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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210215316.7在审
发明人：和田秀雄;山崎博之;园田真久;小池豪 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：实施方式提供一种能抑制半导体层引起的问题的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；第1绝缘膜，设置于所述第1衬底上；及半导体层，设置于所述第1绝缘膜上。所述装置还具备：金属层，包含：第1部分，设置于所述半导体层上；及第2部分，包含不介隔所述半导体层而设置于所述第1绝缘膜上的接合垫。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及光掩模-CN202110499839.4在审
发明人：河村大辅;小池豪 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本文中所描述的实施例大体来说涉及一种半导体装置及一种光掩模。所述实施例的一种半导体装置包含布置在第一阶层中的第一结构及第二结构，其中所述第一结构及所述第二结构沿着所述第一阶层的平面在第一方向上重复地布置，且在所述第一结构及所述第二结构的最小重复单元中，所述第一结构的几何中心与所述第二结构的几何中心之间的距离在所述第一方向上的第一位置与第二位置之间是不同的。
半导体装置光掩模

[发明专利]半导体存储装置-CN202010567604.X在审
发明人： 小池豪 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种集成性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，其由导电层和绝缘层在第一方向上交替地层叠而成；多个柱状体，所述柱状体在所述层叠体内在所述第一方向上延伸，包括半导体主体和电荷储存膜，所述电荷储存膜设置在多个所述导电层中的至少一个导电层与所述半导体主体之间；多个位线，其在与所述第一方向相交的第二方向上在所述层叠体的上方延伸；层间绝缘层，其位于所述层叠体与所述位线之间；以及触头，其贯穿所述层间绝缘层，所述触头具有与1个所述柱状体连接的第一触头、和与多个所述柱状体连接的第二触头。
半导体存储装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201780016088.8有效
发明人： 小池豪;胜野弘;加贺広持;泽野正和;任郁雄;宫部主之 -专利权人：阿尔发得株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：实施方式的半导体发光元件具有积层体。所述积层体具有第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层之上的发光层及设置在所述发光层之上的第2导电型的第2半导体层。所述积层体在上表面具有朝从所述第1半导体层朝向所述发光层的第1方向突出的第1突出部。所述第1突出部在相对于所述第1方向垂直的第2方向上的长度朝向所述第1方向减少。所述第1突出部具有第1部分及第2部分。所述第1部分具有相对于所述第1方向倾斜的第1侧面。所述第2部分设置在所述第1部分之下，且具有相对于所述第1方向倾斜的第2侧面。所述第2侧面以朝向下方凸出的方式弯曲。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN202010735750.9在审
发明人：野田耕生;小池豪 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供半导体存储装置及其制造方法，能够实现电特性的提高。半导体存储装置具有基板、第一层叠部、多个第一柱状部、第二层叠部、多个第二柱状部和第三层叠部。在所述第一层叠部，第一导电层和第一绝缘层沿所述基板的厚度方向交替地层叠。所述多个第一柱状体分别在所述第一层叠部内沿所述基板的厚度方向延伸。在所述第二层叠部，第二导电层和第二绝缘层沿所述基板的厚度方向交替地层叠。所述多个第二柱状体分别在所述第二层叠部内沿所述基板的厚度方向延伸。所述第三层叠部设置于所述第一方向上的所述第一层叠部和所述第二层叠部之间。在所述第三层叠部，第三绝缘层和包括与所述第三绝缘层不同的材料的第四绝缘层沿所述基板的厚度方向交替地层叠。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202010848733.6在审
发明人： 小池豪 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一实施方式提供一种能够在被传输输入信号的远端部对信号进行监控的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，隔着绝缘层积层多个导电层，且在第1方向的两端部具有导电层呈阶梯状终止的第1阶梯部；柱，于积层体内在积层体的积层方向上延伸，且在与多个导电层中的至少一部分导电层交叉的位置形成存储单元；带状部，在与第1方向相交的第2方向上延伸，将积层体在第1方向上分断；多个第1触点，配置在第1阶梯部，且与第1阶梯部各段的导电层连接；及第2触点，配置在积层体的带状部侧，并与导电层连接，所述导电层是与带状部相接且连接于存储单元的多个导电层中的最上层的导电层。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201810839992.5在审
发明人： 小池豪;杉崎刚 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备：多个配线层，在半导体衬底上方介隔绝缘层而积层；第1及第2存储柱，贯通多个配线层；以及多个第1插头，底面分别与多个配线层相接。多个配线层具备：第1阵列区域，供第1存储柱贯通多个配线层；第2阵列区域，供第2存储柱贯通多个配线层；以及连接区域，具有分别与多个第1插头连接的多个连接部。沿着第1方向依次配置第1阵列区域、连接区域、及第2阵列区域。
配线层阵列区域半导体存储装置连接区域存储贯通绝缘层插头连接插头衬底底面积层半导体配置

[发明专利]半导体存储装置-CN201810992333.5在审
发明人： 小池豪;石原英恵 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备基板、积层体、多个第1部件、以及至少一个第1绝缘部件。所述积层体具有多个电极层，这些电极层设置在所述基板上，在第1方向上相互分开而积层，且在与所述基板的上表面平行的第2方向上延伸。所述第1部件设置在所述积层体内，且在所述第1方向及所述第2方向上延伸。所述第1绝缘部件设置在所述积层体内，且以在所述第2方向上将所述多个电极层分成多个区域的方式，在所述第1方向、及与所述第2方向交叉且与所述基板的上表面平行的第3方向上延伸。
基板电极层积层半导体存储装置绝缘部件积层体上表面延伸平行体内部件设置方向交叉方向上将

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201610020688.9在审
发明人：加贺广持;胜野弘;泽野正和;小池豪;宫部主之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种提高电力效率的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：第1导电型的第1半导体层；发光层；第2导电型的第2半导体层，在与所述第1半导体层之间夹持所述发光层；第1导电层，与未设置所述发光层的所述第1半导体层电连接，且从连接的所述第1半导体层延伸至所述第1半导体层的外侧；第1层，设置在延伸至所述第1半导体层的外侧的所述第1导电层上，且包含金属；及焊垫电极，经由所述第1层而与所述第1导电层电连接。
半导体发光元件及其制造方法

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