专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种被动解锁的半导体器件锁定装置-CN202320716107.0有效
  • 周兵兵;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2023-04-04 - 2023-09-22 - B25B11/00
  • 本实用新型公开了一种被动解锁的半导体器件锁定装置,其包括:固定座、垫块、滑动锁块和被动轮,所述垫块水平设置在固定座上,所述滑动锁块可横移地设置在垫块两侧,所述固定座边缘设置有向上延伸并位于滑动锁块后方的挡块,所述滑动锁块背面设置有向贯穿挡块的导向杆,所述导向杆上设置有位于滑动锁块与挡块之间的弹簧,所述被动轮设置在滑动锁块的顶部,所述滑动锁块正面内凹设置有指向垫块的卡槽。本实用新型所述的被动解锁的半导体器件锁定装置,可以进行半导体器件的锁定及被动解锁,确保定位精度和稳定性,方便半导体器件的上料和下料。
  • 一种被动解锁半导体器件锁定装置
  • [实用新型]一种半导体器件嵌入式定位载具-CN202320612069.4有效
  • 周兵兵;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-08-18 - H01L21/687
  • 本实用新型公开了一种半导体器件嵌入式定位载具,其包括:定位块、顶杆、浮板、拨叉和底座,所述定位块设置在底座上方,所述定位块顶面内凹设置有嵌入槽,所述浮板可升降地设置在嵌入槽中,所述定位块底部内凹设置有与嵌入槽连通的凹槽,所述浮板底部设置有向下延伸的导套,所述定位块顶部内凹设置有向下延伸至凹槽中并位于嵌入槽一侧的插孔,所述顶杆设置在插孔中,所述拨叉可翻转地设置在嵌入槽中,所述拨叉前端延伸至顶杆的底部,所述拨叉前端下方设置有与底座接触的弹簧,所述拨叉尾端延伸至导套下方。本实用新型所述的半导体器件嵌入式定位载具,可以进行半导体器件的嵌入式定位,加强了输送过程中对半导体器件的保护,卸料便利性好。
  • 一种半导体器件嵌入式定位
  • [实用新型]一种防漏气的单晶硅片真空加热装置-CN202320579347.0有效
  • 周兵兵;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-07-21 - C23C14/22
  • 本实用新型公开了一种防漏气的单晶硅片真空加热装置,其包括:真空加热箱、电加热管、密封圈和接头,所述真空加热箱顶部设置有密封板,所述密封板上间隔设置有与电加热管一一对应的安装孔,所述安装孔上方设置有安装座,所述安装座顶面内凹设置有与安装孔连通的锥形孔,所述接头设置在安装座上,所述接头顶部外圆上设置有一圈环形的压圈,所述接头外壁设置有与锥形孔对应的圆锥面,所述电加热管设置在接头的下方并向下延伸至真空加热箱中,所述密封圈设置在压圈的底面与安装座的顶面之间。本实用新型所述的防漏气的单晶硅片真空加热装置,通过锥形孔与圆锥面的配合,进行密封,并利用密封圈进行密封效果的加强,避免漏气问题。
  • 一种漏气单晶硅真空加热装置
  • [实用新型]一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置-CN202320776929.8有效
  • 周兵兵;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2023-04-11 - 2023-06-23 - F27D7/02
  • 本实用新型公开了一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置,其包括:布气管、进气管接头和布气罩,所述进气管接头设置在水平放置的布气管上,所述布气罩设置在布气管的下方,并沿布气管的长度方向延伸,所述布气罩的两端分别设置有与布气管外圆相连接的第一封堵板,所述布气管两侧设置有与布气罩顶部对应侧相连接的连接板,所述布气罩底部设置沿其长度方向延伸的布气槽,所述布气罩内对称设置有位于布气槽两侧的隔板,所述隔板顶部与布气管外圆之间留有空隙,所述布气管下部两侧分别设置有一排指向对应侧隔板与连接板之间的布气孔。本实用新型所述的半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置,可以通过布气槽喷出气幕,提升了布气均匀性。
  • 一种半导体晶片氧化保护气体装置
  • [实用新型]一种半导体器件无损测试装置-CN202320554637.X有效
  • 江秉闰;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2023-03-21 - 2023-06-20 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种半导体器件无损测试装置,其包括:转盘、转盘驱动装置、半导体器件载具、测试插头、压触开关和导套,所述转盘水平设置在转盘驱动装置上,所述半导体器件载具环形阵列分布在转盘上,所述导套对称设置在半导体器件载具上,所述升降驱动机构底部设置有升降板,所述测试插头设置在升降板底部,所述升降板上可浮动地设置有位于测试插头两侧并与导套对应的插杆,所述压触开关设置在同步板底部并位于插杆的顶部上方。本实用新型所述的半导体器件无损测试装置,利用测试插头的下降进行半导体器件的插接与测试,自动化水平高,并在下降过程中利用导套与插杆的配合进行导向,避免测试插头与半导体器件的撞击损坏问题。
