“崔成强”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果341个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于液束电铸方形截面金属结构的喷嘴-CN202111046285.9有效
发明人：明平美;张亚楠;周涛;李真明;牛屾;闫亮;李欣潮;王伟;曹军;崔成强 -专利权人：河南理工大学;南通美精微电子有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于液束电铸方形截面金属结构的喷嘴，喷嘴呈横截面为矩形的等壁厚中空方管状，设有上导流段和四周设有微栅缝和微栅的下导流段，微栅包括位于喷嘴各边中部的中部微栅和四角边处的角微栅。微栅缝的宽度w1和中部微栅的宽度w2相等。角微栅的厚度w3等于喷嘴的壁厚w5，宽度w4等于w5与w2之和。微栅的下端的侧边设有45°倒角。因微栅缝的设置可大幅减小电铸液液流与喷嘴内壁的接触面积，使液流进入加工间隙形成液束前承受更小的表面张力，且液阻也相应减小，从而有利于减缓液束收缩变形并使其继续维持方形截面形状，进而电铸出方形截面金属结构。本发明的目的是提供一种以液束电铸方式一次性高效地成型高精度的方形截面金属结构的喷嘴。
一种用于电铸方形截面金属结构喷嘴

[发明专利]一种基于玻璃基板的封装结构及封装方法-CN202210294521.7在审
发明人：杨斌;刘宇;华显刚;崔成强;林挺宇 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于玻璃基板的封装结构及封装方法，该封装结构包括玻璃基板以及介电层，玻璃基板开设有用于安装芯片的凹槽，凹槽及凹槽的表面布有线路层，芯片位于凹槽内且与线路层电连接，介电层上开有孔洞，孔洞内设有用于电气连接的铜柱，在铜柱上方设有铜垫，铜垫上方设有焊锡球。该封装方法包括：在玻璃基板安装芯片的位置上开设凹槽；在凹槽的表面铺设线路层；将芯片安装在凹槽中以使芯片与线路层电连，并对芯片进行塑封；在玻璃基板的上表面压合介电层，并在介电层开设孔洞并制作铜柱；在铜柱上制作铜垫并植球。本发明能够有效降低整个封装体的厚度，满足电子产品轻薄化的需求。
一种基于玻璃封装结构方法

[发明专利]一种面向纳米金属膏体的点胶结构与点胶方法-CN202110814636.X有效
发明人：杨冠南;何楚源;钟朝彬;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向纳米金属膏体的点胶结构及点胶方法，属于点胶设备技术领域。包括精密点胶头和输送管道，所述精密点胶头安装于输送管道上，所述输送管道安装于储膏盒底端或机械手末端，所述储膏盒包括盒体和压力传感器，所述压力传感器安装于盒体表面。本发明通过精密点胶头的设计，具有自动补胶可连续作业、出胶稳定、点胶精度高、寿命长的优点。
一种面向纳米金属胶结方法

[实用新型]一种基于纳米金属的线路修复装备-CN202121127412.3有效
发明人：杨冠南;崔成强;吴润熹;李权震;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于纳米金属的线路修复装备，包括前处理模块、自动光学检测模块、表面平整化模块、预烘干模块、电学检测模块、清洗模块和热处理模块，还包括对线路缺陷进行点胶填充的纳米金属点胶系统和对纳米金属烧结的激光模块，还包括用于耦合联动控制所述前处理模块、自动光学检测模块、纳米金属点胶系统、表面平整化模块、预烘干模块、激光模块、电学检测模块、清洗模块和热处理模块的信号处理控制系统。本实用新型能够精确地确定线路板待修复线路的位置，从而对线路缺陷进行修复，还能检测线路缺陷修复是否成功，提高了修复效率以及准确率。
一种基于纳米金属线路修复装备

[发明专利]一种常温成型的纳米导电金属膏与制备方法和应用-CN202110375743.7有效
发明人：杨冠南;李泽波;林伟;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B22F1/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种常温成型的纳米导电金属膏与制备方法和应用，本发明的纳米导电金属膏分成了两个组分，一方面可以实现在两种组分没有混合之前不会发生固化，另一方面在使用的时候只需要将两种组分混合即可发生固化，无需加热或采用激光，使用过程更为方便，两种混合反应，逐渐收缩并形成网状结构，促使纳米金属聚集，在最后阶段混合溶液固化，从而达到烧结导电的目的。这一过程中，在常温或者室温的情况下，可紫外激光对混合溶液进行照射，辅助促进溶液反应。本发明提供的常温成型的纳米导电金属膏可以广泛应用于柔性可穿戴设备、柔性显示屏、柔性传感器等领域。
一种常温成型纳米导电金属制备方法应用

