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[发明专利]一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构及制作方法-CN202010936271.3在审
发明人：杜蕾;孙军;张振中;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，自下而上覆盖有碳化硅外延层、栅电极及层间介质层。所述碳化硅外延层的上端中间部位设置有若干第一导电类型接触区及第二导电类型接触区，所述若干第一导电类型接触区位于所述第二导电类型接触区中间，且沿MOSFET沟道长度方向间隔分布。所述栅电极覆盖于所述第二导电类型接触区上端的两侧，两侧栅电极之间的第一间距小于第二导电类型接触区的宽度且大于若干第一导电类型接触区的宽度。所述层间介质层覆盖于栅电极上，且两侧的层间介质层之间的第二间距小于若干第一导电类型接触区的宽度。如此，可提高元胞密度，降低沟道电阻，从而实现降低导通电阻的目的。
一种碳化硅平面 mosfet 结构制作方法

[实用新型]基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备-CN201921882237.1有效
发明人：方慧风;和巍巍;汪之涵;张振中;孙军 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备。所述光控晶闸管包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用；所述第一结构为可通过衍射对入射光进行波矢补偿的结构。所述电子设备包括所述光控晶闸管。本申请实施例可有效提高光控晶闸管的输出电流和开启速率，可使用于光控晶闸管的光源不再受紫外波段约束，能有效拓宽光源的可选择性。
基于表面离激元光控晶闸管电子设备

[实用新型]安装小型闸门的简易装置-CN202020400546.7有效
发明人：高金岗;张猛;范志毅;杨娜;张振中 -专利权人：庆云水建工程有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： E02B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种安装小型闸门的简易装置，包括工字型钢和手拉葫芦，所述工字型钢水平设置，其两端通过可拆卸紧固件固定于所需要安装闸门上部的砼排架上，工字型钢上套有一刚性环，与所需安装闸门相对应的工字型钢上设置有用于刚性环定位的卡槽，手拉葫芦上端连接于刚性环上。相对利用吊车安装，本装置能够更好地在地形受限施工现场进行操作，由于闸门吊耳至手拉葫芦之间的距离远小于闸门吊耳至吊车吊臂的距离，所以安装时摆动的幅度很小，安装人员手动即可控制，可以在闸门与预埋件连接时有效提高作业效率，且本装置同时具有方便拆装，易于运输的特点，能够降低小型闸门的安装成本。
安装小型闸门简易装置

[实用新型]一种车载多功能智能终端设备-CN202020681164.6有效
发明人： 张振中;余小鹏 -专利权人：大陆汽车电子(长春)有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车载多功能智能终端设备，包括：第一PCB板、线圈组件、第二PCB板以及下盖；第一PCB板具有NFC模块，线圈组件位于第一PCB板与第二PCB板之间，且分别与第一PCB板和第二PCB板粘接；第二PCB板限位安装于下盖。通过采用粘接方式将线圈组件分别与第一PCB板和第二PCB板连接，使得在第一PCB板与第二PCB板之间不设置中间支撑件的前提下，第一PCB板、线圈组件以及第二PCB板成为一个整体，并且双层PCB整体限位安装于下盖上，限制了PCB整体在跌落及震动过程中产生的位移，从而使得该车载多功能智能终端设备能够具有良好的结构强度，解决了该产品在跌落及震动过程中因强度不足而容易损坏的问题，同时还提高了生产效率以及降低了该产品的组件成本。
一种车载多功能智能终端设备

[发明专利]一种氧化锌微米线紫外探测器及其制备方法-CN202010856817.4在审
发明人：陈星;刘可为;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锌微米线紫外探测器及其制备方法。本发明提供的氧化锌微米线紫外探测器，包括：衬底；复合于所述衬底表面的氧化锌微米线；固定于所述氧化锌微米线的两端的电极；复合于所述氧化锌微米线上非电极区域的修饰层；所述修饰层为氟硅基修饰层；所述氟硅基修饰层包括：SiF4和F。本发明在衬底表面设置氧化锌微米线，在氧化锌微米线的两端分别设置电极，并在氧化锌微米线的表面进行修饰形成氟硅基修饰层，通过上述修饰处理，能够有效降低紫外探测器的暗电流、提高响应度、减少响应时间。
一种氧化锌微米紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种盐酸小檗碱复合物纳米粒的制备方法及其应用-CN201811376245.9有效
发明人：李爱荣;王改利;王瑞;郭丽;梁成林;张振中 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： A61K9/51 文献下载
摘要：本发明之目的是提供一种盐酸小檗碱复合物纳米粒的制备方法，包括以下步骤：（1）盐酸小檗碱复合物的制备；（2）制备盐酸小檗碱复合物纳米粒；本发明制备的盐酸小檗碱复合物纳米粒作为唯一活性成分在制备抑制MCF‑7细胞药物中的应用；本发明制备的盐酸小檗碱复合物纳米粒作为唯一活性成分在制备抗金黄色葡糖球菌、大肠杆菌药物中的应用；本发明制备方法简单，所制备的复合物纳米粒粒径均匀，包封率高，可降低网状内皮吞噬系统（RES）对其的识别和吞噬，且有缓释作用，增加载体在体内的长循环，提高药物的生物活性，达到高效低毒的效果，为盐酸小檗碱在临床上的应用提供了条件，经济和社会效益显著。
一种盐酸小檗碱复合物纳米制备方法及其应用