  • 一种半导体器件无损测试装置
  • [实用新型]一种SBD器件封装散热结构-CN202223024793.X有效
  • 周兵兵;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-04-21 - H01L23/367
  • 本实用新型公开了一种SBD器件封装散热结构,其包括:SBD芯片、绝缘封装基体、第一导热块、第二导热块、第一引脚和第二引脚,所述SBD芯片设置在绝缘封装基体中,所述第一引脚设置在SBD芯片的上部,并向左下方弯折延伸至绝缘封装基体的外侧,所述第二引脚设置在SBD芯片的下部,并向右下方弯折延伸至绝缘封装基体的外侧,所述第一引脚上方设置有第一绝缘胶,所述第一导热块设置在第一绝缘胶上并向上延伸至绝缘封装基体顶面,所述第二引脚底面设置有位于SBD芯片正下方的第二绝缘胶,所述第二导热块设置在第二绝缘胶底部并向下延伸至绝缘封装基体的底面。本实用新型所述的SBD器件封装散热结构,散热效果好,有利于提升使用的安全性和可靠性。
  • 一种sbd器件封装散热结构
  • [实用新型]一种肖特基二极管自定位封装结构-CN202223104832.7有效
  • 周兵兵;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-11-23 - 2023-04-21 - H01L29/872
  • 本实用新型公开了一种肖特基二极管自定位封装结构,其包括:绝缘封装基体、肖特基芯片、预埋定位座、第一引脚和第二引脚,所述预埋定位座包括底板、立板、托板和压板,所述立板竖向设置在底板上,所述压板和托板上下间隔设置在立板的正面,所述肖特基芯片设置在立板的正面并位于压板和托板之间,所述第一引脚从肖特基芯片的顶部向下弯折,途径底板左端后向外延伸至绝缘封装基体左侧,所述第二引脚从肖特基芯片的底部向下弯折,途径底板右端后向外延伸至绝缘封装基体右侧。本实用新型所述的肖特基二极管自定位封装结构,提升了肖特基芯、第一引脚和第二引脚在模腔中的定位精度和位置稳定性,提升了产品的合格率。
  • 一种肖特基二极管自定位封装结构
  • [发明专利]一种平面肖特基二极管及其制备方法-CN202211646174.6在审
  • 周兵兵;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-03-10 - H01L29/36
  • 本发明公开了一种平面肖特基二极管及其制备方法,该平面肖特基二极管包括表面金属、SiO2氧化层、肖特基势垒金属层、N‑型衬底、P+型掺杂区、底部金属,所述SiO2氧化层和肖特基势垒金属层位于所述N‑型衬底的上表面上,且SiO2氧化层位于肖特基势垒金属层的左右两侧,所述表面金属位于所述SiO2氧化层和所述肖特基势垒金属层的上方,所述N‑型衬底的下表面设置有多个沿横向方向间隔分布的所述P+型掺杂区,所述N‑型衬底的下表面设置有底部金属。本发明的肖特基二级管具有优异的反向浪涌电流的能力。
  • 一种平面肖特基二极管及其制备方法
  • [实用新型]一种进行半导体器件定位及测试的联动装置-CN202222381736.0有效
  • 陶浩;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-09-08 - 2023-01-03 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种进行半导体器件定位及测试的联动装置,其包括:底座、器件载具、滑块和测试插头,所述器件载具设置在底座上,所述器件载具上内凹设置有与半导体器件对应的定位槽,所述定位槽中设置有位于半导体器件前方的定位挡块,所述滑块可横移地设置在定位槽中并位于半导体器件的后方,所述顶板上设置有向下指向器件载具的升降驱动装置,所述升降驱动装置的底部设置有联动板,所述测试插头设置在联动板的底部并位于半导体器件的上方,所述联动板的底部设置有斜向后侧下方延伸并插入滑块的斜杆。本实用新型所述的进行半导体器件定位及测试的联动装置,实现了半导体器件定位和测试插头驱动的联动,避免了动作顺序的错乱。
  • 一种进行半导体器件定位测试联动装置
  • [实用新型]一种半导体器件针脚定位折弯机构-CN202222341202.5有效
  • 陶浩;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-09-04 - 2022-12-16 - B21F1/00
  • 本实用新型公开了一种半导体器件针脚定位折弯机构,其包括:折弯头、平台、半导体器件载台、针脚定位挡块和弹性限位块,所述支架上设置有位于半导体器件载台上方的升降驱动装置,所述折弯头设置在升降驱动装置的底部,所述半导体器件载台上设置有位于折弯头下方的针脚折弯成型镶块,所述针脚定位挡块设置在半导体器件载台上并位于针脚折弯成型镶块的后方,所述针脚定位挡块顶部间隔设置有与半导体器件上的针脚一一对应的凹槽,所述弹性限位块设置在推板与针脚定位挡块之间。本实用新型所述的半导体器件针脚定位折弯机构,对半导体器件的规格适应性好,可以利用针脚定位挡块上的凹槽进行半导体器件上针脚的一一定位,折弯的操作简便。