[发明专利]一种含射频芯片的集成电路封装结构及其制备方法-CN202210404034.1在审
发明人： 崔成强;杨斌;刘宇;华显刚;林挺宇 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法，包括：提供基板，在基板上制作线路结构，线路结构具有第一区域和第二区域；在第一区域四周制作围墙式屏蔽壁，在第二区域四周制作若干间隔设置的导电柱；提供至少一第一芯片和若干第二芯片，第一芯片为射频芯片，将其贴于第一区域，将第二芯片贴于第二区域；对第一芯片、第二芯片、屏蔽壁及导电柱塑封，形成第一塑封层；在第一塑封层上制作金属层，对该金属层图形化处理，形成与屏蔽壁上端连接并覆盖安装槽的屏蔽盖以及与铜柱上端连接的第三线路层，屏蔽壁和屏蔽盖组成屏蔽罩；提供若干第三芯片，将其贴于第三线路层上并电性引出。本发明在制备线路时同步制得屏蔽罩，简化了工艺与结构。
一种射频芯片集成电路封装结构及其制备方法

[发明专利]一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法-CN202210329792.1在审
发明人：杨斌;刘宇;华显刚;崔成强;林挺宇 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其包括如下步骤：S1，提供玻璃基板；S2，在玻璃基板的表面设置掩膜板；S3，对掩膜板进行开孔以获取预设图案；S4，在掩膜板的孔洞中沉积一层纳米金属；S5，通过蚀刻液对玻璃基板进行蚀刻；S6，移除掩膜板并清洗玻璃基板，完成蚀刻。本发明可以有效防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的问题。
一种玻璃纳米金属诱导蚀刻方法

[发明专利]一种基于可分离铜箔载板的扇出型封装基板结构及其制备方法-CN202210292065.2在审
发明人：杨斌;崔成强;张鸿平;何键豪;刘宇;单欣 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种基于可分离铜箔载板的扇出型封装基板结构及其制备方法。其中，基于可分离铜箔载板的扇出型封装基板结构的制备方法包括：提供可分离铜箔载板，可分离铜箔载板的一侧具有可剥离型铜箔层；在可剥离型铜箔层上制作线路结构及固定与该线路结构电连接的ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，制得基板；对基板开声孔处理，制得扇出型封装基板结构。本发明通过扇出型技术将ASIC芯片和集成电容/电阻模块的核心元器件封装成基板并开声孔，可以实现MEMS芯片的承载以及声音传递，能提高产品的使用寿命，并且简化了工艺，降低了生产成本。
一种基于可分离铜箔扇出型封装板结及其制备方法

[发明专利]一种扇出型封装基板结构及其制备方法-CN202210292071.8在审
发明人：杨斌;崔成强;张鸿平;何键豪;刘宇;单欣 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种扇出型封装基板结构的制备方法，包括以下步骤：S10、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，对ASIC芯片和核心元器件进行塑封，形成包覆ASIC芯片和核心元器件的塑封层；S20、在塑封层一侧制作第一线路结构；S30、在塑封层内制作导电柱以及在塑封层的另一侧制作第二线路结构，并使第二线路结构通过导电柱与第一线路结构电连接，制得基板；S40、对基板开声孔处理，制得扇出型封装基板结构。本发明通过扇出型技术将ASIC芯片和集成电容/电阻模块的核心元器件封装成基板替代传统的PCB，以实现MEMS芯片的承载以及声音传递，并能提高产品的使用寿命，且能简化工艺，降低生产成本。
一种扇出型封装板结及其制备方法

[发明专利]一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法-CN202210292092.X在审
发明人：杨斌;崔成强;张鸿平;何键豪;刘宇;单欣 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。其中，基于薄膜电容的扇出型封装基板结构的制备方法包括以下步骤：S10、提供薄膜电容，薄膜电容由电容层和位于电容层两侧的第一铜箔层和第二铜箔层组成；S20、在电容层一侧制作第一线路结构并贴装ASIC芯片和电阻；S30、在电容层远离第一线路层的一侧制作第二线路结构，并使第一线路结构与第二线路结构电连接，制得基板；S40、对基板开声孔处理，制得基于薄膜电容的扇出型封装基板结构。本发明采用薄膜电容通过扇出技术将ASIC芯片封装成基板以替代传统的PCB，从而实现埋阻、MEMS芯片的承载以及声音传递，并能提高产品良率、产品使用寿命，且能简化工艺，降低生产成本。
一种基于薄膜电容扇出型封装板结及其制备方法

