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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN202111476083.8在审
发明人：陈志谚;钒达·卢;孙健仁;连羿韦;王端玮;陈俊扬 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体结构，包含基底、晶种层、磊晶成长层及超晶格结构。晶种层设置于基底上，磊晶成长层设置于晶种层上方，以及超晶格结构设置于晶种层与磊晶成长层之间。超晶格结构包括交错堆栈的复数个超晶格单元，且相邻的两个超晶格单元包含第一和第二超晶格单元，第一超晶格单元包含第一超晶格层及堆栈于其上的第二超晶格层，第二超晶格单元包含第三超晶格层及堆栈于其上的第四超晶格层，其中第一超晶格层包含复数对的第(1‑1)子层和第(1‑2)子层，第二超晶格层包含复数对的第(2‑1)子层和第(2‑2)子层。
半导体结构

[发明专利]高电子迁移率晶体管装置及其制造方法-CN201811312071.X有效
发明人：谢祁峰;王端玮;孙健仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，其中，该装置包含：基底；多对交替层设置于基底上方且每对交替层包含掺杂碳的氮化镓层和未掺杂的氮化镓层；至少一应力松弛层设置于这些交替层之间；以及氮化镓层设置于这些交替层上方。
电子迁移率晶体管装置及其制造方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管装置及其制造方法-CN201811312055.0在审
发明人：谢祁峰;王端玮;孙健仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，高电子迁移率晶体管装置包含衬底；超晶格缓冲层设置于衬底上方，其中超晶格缓冲层包含多组交替层，每组交替层包含交错排列的至少一AlN层和至少一AlxGa(1‑x)N层，其中0≤x1；渐变式缓冲层设置于衬底上方，其中渐变式缓冲层包含多个AlyGa(1‑y)N层，其中0≤y1；以及通道层设置于渐变式缓冲层上方。本发明能够在提高产能的同时，改善高电子迁移率晶体管装置的效能和良率。
电子迁移率晶体管装置及其制造方法

[发明专利]晶圆承载装置-CN201710147409.X有效
发明人：黄彦纶;孙健仁;施英汝;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种晶圆承载装置，供多个晶圆置放，该晶圆承载装置包含：一盘体，及多个容置机构。该盘体可绕其中心轴线旋转且包括一上表面，及一沿该中心轴线方向相反于该上表面的下表面。所述容置机构自该盘体之上表面凹陷而成，每一容置机构包括一形成于该盘体之上表面的开口、一自该开口朝向该盘体之下表面延伸的侧壁面，及一连接该侧壁面以与该侧壁面共同界定出一容置槽的底壁面，该容置槽供晶圆自该开口放入。每一容置机构的侧壁面具有一邻近对应之底壁面的下区段，该下区段具有一远离该盘体之中心轴线且可供晶圆抵靠的抵靠部，本发明藉由抵靠部使晶圆在该盘体旋转时受压均匀分布，避免因受离心力挤压而导致边缘或表面产生缺陷、损伤，而使晶圆质量下降。
承载装置

[发明专利]半导体组件-CN201610107906.2有效
发明人：胡铭显;孙健仁;李依晴;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件，包含一基板、一初始层及一缓冲堆栈结构。初始层设置于基板之上且包含氮化铝。缓冲堆栈结构设置于初始层之上，缓冲堆栈结构包含多个基层及至少一掺杂层设置于相邻二层基层之间，基层包含氮化铝镓，掺杂层包含氮化铝镓或氮化硼铝镓。在缓冲堆栈结构之中，基层的铝浓度渐减且镓浓度渐增，基层实质上不含碳，掺杂层的掺质为碳或铁。本发明不仅提升半导体组件的崩溃电压，且一并兼顾半导体组件的整体翘曲，避免在完成磊晶制程后的冷却过程，半导体组件因过度翘曲而破裂。
半导体组件

[发明专利]半导体组件-CN201610133563.7有效
发明人：胡铭显;孙健仁;李依晴;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件，包含一基板、一初始层以及一超晶格堆栈。初始层设置于基板之上，且包含氮化铝。超晶格堆栈设置于初始层之上，且包含多个第一膜层以及多个第二膜层，第一膜层与第二膜层交错地堆栈在初始层之上，其中第一膜层及第二膜层之一为一掺杂层，该第一膜层及该第二膜层的另一个实质上不含掺质，掺杂层的掺质选自由碳、铁及其组合所组成的群组。本发明不仅提升半导体组件的崩溃电压，且一并兼顾半导体组件的整体翘曲，避免在完成磊晶制程后的冷却过程，制造半导体组件的晶圆因过度翘曲而破裂。
半导体组件

[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管结构-CN201610235990.6有效
发明人：黄彦纶;孙健仁;李依晴;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型高电子迁移率晶体管结构，包含通道层、阻障层、接面层、栅极、源极、及漏极。通道层为第一III‑V族半导体，位于基板上。阻障层为第二III‑V族半导体，设置于通道层之上。阻障层包含第一掺杂区、调整掺杂区及第二掺杂区，第一掺杂区及第二掺杂区为n型第二III‑V族半导体、调整掺杂区包含p型第二III‑V族半导体，第一掺杂区及第二掺杂区位于调整掺杂区两侧，接面层位于调整掺杂区之上，为一P型第三III‑V族半导体，且掺杂量高于调整掺杂区，又调整掺杂区邻近接面层的区域的掺杂浓度高于接近通道层的区域的掺杂浓度。
增强电子迁移率晶体管结构

