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[发明专利]一种热敏型探测器结构及其集成方法-CN202110260904.8在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;戚璇;焦斌斌;王桂磊 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层为Ge层。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
一种热敏探测器结构及其集成方法

[发明专利]一种热敏型探测器结构及其集成方法-CN202110262220.1在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;戚璇;焦斌斌;王桂磊 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层是由Ge1‑xSnx层和Ge1‑ySiy层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，0＜y≤0.3，n≥2。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
一种热敏探测器结构及其集成方法

[发明专利]一种防止球进入危险区域的保护装置及方法-CN202110788954.3在审
发明人：张卓明;王云峰;王云;薛静 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止球进入危险区域的保护装置及方法，其可防止球进入危险区域，可保障人身健康和安全，保护装置包括雷达检测模块、控制单元、风机、通信模块，雷达检测模块、风机与控制单元连接，控制单元通过通信模块与外部终端通信连接，雷达检测模块用于检测球的位置信息，数据处理器用于对位置信息进行处理，获取球的运行轨迹及落点，并判断球是否会进入危险区域，风机用于将球推离危险区域，方法包括：检测球的实时位置信息，并发送给控制单元，对位置信息进行处理，预测球的运行轨迹及落点位置，判断落点位置是否会落入危险区域，若是，则控制风机高速运转，在风机的风力推动作用下将球推离危险区域，若否，则风机处于低转速状态。
一种防止进入危险区域保护装置方法

[发明专利]一种高性能静态随机存储器比特单元结构-CN202110798893.9在审
发明人：黄国泰;苏炳熏;叶甜春;罗军;赵杰 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能静态随机存储器比特单元结构，其结构设计合理，可提高比特单元的速度性能，同时可降低功耗和成本，其包括衬底、分布于衬底表面的鳍片、分布于鳍片的栅极区、光刻胶层、接触层、读取比特线，比特单元包括鳍形场效应晶体管，所述栅极区长度为22nm，鳍片包括六根，且依次间隔平行分布，设相邻两根鳍片之间的鳍间距为FP，鳍高度为FH，鳍间距FP最小为42nm，鳍高度FH最小为55nm，单个鳍对应有效沟道宽度为118nm。
一种性能静态随机存储器比特单元结构

[发明专利]一种高密度静态随机存储器比特单元结构及其工艺方法-CN202110798584.1在审
发明人：黄国泰;苏炳熏;叶甜春;罗军;赵杰 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度静态随机存储器比特单元结构及其工艺方法，其可提高比特单元的高密度性能，降低功耗和成本，其包括衬底、分布于衬底表面的鳍片、分布于鳍片的栅极区、光刻胶层、接触层、读取比特线，比特单元包括鳍形场效应晶体管，栅极区长度为22nm，鳍片包括四根，且依次间隔平行分布，设相邻两根鳍片之间的鳍间距为FP、接触层间距为CPP，则比特单元有源区竖向总宽度为8*FP，有源区横向总宽度为2*CPP，比特单元有源区的最小面积为0.0739μm2，工艺方法包括：采用自对准双重图形转移工艺，获取包含有四根鳍片、且相邻两根鳍片之间的鳍间距为FP的比特单元，比特单元需要两个光刻胶层，采用光刻工艺，获取四根鳍片。
一种高密度静态随机存储器比特单元结构及其工艺方法

[发明专利]基于决策树模型与逻辑回归模型组合的感染筛查方法-CN202111019378.2在审
发明人：商春恒;王云峰 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G16H50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于决策树模型与逻辑回归模型组合的感染筛查方法，其检测操作方便，可提高感染筛查准确性，该方法基于生命体征监护仪实现，生命体征监护仪与远程数据服务平台通信连接，远程数据服务平台依据临床数据进行感染筛查，该方法包括：通过生命体征监护仪检测获取用户临床数据，将临床数据随机划分为训练集、测试集，将训练集均分为两份：训练集A、训练集B，基于训练集A构建决策树模型，同时，对训练集A进行特征选择，将关键特征向量作为已构建的决策树模型的输入，获取新构造特征向量，基于组合特征向量，构造逻辑回归模型，基于决策树模型和逻辑回归模型组合，对测试集进行预测分类，获取分类结果。
基于决策树模型逻辑回归组合感染方法

