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[发明专利]光电组件、半导体结构和方法-CN202080080564.4在审
发明人：安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;斯特凡·伊莱克;费利克斯·费克斯;克里斯托弗·克伦普;因斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦;克里斯蒂安·伯格;阿纳·卡涅夫采 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括n型掺杂的第一层、掺杂有第一掺杂物的p型掺杂的第二层和布置在n型掺杂的第一层与p型掺杂的第二层之间并且具有至少一个量子阱的有源层。半导体结构的有源层被划分为多个第一光学有源区域、至少一个第二区域和至少一个第三区域。在此，多个第一光学有源区域相互间隔开地布置成六边形图案。有源区域中的至少一个量子阱在至少一个第二区域中具有与在多个第一光学有源区域和至少一个第三区域中相比更大的带隙，其中，尤其通过量子阱混合改变带隙。至少一个第二区域包围多个第一光学有源区域。
光电组件半导体结构方法

[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片-CN202080069301.3在审
发明人：费利克斯·费克斯;伊内斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在一个实施方式中，方法用于制造光电子半导体芯片(1)并且包括：A)在生长衬底(2)上沿着生长方向(G)生长AlInGaAsP半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)包括用于产生辐射的有源区(33)，并且有源区(33)由多个、彼此交替的量子阱层(61)和势垒层(62)组成；B)产生结构化的掩模层(5、34)；C)在至少一个混匀区域(51)中借助于将混匀辅助材料(55)穿过掩模层(5、34)的开口(50)施加到有源区(33)中来局部地混匀量子阱层(61)和势垒层(62)；并且D)将半导体层序列(3)分割成用于半导体芯片(1)的子区域(39)，其中势垒层(62)在步骤A)中由[(AlxGa1‑x)yIn1‑y]zP1‑z生长，其中x≥0.5。
用于制造光电子半导体芯片方法

[发明专利]具有减少的吸收的器件和用于制造器件的方法-CN202080056469.0在审
发明人：坦森·瓦尔盖斯;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提出一种器件(10)，其具有载体(1)、设置在所述载体上的半导体本体(2)、至少局部地设置在所述载体和所述半导体本体之间的中间层(3、31、32)和第一接触结构(41)，其中所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源区(23)，所述有源区沿竖直方向设置在所述半导体层(21、22)之间并且设立为用于产生电磁辐射。所述有源区沿着侧向方向具有局部去激活的区域(23D、23E)，所述局部去激活的区域不设立为用于产生电磁辐射。所述半导体本体具有开口(2R)，所述开口穿过所述第二半导体层和所述有源区朝向所述第一半导体层延伸，其中所述开口与所述有源区的去激活的区域不同并且部分地用所述中间层的材料填充。此外，所述第一接触结构设立为用于对所述第一半导体层进行电接触并且在俯视图中与所述开口重叠。此外提出一种用于制造这种器件的方法。
具有减少吸收器件用于制造方法

[发明专利]对包括ALGAINP-LED的半导体晶圆进行激光处理以提高其光产生效率的方法-CN202080041359.7在审
发明人：延斯·埃贝克;菲利普·克罗伊特尔;克里斯托夫·克伦普;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;伊内斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种对包括一组磷化铝镓铟发光二极管或AlGaInP‑LED的半导体晶圆(10)进行处理以提高AlGaInP‑LED的光产生效率的方法，其中，每个ALGaInP‑LED包括夹在两个外层之间的用于光产生的核心有源层，核心有源层具有中心光产生区域(20)和围绕中心光产生区域的外围边缘(22)，该方法包括以下步骤：利用激光束(L)处理每个AlGaInP‑LED的核心有源层的外围边缘(22)，从而将每个外围边缘(22)中的最小带隙增加到以下这样的程度：在AlGaInP‑LED的后续操作期间，电子空穴复合基本上被限制于中心光产生区域。
包括 algainp led 半导体进行激光处理提高产生效率方法

[发明专利]用于制造半导体装置和光电装置的方法-CN202080039544.2在审
发明人：菲利普·克罗伊特尔;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;克里斯托夫·克伦普;延斯·埃贝克;伊内斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种用于制造半导体装置特别是光电装置的方法，该方法包括：设置生长衬底(10)；沉积n型掺杂的第一层(20)以及将有源区(30)沉积在n型掺杂的第一层(20)上；然后，将第二层(50)沉积到有源区(30)上；第二层在第二层(50)中掺杂有Mg；在沉积Mg之后，将Zn沉积在第二层(50)中，使得第二层中Zn的浓度在第二层的与有源区相邻的第一区域中从第一值减小到第二值，所述第一区域在5nm至200nm的范围内，特别地小于50nm。
用于制造半导体装置光电方法

[发明专利]用于制造多种构件的方法、构件和由构件构成的构件复合件-CN202080027226.4在审
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出一种由多个构件(10)、改性的牺牲层(4)和共同的中间载体(90)构成的构件复合件(100)，其中所述构件分别具有半导体本体(2)，所述半导体本体具有有源区(23)，其中所述半导体本体设置在所述中间载体上并且通过分离沟道(4T)彼此横向地间隔开。牺牲层在竖直方向上设置在所述中间载体和所述半导体本体之间，其中所述牺牲层在所述半导体本体和共同的中间载体之间具有多个保持元件(3)，并且其中所述半导体本体仅经由所述保持元件与所述中间载体机械连接。所述保持元件在横向方向上由空腔(4H)包围。所述半导体本体构成为能够与所述中间载体脱离，其中所述保持元件在机械负荷下或通过辐照或通过刻蚀将所述半导体本体从所述中间载体释放。此外，提出一种具有与这种构件复合件(100)脱离的半导体本体(2)的构件(10)，以及一种用于制造多个这种构件的方法。
用于制造多种构件方法构成复合

