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[发明专利]射频信号导出结构及射频检测器-CN202310786747.3在审
发明人：万亮;刘胜厚;孙希国 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请涉及电路检测技术领域，特别涉及一种射频信号导出结构及射频检测器。其中，一种射频信号导出结构，包括基板，具有相对的第一表面及第二表面；信号接触单元，设置于基板的第一表面；同轴连接器，设置于基板的一端；其中，第一表面设有1个第一导电层及至少1个第二导电层；信号接触单元设置于第一导电层及第二导电层表面；信号接触单元通过第一导电层将信号传输至同轴连接器。本申请提供的射频信号导出结构，通过采用基板，能够在保证信号正常传输的情况下，使得射频信号导出结构整体能够承受较大的机械应力，有效避免射频信号导出结构出现由于应力作用导致的损坏。
射频信号导出结构检测器

[发明专利]具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法-CN202111538504.5有效
发明人：刘胜厚;林科闯;孙希国;请求不公布姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请提供一种具有低接触电阻的晶体管及其制作方法，该晶体管包括依次形成的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的源极区域和漏极区域分别形成有离子注入区，在离子注入区形成有多个间隔设置的凹槽。在离子注入区表面以及各凹槽内沉积形成有欧姆金属，欧姆金属与各凹槽的底部和侧壁相接触。本方案中，通过形成于离子注入区的凹槽，可以使得欧姆金属不仅可以与离子注入区的表面接触，还可以与凹槽的侧壁接触，从而增加了欧姆金属与半导体的接触面积，进而降低欧姆接触电阻率，并且结合离子注入区可以进一步地达到降低欧姆接触电阻率的效果，且无需进行退火工艺进而避免产生在器件表面产生毛刺进而影响器件性能的问题。
具有接触电阻率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310530111.2在审
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]氮化物器件及其制备方法-CN202110984217.0有效
发明人：蔡文必;刘胜厚;请求不公布姓名;卢益锋;孙希国;谷鹏 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种氮化物器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供外延结构；通过离子注入在外延结构上形成第一有源区、第二有源区和无源区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出外延结构的介质层的第一窗口；通过第一窗口离子注入以在第二有源区内形成N型区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出介质层的第二窗口；通过第二窗口在N型区内形成P型区，P型区和N型区串联形成PN结二极管结构；在第一有源区形成源极、栅极和漏极，在无源区形成源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；其中，PN结二极管结构的阳极与源极焊盘接触连接、阴极与栅极焊盘接触连接。该制备方法能够提高器件的栅极和源极之间的反向电压的耐受等级。
氮化物器件及其制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110729642.5有效
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[实用新型]一种河道水草清理器-CN202320510825.2有效
发明人：李文;孙希国 -专利权人：李文
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： E02B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种河道水草清理器，包括支架，所述支架包括安装板，所述安装板上表面两侧固定有两个竖板，两个所述竖板顶端转动连接有两个侧板，且两个侧板顶端共同固定连接有搭板，两个所述侧板底端共同转动连接有从动轴，两个所述侧板顶端共同转动连接有主动轴，所述从动轴和主动轴表面通过链齿轮共同转动连接有网链输送带。本实用新型中，设置有支架，支架顶端转动连接有两个侧板，两个侧板之间设置网链输送带，该水草清理器可通过支架底部的安装板固定在船体表面，使用时就可以根据河道的深度，并通过电动伸缩杆的伸缩驱动两侧板转动，从而改变网链输送带底部的高度，以适应不同深度的河道。
一种河道水草清理

[实用新型]一种GaN HEMT器件-CN202321187611.2有效
发明人：王晶晶;刘胜厚;孙希国 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种GaN HEMT器件，其HEMT外延层设于衬底上，包括氮化物异质结；源极、漏极和栅极设于HEMT外延层上，其中栅极位于源极和漏极之间；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设于栅极和源极以及栅极和漏极之间的HEMT外延层表面上，第二钝化层覆盖源极、漏极、栅极和第一钝化层；第一钝化层为Q‑碳层或金刚石层。通过复合钝化层的设置，使器件工作产生的热量沿横向迅速传导至电极金属并通过电极金属向外部扩散，提高器件散热性能，同时降低了寄生电容，提升了器件的抗击穿性能。
一种 gan hemt 器件

[实用新型]一种水利排水结构-CN202320708129.2有效
发明人：李文;孙希国 -专利权人：李文
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： E03F3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水利排水结构，包括排水管道，所述排水管道为矩形管状结构，所述排水管道的内部固定安装有过滤机构，所述排水管道的顶部对称固定连接有与过滤机构相配合的限位机构，所述排水管道的内部且位于过滤机构两侧的位置分别转动连接有震动敲击机构和输送机构，所述排水管道的外表面一侧固定连接有与输送机构相配合的收集机构。本实用新型中，通过设置的震动敲击机构和输送机构，能够避免垃圾物对过滤网的堵塞，保证排水管道的正常排水，通过设置的限位机构，过滤网的安装拆卸较为便捷，方便进行定期的维护，实用性较强。
一种水利排水结构