[发明专利]一种全耗尽绝缘体上硅衬底、晶体管及其制备方法和用途-CN202110548134.7在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;戚璇;王云;叶甜春 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种全耗尽绝缘体上硅衬底、晶体管及其制备方法、用途。全耗尽绝缘体上硅衬底的制备方法：在背衬硅层上形成氧化硅层；进行光刻和蚀刻，使氧化硅形成多条沟槽，并且沟槽贯穿氧化硅层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条，氧化硅层被分隔成多个氧化硅线条；形成硅顶层，硅顶层填充沟槽并覆盖氧化硅线条；减薄硅顶层；在硅顶层表面涂布光刻胶，图形化，以使覆盖氧化硅线条以及相邻氧化硅线条间隔区域的硅顶层表面曝露；进行氧注入；之后退火，以形成氧化硅隔离层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
一种耗尽绝缘体衬底晶体管及其制备方法用途

[发明专利]一种绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用-CN202110548328.7在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;戚璇;王云;叶甜春 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上硅衬底及其制备方法。一种绝缘体上硅衬底的制备方法，包括：在背衬硅层上形成掩蔽层；进行光刻和蚀刻，使掩蔽层形成多条沟槽，并且沟槽贯穿掩蔽层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条；去除掩蔽层；沉积第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖硅线条；减薄第一氧化硅层，使硅线条曝露；形成硅顶层；对硅顶层进行热氧化处理，使其表面形成第二氧化硅层；进行退火处理；在退火之后去除第二氧化硅层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
一种绝缘体衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种单管功率模块组件与应用其的电机控制器及纯电汽车-CN202110595119.8在审
发明人：韩飞;叶甜春;王云;任广辉;薛静;卢苗;於挺 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：本申请涉及电机控制器技术领域，具体来说，本申请涉及一种单管功率模块组件与应用其的电机控制器及纯电汽车。包括驱动板、屏蔽罩组件、负向转接铜排组件、金属化薄膜电容、三相铜排组件、单管组件、绝缘塑料件和PINFIN散热板，所述驱动板固定安装在所述屏蔽罩组件上，所述驱动板与所述单管组件的信号引脚PIN焊接，所述单管组件固定连接到安装所述绝缘塑料件的所述PINFIN散热板上，所述金属化薄膜电容分别与所述单管组件、所述负向转接铜排组件连接，所述单管组件还与三相铜排组件相连。本申请所述的单管功率模块组件克服了单管折弯工艺所带来的工艺复杂及不良率的问题，使整机结构相对简单而紧凑，易于安装，节省了工艺成本，整机方案便于模块化设计。
一种功率模块组件应用电机控制器汽车

[发明专利]一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置-CN202110639484.4在审
发明人：邵花;韦亚一;陈睿;王云;薛静;叶甜春 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置。该薄膜形貌预测方法包括如下步骤：读取衬底图像，衬底图像上具有微纳结构图形。从衬底图像中提取出多个表面轮廓位点，多个表面轮廓位点均为处于微纳结构图形边缘的位置点。根据表面轮廓位点的位置和目标工艺参数确定各个表面轮廓位点的预期反应速率。利用预设工艺时间和预期反应速率计算各个表面轮廓位点薄膜厚度变化。根据各个表面轮廓位点薄膜厚度变化更新衬底图像中微纳结构图形边缘的界面，以预测出用于半导体器件的薄膜形貌。本发明提供了用于指导薄膜工艺设计开发和优化的薄膜形貌预测结果，基于本发明方案可达到实现工艺设计预期、降低研发成本及推进研发进度等技术目的。
一种用于半导体器件薄膜形貌预测方法装置