[发明专利]晶片级发光二极管结构的制造方法及发光二极管芯片-CN201210027255.8有效
发明人：蔡曜骏;许镇鹏;林国丰;刘训志;胡鸿烈;孙健仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片级发光二极管结构的制造方法及发光二极管芯片。晶片级发光二极管结构的制造方法包含提供一生长基板，其上依序成长有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层；对该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层进行一图形化制程，定义出多个第一凹陷区以及多个第二凹陷区，其中多个叠层结构是对应形成于该第二凹陷区内，以及一第一半导体层的延伸区是对应配置于与一预定切割线重叠的该第一凹陷区内；形成至少一第一电极于该第一凹陷区内的该第一半导体层延伸区；以及，形成一第二电极于该第二凹陷区内的叠层结构上。
晶片发光二极管结构制造方法芯片

[发明专利]微纳米化芯片及其制造方法-CN201610149245.X在审
发明人：叶哲良;庄志远;范俊一;孙健仁;施英汝;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种微纳米化芯片及其制造方法。该微纳米化芯片，包含一基板及一纳米结构层，该基板具有一第一面与一第二面，该纳米结构层形成于该第二面。该微纳米化芯片的制造方法包含：在该基板的第二面上制作该纳米结构层，以形成该微纳米化芯片。借此，该纳米结构层可以有效地分散应力增加抗折强度，而在该基板的第一面上配置外延层后，避免在后续的外延层产生裂纹、基板翘曲或破片的情形。
纳米芯片及其制造方法

[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法-CN201080069451.0有效
发明人：蔡曜骏;许镇鹏;林国丰;刘训志;陈继峰;胡鸿烈;孙健仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-08-03 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片、一种发光二极管封装结构以及其形成方法被提供。该发光二极管芯片包含一结合层，该结合层具有多个空隙，或是该结合层与该发光二极管芯片之一外围边界的最小水平距离为大于0。该发光二极管芯片、该发光二极管封装结构以及其形成方法可改善产品产率及加强发光效率。
发光二极管芯片封装结构用以形成上述方法

[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及其形成方法-CN201180047417.8有效
发明人：蔡曜骏;许镇鹏;林国丰;刘训志;陈继峰;胡鸿烈;孙健仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：一发光二极管芯片、一发光二极管封装结构与上述的形成方法系被提供。所述发光二极管芯片包含一结合层，其具有多个空隙、或发光二极管芯片的外围边界与所述结合层的最小水平距离系大于零。所述发光二极管芯片、所述发光二极管封装结构与所述其形成方法可改善产率及加强发光效率。
发光二极管芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]光偏振化结构及发光装置-CN201210315725.0无效
发明人：王日富;赵嘉信;薛翰聪;赖俊峰;祁锦云;孙健仁;许荣宗 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种光偏振化结构及发光装置。上述光偏振化结构，包含具有不同宽度尺寸的第一、二条状单体，以不同周期交错地排列设置于一基底上。上述相邻的第一条状单体间具有第一间距不等于相邻的第二条状单体间的第二间距。由于上述不同尺寸的第一、二条状单体以不同周期性地排列设置，使得可提高入射光的极化比及其穿透率。此外，依据上述光偏振化结构，在相对较大的入射角时，仍可获得相对较高的极化比及相对较高的穿透率。
偏振结构发光装置

[发明专利]结合进气和排气的喷头-CN201110305612.8无效
发明人：黄智勇;王庆钧;蔡陈德;许文通;董福庆;陈建志;潘益宗;孙健仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种结合进气和排气的喷头，其适于喷洒气体。这样的喷头至少包括一喷头主体，其具有气体作用表面及多个位于气体作用表面的进气孔。喷头主体还包括位于气体作用表面的中央的中央排气口。中央排气口能抽离滞流气体，还能将反应过程中的副产物先行排掉。
结合排气喷头

[发明专利]发光装置-CN200810185203.7有效
发明人：王日富;赵嘉信;黄承扬;薛翰聪;赖俊峰;叶文勇;孙健仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明披露发光装置，包括反射层、表面层以及发光层，其中此发光层可发出具有一波长的光，位于反射层与表面层之间，且从此发光层至反射层的光学厚度约为四分之一该发光波长λ的整数倍，或者亦可还包括光转化层，其中该光转化层邻近于该发光层，可使上述发光装置发射出光具有准直化及偏振特性。
发光装置

[发明专利]光偏振化结构及发光装置-CN200710199740.2无效
发明人：王日富;赵嘉信;薛翰聪;赖俊峰;祁锦云;孙健仁;许荣宗 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种光偏振化结构及发光装置。上述光偏振化结构，包含具有不同宽度尺寸的第一、二条状单体，以不同周期交错地排列设置于一基底上。上述相邻的第一条状单体间具有第一间距不等于相邻的第二条状单体间的第二间距。由于上述不同尺寸的第一、二条状单体以不同周期性地排列设置，使得可提高入射光的极化比及其穿透率。此外，依据上述光偏振化结构，在相对较大的入射角时，仍可获得相对较高的极化比及相对较高的穿透率。
偏振结构发光装置

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