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[发明专利]电熔丝电路和电子元件-CN201010141743.2无效
发明人： 山口秀策 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：提供了一种电熔丝电路和电子元件。一种电熔丝电路被提供，其具有形成电熔丝的电容器；通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路；以及至少两个晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，在电容器和写入电路之间串联连接。
电熔丝电路电子元件

[发明专利]电熔丝电路和电子元件-CN201010141756.X有效
发明人： 山口秀策 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：提供了一种电熔丝电路和电子元件。一种电熔丝电路被提供，其具有形成电熔丝的电容器；通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路；以及至少两个晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，在电容器和写入电路之间串联连接。
电熔丝电路电子元件

[发明专利]存储器设备、存储器控制器和存储器系统-CN200710135818.4有效
发明人：川久保智广;山口秀策;池田仁史;内田敏也;小林广之;神田达哉;山本喜史;白川晓;宫本哲生;大塚龙志;高桥秀长;栗田昌德;镰田心之介;佐藤绫子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供了存储器设备、存储器控制器和存储器系统。一种响应于来自存储器控制器的命令而被操作的存储器设备具有多个存储体，该多个存储体分别具有包括存储器单元阵列和解码器的存储器核心并且被存储体地址选择；以及控制电路，该控制电路响应于后台刷新命令，致使由存储器控制器设置的刷新目标存储体内的存储器核心相继执行刷新操作多次，次数对应于由存储器控制器设置的刷新突发长度，并且在由刷新目标存储体内的存储器核心执行的刷新操作期间，该控制电路响应于正常操作命令，还致使除刷新目标存储体之外的被存储体地址选择的存储体内的存储器核心执行与正常操作命令相对应的正常存储器操作。
存储器设备控制器系统

[发明专利]半导体集成电路及其测试方法-CN200710142549.4无效
发明人： 山口秀策 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体集成电路及其测试方法。该半导体集成电路包括激光熔丝电路、电熔丝电路和调整电路，所述激光熔丝电路被使得通过激光辐射存储第一修整码，所述电熔丝电路被使得通过电压施加来存储第二修整码，所述调整电路根据所述第一或第二修整码调整电势水平或定时。
半导体集成电路及其测试方法

[发明专利]电熔丝电路、存储器器件和电子部件-CN200710135774.5有效
发明人： 山口秀策 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：提供了一种电熔丝电路，其包括：构成电熔丝的电容器；写电路，其通过根据写信号向电容器的两个端子之间施加电压来击穿电容器的绝缘膜；以及预充电电路，其对电容器的端子进行预充电。
电熔丝电路存储器器件电子部件

[发明专利]电熔丝电路和电子元件-CN200710142014.7有效
发明人： 山口秀策 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种电熔丝电路被提供，其具有形成电熔丝的电容器；通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路；以及至少两个晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，在电容器和写入电路之间串联连接。
电熔丝电路电子元件

[发明专利]半导体存储装置-CN200480043578.X有效
发明人：富田浩由;山口秀策 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G11C11/403 文献下载
摘要：共用端子接收地址信号和数据信号。地址有效端子接收表示供给共用端子的信号是地址信号的地址有效信号。判优器决定优先外部存取请求和内部刷新请求中的哪一个。判优器响应芯片使能信号和地址有效信号的同为有效电平(外部存取请求)来禁止接收内部刷新请求。判优器响应读出操作或者写入操作的结束来允许接收内部刷新请求。其结果是，在具有接收地址信号和数据信号的共用端子的半导体存储装置中，能够防止读出操作以及写入操作和响应内部刷新请求的刷新操作相互冲突，从而防止误操作。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器-CN200510072601.4无效
发明人： 山口秀策;内田敏也;柳下良昌;阪东能英;矢田雅大;奥田正树;小林广之;原浩太;藤冈伸也;藤枝和一郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种半导体存储器，其中形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时，读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时，写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块。因此，可能在不由用户识别的情况下执行刷新操作。即，提供用户友好的半导体存储器，并且，再生读数据使得可以输出读数据而没有访问时间上的延迟。这最终能实现对读命令的高速响应和高速数据传输速率。
半导体存储器

[发明专利]具有多个存储体的半导体存储装置-CN200410032553.1有效
发明人：内田敏也;山口秀策 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多个存储体的半导体存储装置，所述装置包括：具有用于使所述多个存储体相互连接的n位宽度的总线；第一数据传递装置，用于通过利用所述n位宽度总线的一部分在第一数据传递装置和预定的存储体之间传递数据；以及第二数据传递装置，用于通过利用未被第一存储体使用的所有位或其中的一部分位在第二数据传递装置和另一个存储体之间传递数据。这使得即使在脉冲串长度被设置为小于最大脉冲串长度的值的情况下，也能实现稳定的操作。
具有存储半导体装置

[发明专利]半导体存储器-CN03104113.2有效
发明人：柳下良昌;内田敏也;阪東能英;小林広之;山口秀策;奥田正樹 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-02-13 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：多个存储块被分配相同的地址空间，以在其中写入相同的数据，并且可相互独立地操作。响应一个刷新命令，一个存储块被选择为执行刷新操作的刷新块，而响应读取命令，另一个存储块被选择为执行读取操作的读取块。然后，多个存储块以不同的时序执行读取操作，从而读取操作相互重叠。因此，该半导体存储器可以在比单个读取操作的执行时间更短的时间间隔接收读取命令。结果，可以高速地响应外部提供的读取命令，并且可以提高在读取操作过程中的数据传输速率。
半导体存储器

[发明专利]半导体存储器-CN02143453.0无效
发明人： 山口秀策;内田敏也;柳下良昌;阪东能英;矢田雅大;奥田正树;小林广之;原浩太;藤冈伸也;藤枝和一郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时，读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时，写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块。因此，可能在不由用户识别的情况下执行刷新操作。即，提供用户友好的半导体存储器。
半导体存储器

[发明专利]半导体存储装置和信息处理单元-CN01142541.5有效
发明人：内田敏也;山口秀策 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置和一种信息处理单元,它们可以改善在半导体存储装置中写入数据的速度。一传递部分以脉冲串方式传递数据。传递数量设置部分设置以脉冲串方式传递的多个数据位的数量。写指令输入部分接收输入的写指令。定时部分测量在输入写指令之后经过的时间。写开始时间设置部分按照由传递数量设置部分设置的数据位的数量设置在开始写数据之前经过的时间。
半导体存储装置信息处理单元

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