[发明专利]基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构及其制造方法-CN202110769926.7有效
发明人：高峰;叶甜春;罗军;赵杰 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉半导体技术领域,公开了基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构及其制造方法，包括第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆上设有第一芯片，第一芯片的最上层的金属连线层设有M个第一键合Pad；第二晶圆上设有第二芯片，第二芯片的最上层的金属连线层设有M个第二键合Pad；第一芯片第二芯片键合，当第一芯片与第二芯片键合后，M个第一键合Pad与M个第二键合Pad一一电性连接，本发明的芯片结构在实际使用时由于第一芯片和第二芯片通过键合的方式连接，而不是在平铺在底板上后通过金属线路连接，减少了第一芯片和第二芯片集成时所需要的面积，另外本发明通过在第二芯片的背面制作FDSOI晶体管的背压控制电路，从而大大地节省了芯片面积。
基于 fdsoi 偏压控制芯片结构及其制造方法

[发明专利]一种路面病害程度识别方法、装置、设备及存储介质-CN202110639841.7在审
发明人：邢彦文;薛静;郭羽鹏;王云;许汉荆;刘建 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请涉及路面检测技术领域，更为具体来说，本申请涉及一种路面病害程度识别方法、装置、设备及存储介质。所述路面病害程度识别方法包括：通过拍摄装置获取路面图像；识别所述路面图像中路面病害区域所属的病害类别；根据该病害类别对应的等级评定规则，确定该路面病害区域所属的病害等级。本方法可精准识别出不同的路面病害，对不同种类的路面病害可以自动地、客观地、且符合当前经验认知地加以识别，进而为后面公路维护维修部门提供不同的、有力的维修建议。
一种路面病害程度识别方法装置设备存储介质

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻萃取方法-CN202110798564.4有效
发明人：苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻萃取方法，其可避免漏电流严重的问题出现，可提高源漏寄生电阻提取准确性，该方法包括：将源漏寄生电阻分解为若干分解寄生电阻，根据分解寄生电阻的分布情况，划分不同测试区间，基于开尔文测试结构测量不同测试区间的源漏寄生电阻，测量不同测试区间的鳍长度，基于直线方程、不同测试区间的源漏寄生电阻、鳍长度，计算获取分解寄生电阻。
一种场效应晶体管寄生电阻萃取方法

[发明专利]图像采集设备及其外参修正方法、装置及存储介质-CN202110656540.5在审
发明人：邢彦文;薛静;郭羽鹏;王云;许汉荆;刘建 -专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06K9/46 文献下载
摘要：本申请提出一种图像采集设备及其外参修正方法、装置及存储介质，该图像采集设备的外参修正方法包括：将第一图像和第二图像分别输入训练好的深度神经网络模型，计算两张图像的变换矩阵；第一图像由采集位置未发生变化的第一图像采集装置获得，第二图像由采集位置发生变化的第二图像采集装置获得；根据变换矩阵和第一图像采集装置的外参，修正第二图像采集装置的外参。本申请能够对已经发生位置改变的图像采集装置进行快速地外参修正，以在重复纹理、弱纹理，以及夜视和大背景干扰等复杂情况下进行高效稳定、高精度地特征点提取以及图像匹配。
图像采集设备及其修正方法装置存储介质

[发明专利]一种对半导体层减薄的方法及其应用-CN202110410522.9在审
发明人：孔真真;亨利·H·阿达姆松;王桂磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种对半导体层减薄的方法及其应用。一种对半导体层减薄的方法，包括：提供一种半导体结构，所述半导体结构的表面设有半导体层；利用喷嘴向所述半导体层喷洒腐蚀液，以进行湿法刻蚀，并且湿法刻蚀过程中使喷嘴沿所述半导体层的表面进行直线往复移动，同时所述半导体结构不断旋转，并且所述半导体层与所述喷嘴之间的距离始终不变。本发明通过旋转喷涂模式可以实现材料的大面积均匀刻蚀。
一种对半导体层减薄方法及其应用