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[实用新型]一种法医物证检材收集装置-CN202221380093.1有效
发明人：唐英斌;吕国权;刘素艳;张延清;王静 -专利权人：海南祥正司法鉴定服务有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B65D25/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种法医物证检材收集装置，涉及医学鉴定技术领域，包括收集管、支撑机构以及下料机构，收集管的内部开设有收纳腔；支撑机构包括安装架、伸缩杆、支撑杆以及插销，安装架固定设置于收集管的底部，伸缩杆固定设置于安装架的底部，伸缩杆穿设于支撑杆的内部，伸缩杆与支撑杆滑动配合，伸缩杆的一侧开设有活动槽，插销的一端贯穿支撑杆，且活动设置于活动槽内。本实用新型中，通过设置的支撑机构，法医进行刮物证检材时，安装架对收集管进行固定，伸缩杆和支撑杆对安装架进行支撑，从而对收集管进行支撑，刮物证检材时，只需将收集管的入口放在刮物证检材处，无需专门的工作人员举着收集管。
一种法医物证收集装置

[实用新型]一种用于DNA检测试管的存储箱-CN202221069729.0有效
发明人：唐英斌;吕国权;张延清;刘素艳;王静 -专利权人：海南祥正司法鉴定服务有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B01L9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于DNA检测试管的存储箱，涉及DNA检测技术领域，本实用新型包括存储箱体，存储箱体的后端面固定连接有后座架，后座架的前端面通过升降组件连接有箱盖板，存储箱体的内部设有存放组件，升降组件包括固定臂、滑块、滑杆和升降板，存放组件包括压顶板和放置板。本实用新型为一种用于DNA检测试管的存储箱，通过设置的升降组件和放置组件，该装置方便检测试管的存储，能够有效进行固定，便于存储箱体的运输，定位槽的数量与试管槽的数量相同，且均为若干个，若干个定位槽与试管槽一一对应，使检测试管能够有序存放，提高了检测试管的存放数量和效果，提高了装置的实用性。
一种用于 dna 检测试管存储

[实用新型]白刚玉细化生产用粉碎装置-CN202123419529.1有效
发明人：孙协亮;王磊;郝吉国;刘中华;赵加泉;初同亮;周长普;张延清 -专利权人：茌平鑫航实业有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及白刚玉粉碎技术领域，具体地说，涉及白刚玉细化生产用粉碎装置，包括仓体，仓体的内侧设有辊轴，辊轴的上方设有丝杆，丝杆转动设置在仓体的内壁上，丝杆的表面螺纹连接有推板，丝杆的一端设有电机，电机安装在仓体的外壁上，丝杆和辊轴均通过连接部件连接，电机与连接部件连接。通过连接部件对辊轴和丝杆同步驱动运转，推板对辊轴上方的白刚玉物料分散推动，大量的白刚玉物料分散在辊轴上挤压，并得到粉碎，且在粉碎后不易形成块状，利于后续涂敷使用，其次，在白刚玉物料分散粉碎时，辊轴间转动挤压的阻力降低，粉碎白刚玉物料的效率提升，整个粉碎设置的效果进一步提升。
刚玉细化生产粉碎装置

[实用新型]白刚玉晶体擂碎装置-CN202123419562.4有效
发明人：王磊;孙协亮;郝吉国;刘中华;赵加泉;初同亮;周长普;张延清 -专利权人：茌平鑫航实业有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B02C19/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种擂碎装置，具体地说，涉及白刚玉晶体擂碎装置。其包括承载组件和擂杵，所述承载组件包括承载臼和支撑基座，所述支撑基座设置在承载臼的底部，还包括初筛组件，所述初筛组件包括初筛网和支撑圈，所述支撑圈通过初筛网安装在承载臼上，用以在承载臼顶部形成筛分的擂碎层。本实用新型中通过初筛网对大小颗粒的白刚玉晶体进行筛分，筛分后更方便大颗粒白刚玉晶体的振捣，而且振捣后落在承载臼内的白刚玉晶体都是均匀的，更便于在承载臼内的进一步的擂碎操作。
刚玉晶体装置

[发明专利]一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法-CN202010378931.0有效
发明人：霍明学;齐春华;张延清;王天琦;王新胜;刘超铭;马国亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于监控空间服役状态SRAM存储器的特征参数，并在地面计算出SRAM存储器故障失效概率。本发明可结合SRAM存储器空间服役环境，确定故障失效的薄弱环境，可为空间SRAM存储器长寿命服役提供技术支持。
一种 sram 存储器空间服役故障分类失效检测方法

[发明专利]基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法-CN201910219155.7有效
发明人：刘超铭;李何依;王天琦;张延清;齐春华;马国亮;霍明学 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
基于深层离子注入方式 pin 二极管位移辐照加固方法