  • 一种半导体器件针脚定位折弯机构
  • [实用新型]一种半导体器件定位压装机构-CN202222194153.7有效
  • 胡光华;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-08-20 - 2022-12-02 - B23P19/027
  • 本实用新型公开了一种半导体器件定位压装机构,其包括:固定座、滑座、压板、压块、主动轮、被动轮和定位滑块,所述固定座上对称设置有两排立柱,所述立柱的顶部设置有固定板,所述固定板上竖向设置有与压板相连接的升降驱动装置,所述压块设置在压板的底面中部,所述滑座水平设置在固定座上,所述滑座顶面内凹设置有水平延伸的滑槽,所述滑槽中设置有位于压块下方的载具,所述定位滑块设置在滑槽中并位于载具两侧,所述被动轮分别设置在定位滑块上,所述主动轮设置在压板底部并位于被动轮外侧上方。本实用新型所述的半导体器件定位压装机构,实现了对滑槽中载具的定位夹持,确保压装准确性,提升了压装工作效率。
  • 一种半导体器件定位装机
  • [实用新型]一种硅晶片翻转搬运工装-CN202221699068.X有效
  • 胡光华;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-07-04 - 2022-11-15 - B65G47/91
  • 本实用新型公开了一种硅晶片翻转搬运工装,其包括:旋转驱动装置、悬臂和吸盘,所述悬臂设置在旋转驱动装置的输出端,所述悬臂的前端内凹设置有C型槽,所述悬臂包括相对应的上盖板和下盖板,所述吸盘设置在上盖板上,并沿C型槽的边缘间隔分布,所述下盖板上内凹设置与吸盘对应的气流道,所述下盖板背面设置有与气流道相连接的管接头。本实用新型所述的硅晶片翻转搬运工装,通过悬臂上的吸盘在搬运硅晶片的过程中进行吸附固定,避免脱落问题,并通过旋转驱动装置带动悬臂和硅晶片的翻转,实现搬运过程中一定角度的翻转。
  • 一种晶片翻转搬运工装
  • [实用新型]一种便于维护的真空高效加热装置-CN202221448106.4有效
  • 黄营超;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-06-11 - 2022-11-01 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种便于维护的真空高效加热装置,其包括:真空箱体、加热管、接线端子、第一密封圈、第二密封圈和托板,所述加热管竖向设置在真空箱体中,所述托板可升降地设置在加热管下方,所述接线端子包括第一定位套和定位柱,所述第一定位套设置在加热管顶部,所述真空箱体顶部设置有密封板,所述密封板上设置有与加热管一一对应的定位孔,所述定位柱同心设置在第一定位套顶部并延伸至定位孔中,所述第一密封圈设置在第一定位套顶面,所述第二密封圈设置在定位柱外圆上。本实用新型所述的便于维护的真空高效加热装置,通过第一密封圈和第二密封圈进行双重密封,并利用托板的上升进行加热管的定位,拆装便利。
  • 一种便于维护真空高效加热装置
  • [实用新型]一种氧化炉均匀喷淋装置-CN202220608789.9有效
  • 黄营超;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-03-21 - 2022-10-21 - B05B7/08
  • 本实用新型公开了一种氧化炉均匀喷淋装置,其包括:混气筒、管接头、第一布气管和第二布气管,所述第一布气管和第二布气管平行设置在混气筒中,所述混气筒的前端设置有第一盖板,所述混气筒尾端设置有第二盖板,所述管接头与第一布气管前端之间设置有贯穿第一盖板的第一供气管,所述管接头与第二布气管尾端之间设置有贯穿第二盖板的第二供气管,所述第一布气管和第二布气管上间隔设置有布气孔,所述混气筒底部间隔设置有至少一排喷淋孔。本实用新型所述的氧化炉均匀喷淋装置,特别设计了第一布气管和第二布气管,抵消布气孔的出气差异,并利用混气筒进行混气,确保气压均匀性,最后通过喷淋孔喷出。
  • 一种氧化均匀喷淋装置
  • [实用新型]一种晶片节能干燥装置-CN202221508416.0有效
  • 章士龙;周炳 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2022-06-17 - 2022-10-04 - F26B11/08
  • 本实用新型公开了一种晶片节能干燥装置,其包括:离心机、冷风机和热风机,所述离心机上设置盖板,所述冷风机和热风机设置在盖板上,所述横梁上设置有与盖板相连接的升降驱动装置,所述离心机中设置有位于盖板下方的转鼓,所述冷风机的输出端设置有向下延伸至转鼓中的第一布气管,所述热风机的输出端设置有向下延伸至转鼓中的第二布气管,所述第一布气管和第二布气管侧面分别设置有竖向延伸的吹气槽,所述吹气槽开口指向转鼓侧壁。本实用新型所述的晶片节能干燥装置,通过离心机实现硅片表面清洗溶液的快速分离,分离过程中通过冷风机进行吹气,减少了晶片表面的残留,最后通过热风机的工作,实现晶体的彻底干燥,干燥速度快,节能效果好。
  • 一种晶片节能干燥装置

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