[发明专利]一种氧化锌纳米线阵列紫外探测器及其制备方法-CN202010857618.5在审
发明人：陈星;刘可为;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锌纳米线阵列紫外探测器及其制备方法。本发明提供的氧化锌纳米线阵列紫外探测器包括：衬底和复合于所述衬底表面的氧化锌纳米线阵列层；所述氧化锌纳米线阵列层表面沿长度方向依次包括第一电极区域、非电极区域和第二电极区域；所述第一电极区域和第二电极区域上复合有电极；所述电极上固定有铟粒；所述非电极区域复合有修饰层；所述修饰层为氟硅基修饰层；所述氟硅基修饰层包括：SiF4和F。在氧化锌纳米线阵列层表面非电极区域进行F和SiF4的双重修饰，能够有效降低紫外探测器的暗电流、提高响应度、减少响应时间。
一种氧化锌纳米阵列紫外探测器及其制备方法

[发明专利]MgGa2-CN202010801451.0在审
发明人：刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明提供一种MgGa2O4紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长MgGa2O4薄膜；S2、在MgGa2O4薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的MgGa2O4紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备MgGa2O4薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的MgGa2O4薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含MgGa2O4薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
mgga base sub

[实用新型]一种功率模块及应用所述功率模块的组合单元-CN202020508825.5有效
发明人： 张振中;和巍巍;孙军;杨柳;刁绅;蝶名林幹也 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块。所述功率模块包括芯片、引线框架、基板、外壳及连接端子。所述芯片的第一表面通过金属烧结的方式固定于基板上。所述引线框架一体成型，所述引线框架的一端通过金属烧结的方式与芯片的第二表面及基板固定连接，以构成功率模块的电路。所述外壳采用塑料树脂填充，以塑封芯片、引线框架及基板。所述连接端子的一端塑封于外壳内，并电连接于基板，所述连接端子的另一端伸出外壳外。所述连接端子包括输入端子及输出端子，所述输入端子与输出端子分别设置于外壳相对的两侧。本实用新型还公开了一种应用所述功率模块的组合单元。如此可增强功率模块的可靠性和功率密度。
一种功率模块应用组合单元

[发明专利]ZnMgO紫外探测器及其制备方法-CN202010800909.0在审
发明人：刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnMgO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgO薄膜；S2、在ZnMgO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgO紫外探测器。与现有技术相比，本发明通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，混相结构的ZnMgO薄膜2能够同时满足高响应度和低暗电流，从而使ZnMgO紫外光电探测器具有更低的暗电流和更高的光响应速度。
znmgo 紫外探测器及其制备方法

[发明专利]ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法-CN202010800925.X在审
发明人：刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜；S2、在ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgGaO薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
znmggao 紫外探测器及其制备方法

[实用新型]车型识别装置-CN202020576955.2有效
发明人：焦伟;张振中;黄婷婷;王广龙;戴宇琛 -专利权人：苏州朗为控制技术有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G08G1/017 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车型识别装置，属于交通设备领域，包括机箱以及设置在所述机箱上的激光扫描装置，关键在于：所述激光扫描装置借助连接组件倾斜设置在所述机箱的一侧；所述连接组件包括L形的连接板、与所述连接板相连的连接杆、固定在所述机箱上的与所述连接杆中的球头状调节部相配合的限位套以及与所述限位套相连压紧所述球头状调节部的压盖。本实用新型的有益效果是：通过使得激光扫描装置的扫描扇形面呈一定的角度设置，通过计算得到车辆的投影图和深度图，然后即可通过投影图得到车辆的行车方向，采用一个激光扫描装置即可实现传统路侧激光分型设备无法判断行车方向的问题，再通过配套的控制器实现实时车型及车辆行进方向分析。
车型识别装置

[发明专利]一种Ga2-CN202010599592.9在审
发明人：刘可为;孙璇;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ga2O3：Zn薄膜的制备方法，包括以下步骤：将清洗后的衬底置于MOCVD生长腔内，在所述MOCVD生长腔内通入保护性气氛，再将所述衬底加热；以有机锌化合物作为锌源，以有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气作为氧源，在加热后的衬底表面生长薄膜；将生长后的薄膜进行热处理，得到Ga2O3：Zn薄膜。本申请还提供了一种Ga2O3：Zn薄膜。本发明利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，通过生长温度、镓源、锌源和氧气流量的精确控制，通过对材料进行热力学退火，对氧空位的分散性、位置，以及结晶质量进行修饰和改善，实现了高性能Ga2O3:Zn薄膜的生长。
一种 ga base sub

[发明专利]一种优化碳化硅MOSFET自对准工艺的方法-CN202010496482.X在审
发明人：郝建勇;孙军;张振中;和巍巍 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化碳化硅MOSFET自对准工艺的方法，该方法仅通过使用一层P阱光罩刻蚀出第一离子注入区域，以用于形成P阱；再通过沉积、刻蚀等工艺在第一离子注入区域内形成第二离子注入区域，以用于形成叠层的NPlus区域和PPlus区域；最后通过刻蚀出深度大于所述NPlus区域深度且小于所述PPlus区域深度的沟槽，以在碳化硅基底上形成对应的PN结。该方法在形成所述P阱、NPlus区域和PPlus区域的过程中仅用了一层光罩，从而减少两次薄膜沉积、涂胶、曝光、显影、去胶等工艺，如此，极大地缩短加工周期，减少制造成本。
一种优化碳化硅 mosfet 对准工艺方法

[发明专利]一种基于客户ID的分库方法和装置-CN202010466359.3在审
发明人： 张振中 -专利权人：北京思特奇信息技术股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G06F16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于客户ID的分库方法和装置，涉及电信运营领域。该方法包括：在原受理的实例表模型中的客户ID中添加切分字段，当数据库再次受理客户ID的订单时，数据库根据切分字段执行建表脚本，将订单信息划分到客户ID对应数据库中，提供更加直观方便的数据库切分方案，从而简化数据库迁移后的服务开发难度，并且更便于维护人员日常运维。
一种基于客户 id 方法装置