种浸没式散热的高频传输结构及其制造方法-CN202011591317.9有效
发明人：李君;曹立强;戴风伟 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/44 文献下载
摘要：本发明公开一种浸没式散热的高频传输结构，包括堆叠的第一晶圆及第二晶圆，其中，第一晶圆上台阶型的第一腔体与第二晶圆上的第二腔体形成深腔结构，深腔结构的表面设置有金属层，内部填充非导电液态媒质，形成传输波导或滤波器，芯片的部分表面贴装于深腔结构内，与金属层电连接，此外，第二晶圆上设置有通孔，一方面与泵、热交换器连通，另一方面可用作开口型天线。
一种浸没散热高频传输结构及其制造方法

[发明专利]一种光电芯片封装结构及其封装方法-CN202010924330.5有效
发明人：王全龙;曹立强;严阳阳;戴风伟 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种光电芯片封装结构及其封装方法，光电芯片封装结构包括：光芯片，所述光芯片包括光介质层，所述光介质层的一侧边缘区域为光耦合区；位于所述光芯片的正面且接触所述光耦合区表面的保护结构，所述保护结构的折射率小于所述光介质层的折射率。所述光电芯片封装结构的封装可靠性提高且光泄露降低。
一种光电芯片封装结构及其方法

[发明专利]一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法-CN202011005359.X有效
发明人： 戴风伟;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法，晶圆级键合结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第一键合面设置有第一导电结构；第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面，所述第二键合面设置有第二导电结构，所述第二键合面上设置有填充层，所述填充层中具有位于部分所述第二导电结构上的凹槽；所述第一导电结构位于所述凹槽中且与所述第二导电结构连接；所述填充层与所述第一导电结构侧部的所述第一键合面接触。本发明避免了晶圆级键合结构后续工艺出现质量问题，如减薄、刻蚀等容易碎片的问题。
一种晶圆级键合结构方法

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