“尚艺”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法-CN201910551761.9有效
发明人：黄健;黄柘源;胡艳;邹天宇;唐可;尚艺;别佳瑛;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底‑半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
碲锌镉晶体电感耦合等离子体刻蚀工艺方法

[发明专利]硅基尺寸可控β-Ga2-CN202110853195.4在审
发明人：黄健;顾克云;尚艺;邓洁;刘尊;张志洛;丁可可;张子龙;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备方法，所述硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备工艺是：首先在单晶Si(100)衬底上沉积不同厚度的金(Au)催化层，并对催化层进行原位球化退火，得到不同尺寸的Au纳米颗粒，然后进行磁控溅射生长β‑Ga2O3纳米线并原位退火，得到不同尺寸的β‑Ga2O3纳米线。本发明通过调控β‑Ga2O3纳米线的尺寸可得到具有缺陷少、电阻率高、均匀致密等优点的β‑Ga2O3纳米线。本发明制备的不同的尺寸的β‑Ga2O3纳米线在日盲紫外探测器应用中表现出优异的性能，在军事领域可应用于导弹逼近预警系统、紫外通信、紫外成像导航等，在民用领域的汽车尾气检测、火焰检测、指纹检测等方面有广阔的应用前景。
尺寸可控 ga base sub

[发明专利]片状Cu2ZnSnS4薄膜的制备方法-CN201810554306.X有效
发明人：曹萌;别佳瑛;尚艺;靖佳贺;吴创生;尧科峰;沈悦;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中，将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，在80‑90℃反应0.5‑2小时，将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜，洗净、烘干；之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中，在180℃反应10‑12h，反应物冷却，洗净、烘干；通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单，所用前躯体材料成本低廉，制备的薄膜呈片状颗粒，且分布均匀，有利于提高其光电特性。
片状 cu2znsns4 薄膜制备方法

[发明专利]具有金属缓冲层的CZT薄膜复合材料及其制备方法-CN201910347454.9有效
发明人：黄健;马云诚;朱建;胡艳;邹天宇;唐可;尚艺;别佳瑛;缑赛飞;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属缓冲层的CZT薄膜复合材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用衬底‑缓冲层‑半导体的三明治结构的组合形式，依次由衬底、金属缓冲层和碲锌镉三部分进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中加入金属缓冲层。与传统生长方式相比，本发明所采用的金属缓冲层技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高。本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
具有金属缓冲 czt 薄膜复合材料及其制备方法

[发明专利]具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法-CN202011347355.X在审
发明人：黄健;黄浩斐;陈卓睿;尚艺;张志洛;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C25B11/069 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
具有复合衬底结构 czt 薄膜材料及其制备方法

[发明专利]具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法-CN202010835636.3在审
发明人：陈哲;别佳瑛;陈卓睿;尚艺;黄浩斐;李洪伟;黄健;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法，属半导体探测材料制造技术领域。本方法是先通过近空升华法在导电玻璃衬底上沉积碲锌镉膜，在进行抛光和腐蚀之后，再在碲锌镉膜上通过磁控溅射方法依此沉积碲化镉、硫化锌的复合钝化层。之后在N2氛围下进行退火。经过光刻和干法刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在膜上上沉积金电极。钝化层的存在使得抛光、腐蚀后的碲锌镉膜表面受到良好的保护，碲锌镉膜表面漏电流减小，从而改善碲锌镉探测器的性能，本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
具有复合钝化 czt 复合材料核辐射探测器件及其制备方法

[发明专利]透明Ga2-CN202010872254.8在审
发明人：黄健;尚艺;陈卓睿;别佳瑛;黄浩斐;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明Ga2O3的p‑i‑n异质结构日盲型紫外光探测器及其制备方法，制备了Ga2O3薄膜，对日盲紫外光探测器的结构进行了设计，本发明探测器的结构采用衬底、p型NiO薄膜、i层Ga2O3薄膜、n型硼、镓共掺的氧化锌(BGZO)薄膜和Au电极五部分进行层叠组装而成。本发明相对于商业上使用的光电倍增管结构简单，性能优异，并且安全无毒，适用于大规模日盲紫外光探测器中。同时，p‑i‑n型结构的设计扩展了耗尽区的宽度，增大了光电转换的有效工作区域，提高了器件的响应速度。
透明 ga base sub

[发明专利]n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜-CN202010884690.7在审
发明人：黄健;胡艳;尚艺;陈卓睿;李洪伟;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，采用射频磁控溅射方法，制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜，与本征氧化镓薄膜相比，五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子，显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快，晶体质量高，导电性好，对于功率电子器件，日盲型紫外光探测器，气体传感器和薄膜晶体管等光电子领域具有重要意义和应用前景。
氧化薄膜掺杂工艺制备

[发明专利]圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法-CN201910455480.3在审
发明人：黄健;周新雨;黄柘源;胡艳;尚艺;马云诚;别佳瑛;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆形结构的MgZnO薄膜晶体管的太阳能电池逆变器及其制备方法，制备了MgZnO薄膜，对太阳能电池逆变器的结构进行了设计，本发明逆变器的结构采用电极‑绝缘层‑沟道层‑电极的结构的组合形式，依次由Cr电极、SiO₂衬底、MZO沟道和Au电极四部分进行层叠组装而成。本发明相比传统的逆变器，具有较高的阻断电压以及夹断电压，并且安全无毒，适宜使用于日常生活中的太阳能发电中。本发明价格相较IGZO材料的价格低廉，适用于大规模太阳能电池中。本发明的衬底使用的是玻璃，且MZO薄膜为透明薄膜，所以相比传统太阳能电池，在美观程度上具有较大的优势。
逆变器太阳能电池电极制备圆形结构晶体管衬底绝缘层传统太阳能电池太阳能发电层叠组装夹断电压透明薄膜阻断电压组合形式传统的沟道层沟道薄膜无毒美观玻璃安全

1
共 9 条