本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法,该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑SiH)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构,能够大大提升电池对近红外光的吸收,降低串联电阻,提升开路电压和短路电流,进而提升太阳能电池效率。