[实用新型]一种氮化物高电子迁移率晶体管-CN202321188480.X有效
发明人：王晶晶;刘胜厚;孙希国 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管，其包括设于衬底上的HEMT外延层，源极、漏极和栅极设于HEMT外延层上，逆压电功能介质层设于栅极和源极以及栅极和漏极之间的HEMT外延层表面上，顶层钝化层覆盖源极、漏极、栅极和逆压电功能介质层；逆压电功能介质层在电场作用下发生形变，以应力作用于HEMT外延层，通过应力调控补偿陷阱效应捕获的电子造成的电流衰减，有效的抑制了电流崩塌效应。
一种氮化物电子迁移率晶体管

[发明专利]一种氮化物半导体器件及其制作方法-CN202211647531.0在审
发明人：刘胜厚;梁逸航;黄冠英;王子辰;孙希国 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制作方法，包括设于氮化物异质结外延层上的源极、漏极、栅极、介质材料层和阶梯源场板，栅极位于源极和漏极之间，阶梯源场板位于栅极和漏极之间；阶梯源场板设于介质材料层中，包括与氮化物外延层间隔有不同介质材料层厚度的第一阶部分和第二阶部分，阶梯源场板和漏极之间的介质材料层具有凹槽。通过阶梯源场板结合凹槽的设置，有效降低了寄生电容Cgd和Cds，提升了器件射频增益，拓宽器件应用的带宽。
一种氮化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种晶体管-CN202011250014.0有效
发明人：刘胜厚;林志东;孙希国;张辉 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管，包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和钝化保护层，衬底、沟道层、势垒层依次从下至上层叠，栅极、源极和漏极位于势垒层上，栅极位于源极和漏极之间，钝化保护层覆盖在源极、漏极和势垒层上，并在势垒层上形成钝化保护层开口，栅极通过钝化保护层开口和势垒层接触；还包括介质层，介质层覆盖在钝化保护层上，并沿着靠近漏极一侧的钝化保护层开口侧壁延伸至势垒层上但未完全覆盖势垒层，介质层的厚度为≤100Å。本发明保证高场依然出现在栅边缘靠近漏端处，抑制电子从栅金属向沟道的注入，增强器件的可靠性。
一种晶体管

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010139981.3有效
发明人： 孙希国;李敏;邹鹏辉;刘胜厚;张辉;蔡仙清;卢益锋 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括衬底、形成于衬底上的外延层以及依次形成于外延层远离衬底一侧的多层栅介质层。其中，各层栅介质层上开设有贯穿其中的栅凹槽，且各栅介质层上的栅凹槽的侧壁呈斜坡状。如此，通过多层栅介质层上的侧壁呈斜坡状的栅凹槽，可减缓电场在栅凹槽处的变化幅度，避免电场在栅凹槽处出现突变，从而改善电场尖峰效应，提高器件可靠性。
半导体器件及其制作方法

[实用新型]一种管道铺设辅助装置-CN202221907753.7有效
发明人： 孙希国;李文 -专利权人： 孙希国
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： B25B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管道铺设辅助装置，属于水利工程相关装置技术领域，包括主体组件，主体组件包括调节板和支撑架，支撑架设置在调节板底部两侧，支撑架前侧和后侧内部均设置有安装腔，安装腔内固定安装有调节油缸，调节油缸一端固定安装在调节板底部，调节板内设置有托管组件，托管组件包括伺服电机、双向丝杠、螺纹环筒、连接块和托管架，托管架设置在调节板底部两侧，托管架上设置有托管斜面，能够将两根管道端部从顶部完成同轴对准，因此能够帮助完成管道连接，完成管道后不需要使用吊机拉动管道即可快速将管道与本实用分离，使用省时省力，通过加固组件能够对管道两侧进行加固，因此能够进一步增强操作时的稳定性。
一种管道铺设辅助装置

[发明专利]一种射频功率放大器、输入匹配电路及级间匹配电路-CN202211217755.8在审
发明人：卢益锋;莫晓辉;万亮;孙希国;王文平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频功率放大器、输入匹配电路及级间匹配电路，其中输入匹配电路包括：第一隔直电容、第一电感和第一减抗电阻；所述第一隔直电容设置在射频输入信号与第一功率晶体管之间；所述第一电感和第一减抗电阻相串联且设置在第一偏置电压与第一功率晶体管之间；还包括与所述第一减抗电阻并联的第一均衡电容，以补偿第一功率晶体管的增益滚降效应，实现增益均衡。本发明的减抗电阻并联有均衡电容，在抑制并联谐振的同时，可以有效地减少射频功率放大器带内高频段的插入损耗，并增加低频段的插入损耗，以补偿功率晶体管的增益滚降效应，实现射频功率放大器的增益均衡。
一种射频功率放大器输入匹配电路

[发明专利]一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法-CN202010366880.X有效
发明人：何先良;林志东;孙希国;杨宇;李云燕;魏明强 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法，在外延基底上采用两种不同的光刻胶形成T型窗口后，首先蚀刻N型重掺杂GaAs层形成第一预制槽，然后采用湿法蚀刻工艺蚀刻第一预制槽底部的N型掺杂GaAs层同时横向蚀刻第一预制槽侧壁的N型重掺杂GaAs层，使N型掺杂GaAs层形成第二凹槽同时第一预制槽扩大形成第一凹槽，然后沉积金属于T型窗口、第一凹槽和第二凹槽之内形成T型栅。本发明利用同一掩模形貌通过两次蚀刻到不同的终止层得到的双凹槽具有极高的对准性，避免了套刻技术导致的偏移问题对器件性能的影响。
一种对准凹槽砷化镓场效应晶体管制作方法

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