[发明专利]一种光交叉波导单元-CN202111550624.7有效
发明人：郭嘉梁;赵迎宾;崔成强;张跃芳 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明属于集成光子器件领域，特别涉及一种光交叉波导单元，包括平板形光波导和至少两个条形光波导组，每个条形光波导组包括两个条形光波导，两个条形光波导分别为输入条形光波导和输出条形光波导；平板形光波导包括至少两个全内反射镜组，全内反射镜组与条形光波导组一一对应设置，每个全内反射镜组包括多个全内反射镜，每个全内反射镜组用于把对应的条形光波导组中的输入条形光波导输入的光波全部引导至相应的输出条形光波导；输入条形光波导的输出端和输出条形光波导的输入端伸入平板形光波导的下方且与平板形光波导之间具有间隙，间隙的厚度为0.01μm‑0.2μm。该结构大大减少了光波能量的损失，保证了交叉波导的低能量损耗。
一种交叉波导单元

[实用新型]一种高集成密度的芯片互连结构及封装结构-CN202122541213.3有效
发明人：杨斌;赵迎宾;崔成强 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型属于芯片互连技术领域，特别涉及一种高集成密度的芯片互连结构及封装结构。该芯片互连结构包括集成束，集成束呈束状，集成束包括介电层和多个导电线路，介电层包覆在多个导电线路的外表面，导电线路贯穿介电层且暴露在集成束相对设置的两端面。本芯片互连结构的集成束能够脱离芯片单独制作而成，采用该集成束封装的芯片封装结构良品率和可靠性更高，有利于测量仪器检测集成束的导电线路缺陷。集成束的长度灵活组合，具有更好的适应性，能够适应不同规格、不同制程的芯片的互连。相较于TSV的互连结构，集成束的导电线路之间的距离更小，降低互连传输通道的长度，集成密度更高，提供更高的数据传输速率和带宽。
一种集成密度芯片互连结构封装

[发明专利]一种多孔金属片的可控制备方法-CN202210243265.9在审
发明人：张昱;余贤冲;崔成强;杨冠南;钟克菊;曹秀华 -专利权人：广东工业大学;广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔金属片的可控制备方法，涉及金属片制备领域。多孔金属片的可控制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底材料的表面依次进行集热处理和集冷处理，得到表面具有凸起的衬底材料；(2)在步骤(1)得到的衬底材料的表面喷覆合金微粒，得到合金微粒层；(3)在合金微粒层的表面通入含碳有机气体，在高温无氧条件下，在合金微粒层的表面形成石墨层；(4)采用电火花烧蚀装置制备纳米金属颗粒，并将纳米金属颗粒收集沉积在石墨层的表面，在石墨层的表面形成金属层；(5)分离石墨层和金属层，得到多孔金属片。本发明能够可控地制备得到理想的厚度及孔隙率的多孔金属片，以满足不同领域和性能的需求。
一种多孔金属片可控制备方法

[发明专利]一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法-CN202110602170.7有效
发明人：杨冠南;钟朝彬;童金;崔成强;张昱 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，其中，成型方法包括以下步骤：取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；移除加压板；清除导电介质上残余纳米金属颗粒。本申请实施例提供的成型方法采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备，具有便捷、低成本、设备要求低的特点，可制备出具备合格的结构强度、导电性能的导电结构产品。
一种基于纳米金属冲击烧结导电结构及其成型方法

[发明专利]一种键合丝保护层的制作方法-CN202210058005.4在审
发明人：杨冠南;张海德;周志强;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于键合丝技术领域，公开了一种键合丝保护层的制作方法。该方法包括以下步骤：在引线键合完成后，将引线浸没于低于0℃的低温介质中，使引线温度降至与低温介质一致；然后将引线立即放入含有有机包覆剂气体的氛围中，含有有机包覆剂气体的氛围最初的气压为0.01～0.1MPa，温度在室温至400℃范围内，接着提高气压至0.1～1MPa，反应使有机包覆剂在键合丝表面快速冷却，形成致密的保护层。本发明采用有机物蒸汽进行包覆，键合丝热导率高，加上低温，会诱使有机物在键合丝表面析出形成包覆层，而且是在引线键合试样快速放入蒸汽室内后，快速升压，也会诱使有机物在键合丝表面析出形成包覆层。
一种键合丝保护层制作方法