[发明专利]基于太阳电池低温低光强综合试验装置及试验方法-CN202111579626.9在审
发明人：霍明学;张延清;刘超铭;王天琦;齐春华;马国亮;周佳明 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样品放置，检查光路与测试线路；打开无油分子泵将低温恒温舱抽成真空环境；打开风冷压缩机对冷头降温至额定温度；校准太阳模拟器；测试样品光特性。该发明能在地面模拟出空间环境中低温低光强的试验装置的试验方法。
基于太阳电池低温低光强综合试验装置试验方法

[发明专利]一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法-CN202111546467.2在审
发明人： 张延清;刘超铭;王天琦;周佳明;霍明学;齐春华;马国亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法

[发明专利]基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法-CN201910774716.X有效
发明人：王天琦;张延清;齐春华;马国亮;刘超铭;王新胜;李何依;周佳明;霍明学 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
基于深层离子注入氧化镓肖特基二极管位移辐照方法

[发明专利]基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法-CN202111546474.2在审
发明人：刘超铭;张延清;王天琦;霍明学;齐春华;马国亮;周佳明 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法，通过在恒温真空舱内搭建低温测试台的方式来实现太阳电池的低温辐照同步测量和原位表征。本发明低温辐照试验装置通过无油分子泵抽真空来模拟太空真空环境，同时保护了器件不受空气中的水汽影响；通过风冷压缩机降温来模拟太空低温环境；通过电子加速器发出的电子来模拟太空中的电子辐照；使用太阳模拟器发射光源进行光特性测试，从而为太阳电池空间可靠性的测试提供了低温、低光强、辐照的试验条件。
基于低温辐照试验装置太阳电池原位辐射试验方法

[发明专利]一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法-CN202111301296.7在审
发明人：王天琦;霍明学;齐春华;张延清;孙雪丹;刘超铭;马国亮;蔡勖升;张正良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法，它涉及温度可控的辐照终端设备，本发明要解决当前在深空探测中航天航空器件遇到的极端温度，没有相应的平台对深空探测中航天航空器件进行评估问题。本发明的设备包括粒子加速器、真空腔室和温度控制系统；真空腔室内放置高低温样品台和束流探测器，温度控制系统对高低温样品台进行温度控制，粒子加速器对真空腔室发射粒子，束流探测器进行探测。
一种用于探测温度范围内可控辐照终端设备及其使用方法

[实用新型]一种恒温花茶储藏室-CN202120767118.2有效
发明人： 张延清 -专利权人：福建永泰几何工贸有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： A23L3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种恒温花茶储藏室，属于储藏室技术领域，包括储藏室墙体，所述储藏室墙体内侧壁固定连接有地板，所述地板顶部设置有储藏架，所述储藏架内侧壁镶嵌连接有放置抽屉，所述地板顶部固定安装有玻璃防护罩，所述玻璃防护罩内部设置有紫外线灯管，所述储藏室墙体顶部设置有隔热仓，所述隔热仓一侧开设有通气孔，所述隔热仓顶部固定安装有顶板，所述顶板顶部固定安装有太阳能电池板，所述储藏室墙体外侧壁固定安装有电池箱，所述电池箱顶部固定连接有箱盖，所述电池箱内部设置有蓄电池。本实用新型可通过储藏室墙体顶部设置的隔热仓对高温进行隔离，利用太阳能电池板收集电能，通过电池箱内的蓄电池内进行储存，节能环保。
一种恒温花茶储藏室

[实用新型]一种花茶混合装置-CN202120767152.X有效
发明人： 张延清 -专利权人：福建永泰几何工贸有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： A23F3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种花茶混合装置，属于花茶加工技术领域，包括箱体，所述箱体内部固定连接滑杆，所述滑杆外侧壁滑动连接连接块，所述连接块底部安装有电机，所述电机一侧安装有转动杆，所述转动杆外侧壁固定连接固定块，所述固定块外侧壁固定连接搅拌杆，所述连接块一侧安装有电动伸缩杆，所述箱体外侧壁贯穿连接拉板，所述箱体内部安装有双向电机，所述双向电机一侧安装有主动轮，所述主动轮外侧壁转动连接皮带，所述皮带外侧壁转动连接从动轮。本实用新型通过电动伸缩杆和电机之间的配合来带动搅拌杆对茶叶和鲜花进行均匀搅拌混合和通过双向电机带动平板左右移动来对混合好的茶叶和鲜花进行铺平，既节约使用者的体力也避免花茶受污染。
一种花茶混合装置

[发明专利]基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法-CN201910110228.9有效
发明人：刘超铭;王天琦;张延清;齐春华;马国亮;霍明学;李何依;魏轶聃 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
基于深层离子注入方式肖特基二极管位移辐照加固方法

[发明专利]一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元-CN201811554118.3有效
发明人：齐春华;张延清;王天琦;刘超铭;马国亮;霍明学;肖立伊 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。
一种粒子节点翻转阈值 sram 存储单元

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