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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置以及读取半导体存储装置的方法-CN202210672955.6在审
发明人： 藤冈伸也 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置以及读取半导体存储装置的方法，可以容易地辨识发生于输出数据的错误的具体内容。半导体存储装置包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；错误检测订正电路，检测并订正包含于从存储单元阵列输出的数据的错误位，当前述数据包含可订正的错误位时，将错误检测信号变成有效；输入与输出电路，当前述数据包含不可订正位时，输入与输出电路停止与前述数据一起输出的数据选通信号的时钟脉冲的至少一个。
半导体存储装置以及读取方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202111069368.X在审
发明人： 藤冈伸也 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，包括：第一控制部，根据从外部输入的包含于特定指令的有关于存储单元的更新间隔的信息，设定所述存储单元的更新间隔。本发明的半导体存储装置，不仅可以抑制耗电的增大，还可以回避由于行捶击问题导致的数据破坏。
半导体存储装置

[发明专利]存储装置及其输入输出缓冲控制方法-CN202110694734.4在审
发明人： 藤冈伸也 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置及其输入输出缓冲控制方法，所述存储装置包括虚拟静态随机存取存储器与控制器。虚拟静态随机存取存储器包括具有高速模式电路与慢速模式电路的输入输出电路。控制器依据存储装置的操作模式而调整电源电压与时脉频率，并基于经调整电源电压与经调整时脉频率而产生寄存器设定码。其中虚拟静态随机存取存储器依据寄存器设定码而致能高速模式电路以及慢速模式电路中的一者，并禁能高速模式电路以及慢速模式电路中的另一者。
存储装置及其输入输出缓冲控制方法

[发明专利]存储装置及其连续读写方法-CN202010625379.0在审
发明人： 藤冈伸也 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置及其连续读写方法，存储装置包括虚拟静态随机处理存储器与控制器，控制器被配置为提供外部命令至虚拟静态随机处理存储器。当存储装置开始连续读取操作或连续写入操作时，控制器提供多个页面起始地址至虚拟静态随机处理存储器，且虚拟静态随机处理存储器依据接收多个页面起始地址的顺序进行连续读取操作或所述连续写入操作。
存储装置及其连续读写方法

[发明专利]动态随机存取存储器-CN201810787811.9有效
发明人： 藤冈伸也;池田仁史 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。所述DRAM包括一温度传感器、一动态存储器阵列、一控制电路、多个电力供应电路以及一电力控制电路。温度传感器感测DRAM的操作温度。控制电路耦接至动态存储器阵列，以及存取与管理动态存储器阵列。电力供应电路供电给动态存储器阵列与控制电路。电力控制电路控制所述多个电力供应电路的供电输出。当DRAM进入自刷新模式时，电力控制电路依照DRAM的操作温度而选择性地切换于低功率控制状态与通常功率控制状态之间。
动态随机存取存储器

[发明专利]半导体设备-CN201510511697.3有效
发明人：菅田章彦;野添耕二;二野宫鼓;藤冈伸也 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H02M7/08 文献下载
摘要：公开了一种半导体设备。在通过利用整流电路根据天线接收的RF载波信号产生电源电压的半导体设备中，每个都包括多个电容器和多个二极管的整流电路被多级连接。整流电路包括在比二极管导通电压大的电压处导通并且将二极管的阴极钳位在第一电压的限幅电路。在连接到天线连接端子的电容器和被提供电源电压的参考电位VSS的节点之间，二极管和限幅电路并联连接。第一电压小于由整流电路的二极管构成的寄生双极晶体管的阈值电压。
二极管整流电路半导体设备电容器电源电压限幅电路寄生双极晶体管阴极天线连接端子二极管导通并联连接参考电位多级连接天线接收阈值电压导通钳位

[发明专利]半导体存储器装置和电子装置-CN201310450572.5无效
发明人： 藤冈伸也 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了半导体存储器装置和电子装置。一种半导体存储器装置包括：多个存储器块MBA0、MBA1、MBB0、MBB1；与该多个存储器块分别相关联地设置的多条总线线路26；多个输入/输出端口22a、22b；选择器28a、28b，该选择器28a、28b选择性地将该多条总线线路中的每一条连接到该多个输入/输出端口中的一个；以及设定单元38a、38b，该设定单元38a、38b设定该选择器的连接。
半导体存储器装置电子

[发明专利]存储器系统和存储器的控制方法-CN200810177670.5有效
发明人： 藤冈伸也;江口康之 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供了存储器系统和存储器的控制方法。该存储器系统包括：半导体存储器，该半导体存储器包括根据第一电源电压操作的内部电路，以及耦合到该内部电路并且根据第二电源电压操作的存储器输入/输出电路；第一控制单元，该第一控制单元包括耦合到存储器输入/输出电路并且根据第二电源电压操作的控制输入/输出电路；电压生成单元，该电压生成电路生成第二电源电压，并且根据电压调节信号来改变第二电源电压；时钟生成单元，该时钟生成单元生成时钟信号，并且根据时钟调节信号来改变时钟信号的频率；以及第二控制单元，该第二控制单元根据第一控制单元对半导体存储器的访问状态，来生成电压调节信号和时钟调节信号。
存储器系统控制方法