[发明专利]发射辐射的半导体器件-CN201880077898.9在审
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：提供了一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体层序列(2)和载体(3)，在所述载体上设置有半导体层序列，其中，半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区(20)、n型传导的镜区域(21)和p型传导的镜区域(22)，所述有源区设置在n型传导的镜区域和p型传导的镜区域之间，并且p型传导的镜区域设置为比有源区更靠近载体。
发射辐射半导体器件

[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法-CN201880072866.X在审
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有半导体层序列，所述半导体层序列具有：第一传导类型的第一和第二半导体层；适合于产生电磁辐射的有源层；第一电接合层和与所述第一电接合层横向间隔开的第二电接合层，所述第二电接合层电接触第二半导体层；以及第二传导类型的第一接触区，所述第一接触区邻接于第一电接合层并且与第一电接合层导电地连接。并且包括至少一个在第一和第二接合层之间构成的功能区域，在所述功能区域中构成有第二传导类型的第二接触区和至少一个第二传导类型的屏蔽区。此外，提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法-CN201680067380.8有效
发明人：延斯·埃贝克;彼得鲁斯·松德格伦;罗兰德·蔡塞尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提出一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有：外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行时产生电磁辐射；和钝化层(10)，在所述钝化层中静力学固定电的载流子，或者所述钝化层引起半导体层序列(1)的表面态的饱和。钝化层(10)施加在半导体层序列(1)的侧面(8)上，并且钝化层(10)至少部分地遮盖有源区(2)。
发光二极管芯片用于制造方法

[发明专利]具有波长的温度补偿的发光二极管芯片-CN201580065421.5有效
发明人：安德烈亚斯·鲁道夫;彼得鲁斯·松德格伦;伊瓦尔·通林 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(6)，‑在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(51，52)，其中‑多量子阱结构(51，52)具有：第一区域(51)，所述第一区域由交替的第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)构成；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层(52A)和至少一个第二阻挡层(52B)，‑至少一个第二量子阱层(52A)具有电子带隙(E_QW2)，所述电子带隙小于第一量子阱层(51A)的电子带隙(E_QW1)，‑至少一个第二阻挡层(52B)具有电子带隙(E_B2)，所述电子带隙大于第一阻挡层(51B)的电子带隙(E_B1)。
具有波长温度补偿发光二极管芯片

[发明专利]具有吸收层的发光半导体器件-CN201480063386.9有效
发明人：伊瓦尔·通林;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提出一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，其中半导体层序列具有吸收区域(3)和设置用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域(20)，其中吸收区域至少部分地吸收短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额具有小于峰值波长的极限波长。
具有吸收发光半导体器件

[发明专利]具有电流扩展层的发光二极管芯片-CN201510504954.0有效
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦;埃尔马·鲍尔;马丁·霍厄纳德勒;克莱门斯·霍夫曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提出带有半导体层序列(5)的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中所述半导体层序列(5)包括p型半导体区域(2)、n型半导体区域(4)和设置在所述p型半导体区域(2)和所述n型半导体(4)之间的用于发射电磁辐射的有源层(3)。所述n型半导体区域(4)是面向发光二极管芯片的辐射出射面(6)的，并且所述p型半导体区域(2)是面向发光二极管芯片的支承件(7)的。在所述支承件(7)和所述p型半导体区域(2)之间设置有小于500nm厚的电流扩展层(1)，所述电流扩展层具有一个或多个p掺杂的AlxGa1‑xAs层，其中0.5<x≤1。
具有电流扩展发光二极管芯片

[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法-CN201380059047.9在审
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦;马库斯·布勒尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有设为用于产生和/或接收辐射的有源区域(20)、第一传导类型的第一半导体区域(21)、第二传导类型的第二半导体区域(22)和覆盖层(25)。有源区域(20)设置在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(22)之间并且在背离有源区域的一侧上具有接触层(210)。覆盖层(25)设置在半导体区域(21)的背离有源区域(20)的一侧上并且具有至少一个留空部(27)，在所述留空部中，接触层(210)邻接于第一连接层(3)。覆盖层是第二传导类型的。此外，提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
光电子半导体芯片用于制造方法

[发明专利]具有电流扩展层的发光二极管芯片-CN201180018587.3有效
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦;埃尔马·鲍尔;马丁·霍厄纳德勒;克莱门斯·霍夫曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提出带有半导体层序列（5）的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中所述半导体层序列（5）包括p型半导体区域（2）、n型半导体区域（4）和设置在所述p型半导体区域（2）和所述n型半导体（4）之间的用于发射电磁辐射的有源层（3）。所述n型半导体区域（4）是面向发光二极管芯片的辐射出射面（6）的，并且所述p型半导体区域（2）是面向发光二极管芯片的支承件（7）的。在所述支承件（7）和所述p型半导体区域（2）之间设置有小于500nm厚的电流扩展层（1），所述电流扩展层具有一个或多个p掺杂的AlxGa1-xAs层，其中0.5
具有电流扩展发光二极管芯片

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