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- [发明专利]高密度三维集成电容器-CN201180067151.3有效
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瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;皮尤什·萨瓦利亚
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德塞拉股份有限公司
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2011-12-09
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2017-03-22
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H01L21/02
- 元器件(10)包括基板(20)和电容器(40)。基板(20)可具有第一表面(21)、第二表面(22)和从第一表面延伸的开口(30)。电容器(40)可包括第一导电板(61)、第二导电板(62)、第三导电板(71)和第四导电板(72)，每个板都沿开口(30)的内表面(31)延伸。电容器(40)可包括分别在间隔开的第一位置和第二位置暴露的第一电极(163)和第二电极(164)、分别在间隔开的第三位置和第四位置暴露的第三电极(173)和第四电极(174)。第三板(71)可覆盖第一板(61)，且通过第一介电层(81)使二者分隔开。第二板(62)可覆盖第三板(71)，且通过第二介电层(82)使二者分隔开。第四板(72)可覆盖第二板(62)，且通过第三介电层(83)使二者分隔开。
- 高密度三维集成电容器
- [发明专利]具有连接有源芯片的插板的堆叠微电子组件-CN201180066393.0有效
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贝勒卡西姆.哈巴;瓦格.奥甘赛安;伊利亚斯.默罕默德;皮尤什.萨瓦利亚;克雷格.米切尔
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德塞拉股份有限公司
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2011-12-02
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2016-10-19
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H01L25/065
- 微电子组件(100)可包括第一微电子元件(102)、第二微电子元件(112)和插板(120)，每个微电子元件都包含邻近正面(104、114)的有源半导体器件，插板(120)的材料具有小于10ppm/℃的热膨胀系数。每个微电子元件(102、112)都可都具有在自身正面(104、114)暴露的导电垫(106、116)。插板(120)可具有在插板的开口(222)内延伸的第二导电元件(118)，且在插板的第一表面(227)及第二表面(229)暴露。第一表面(227)和第二表面(229)可分别面对第一微电子元件(102)和第二微电子元件(112)的正面(104、114)。每个微电子元件(102、112)还可都包括在从各微电子元件的背面(237、239)朝自身正面(104、114)延伸的开口(206、216)内延伸的第一导电元件(236、238)。至少一个第一导电元件(236、238)可穿过第一微电子元件(102)或第二微电子元件(112)中相应一个的导电垫(204、214)而延伸。
- 具有连接有源芯片插板堆叠微电子组件
- [发明专利]抗裂性多层发射极结构-CN201180063437.4无效
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N·朱厄尔－拉森;G·高
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德塞拉股份有限公司
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2011-10-25
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2013-12-18
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B03C3/60
- 一种热管理装置，包括电动流体加速器，其中的发射极电极（200,700）和另一电极能够获得能量而推动产生流体流。发射极电极为多层结构，其包括电极芯材（202,702）和易受微裂纹或电晕腐蚀影响的最外层导电层（204,704）。提供了作为子层的阻挡材料（203,708），其能够抵抗等离子体放电环境的不利影响，以在导电层损坏后保护下面的电极芯材。多层结构中，在阻挡材料和所述电极芯材之间或在阻挡材料和其它层之间可使用粘接促进层（202,702,720）。一种制造EHD产品的方法包括相对于另一电极来定位该多层电极以在获得能量后推动产生流体流。
- 抗裂性多层发射极结构
- [发明专利]引脚连接装置-CN201180067393.2有效
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贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德
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德塞拉股份有限公司
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2011-02-09
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2013-10-16
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H01L21/98
- 微电子封装(10)包括基板(20)，该基板(20)具有第一区域(26)和第二区域(28)，第一表面(22)和远离第一表面(22)的第二表面(24)。至少一个微电子元件(60)设置在第一表面(22)上的第一区域(26)之上。第一导电元件(30)暴露在基板(20)的第一表面(22)和第二表面(24)之一的第二区域(26)之内，并且至少一些第一导电元件(30)与至少一个微电子元件(60)形成电连接。基本上刚性的金属元件(40)设置在第一导电元件(30)之上，并具有远离第一导电元件(30)的端面(42)。结合金属(41)接合在金属元件(40)和第一导电元件(30)之间，模制介电层(50)覆盖在基板(20)的至少第二区域(28)上并具有远离基板的表面(52)。该金属元件(40)的端面(42)的至少一部分暴露于模制介电层(50)的表面。
- 引脚连接装置
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