[发明专利]半导体存储器、存储器系统和存储器访问控制方法-CN200810180926.8有效
发明人： 藤冈伸也 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器、存储器系统和存储器访问控制方法。该半导体存储器包括包含多个存储单元的存储器核心，生成用于刷新存储单元的刷新请求的刷新生成单元，响应于访问请求而执行访问操作的核心控制单元，在芯片使能信号的激活和刷新请求发生冲突时激活等待时间延长信号、并且响应于芯片使能信号的失活而失活等待时间延长信号的等待时间判定单元，输出等待时间延长信号的等待时间输出缓冲器，以及在等待时间延长信号的激活期间改变从访问请求到向数据端子传送数据的等待时间的数据控制单元。
半导体存储器系统访问控制方法

[发明专利]半导体存储器件和存储器系统-CN200810182920.4无效
发明人： 藤冈伸也;佐藤光德 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器件和存储器系统。提供了命令寄存器和地址寄存器，其中命令寄存器用于保存与提供自外部的访问请求相关的信息的译码结果，并且在处理电路即芯片控制电路和地址译码器中对与来自外部的访问请求相关的信息的译码，以及由访问控制电路在存储单元阵列中执行的与外部访问请求相对应的操作可以相互独立地并行执行，从而可以多重输入来自外部的访问请求，并且对于存储单元阵列中与外部访问请求相对应的操作和译码可以实现流水线化的操作，因此能够加快对半导体存储器件的访问操作，而不会引起任何问题。
半导体存储器件存储器系统

[发明专利]半导体存储器件和存储器系统-CN200810182921.9无效
发明人： 藤冈伸也;佐藤光德 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器件和存储器系统。提供了命令寄存器和地址寄存器，其中命令寄存器用于保存与提供自外部的访问请求相关的信息的译码结果，并且在处理电路即芯片控制电路和地址译码器中对与来自外部的访问请求相关的信息的译码，以及由访问控制电路在存储单元阵列中执行的与外部访问请求相对应的操作可以相互独立地并行执行，从而可以多重输入来自外部的访问请求，并且对于存储单元阵列中与外部访问请求相对应的操作和译码可以实现流水线化的操作，因此能够加快对半导体存储器件的访问操作，而不会引起任何问题。
半导体存储器件存储器系统

[发明专利]半导体存储器和半导体存储器的预烧测试方法-CN200510123709.1有效
发明人： 藤冈伸也;奥山好明;高田泰宽;渡边达启;小玉修巳 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：包括第一步到第六步的预烧测试被施加到半导体存储器上，在每一步中，电压被施加相同的时长，该半导体存储器具有交替排列的具有位线彼此交叉的扭曲结构的位线对和具有位线彼此平行的非扭曲结构的位线对。由于向所有位线施加应力的时长可以设为相等，所以在位线之间施加应力的时长上不会发生偏差。可以防止存储单元特性由于预烧测试而引起的过度恶化。另外，在第一步到第六步中可以使未向其施加应力的位线数目最小。因此，可以增大向其施加应力的位线的比率，这减少了预烧测试时间。从而可以减小测试成本。
半导体存储器测试方法

[发明专利]半导体存储器器件和信息处理系统-CN200510112863.9有效
发明人： 藤冈伸也;江口康之;助野淳;佐藤光德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器器件和信息处理系统。通过刷新控制单元，在存储器单元阵列处用于保持存储在存储器单元中的数据的刷新操作被使得能够被切换为是基于从外部输入的外部刷新请求还是内部生成的内部刷新请求而被执行，因此，当基于外部刷新请求执行刷新操作时，可以仅以执行根据访问请求的操作所需的时间，而不包括执行刷新操作所需的时间，来执行对于存储器单元阵列的根据来自外部的访问请求的访问操作。
半导体存储器器件信息处理系统

[发明专利]存储器器件-CN200410104483.6有效
发明人：森郁;藤冈伸也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器器件，所述存储器器件具有：存储数据的存储器单元；选择存储器单元的字线；连接到所选的存储器单元的位线；向位线提供预充电电压的预充电电源；将预充电电源连接到位线或将预充电电源与位线断开的预充电电路；以及根据操作状况以至少两个阶段控制预充电电源和位线之间电流流动幅度的电流限制元件。
存储器器件

[发明专利]半导体存储器件和存储器系统-CN200410081795.X无效
发明人： 藤冈伸也;佐藤光德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器件和存储器系统。提供了命令寄存器和地址寄存器，其中命令寄存器用于保存与提供自外部的访问请求相关的信息的译码结果，并且在处理电路即芯片控制电路和地址译码器中对与来自外部的访问请求相关的信息的译码，以及由访问控制电路在存储单元阵列中执行的与外部访问请求相对应的操作可以相互独立地并行执行，从而可以多重输入来自外部的访问请求，并且对于存储单元阵列中与外部访问请求相对应的操作和译码可以实现流水线化的操作，因此能够加快对半导体存储器件的访问操作，而不会引起任何问题。
半导体存储器件存储器系统

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