专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果58个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种无人机无线定向导航系统-CN202311143888.X在审
  • 娄山良;徐波;孙亚宾;李宏书;张林林 - 中联金冠信息技术(北京)有限公司
  • 2023-09-06 - 2023-10-13 - G05D1/10
  • 本发明公开了一种无人机无线定向导航系统,涉及无人机定向导航技术领域,现提出如下方案,包括范围选择单元、横向路径规划单元、自主控制单元、飞行单元、植被高度监测单元和纵向路径规划单元;所述范围选择单元用于通过电子地图选择无人机农业作业范围,并将选择的作业范围数据传输至横向路径规划单元内;本发明通过横向路径规划和纵向路径规划使无人机与高矮植被始终保持一定的作业距离,避免因为高距离导致的喷洒不均匀,喷洒质量不佳的情况发生,而且本发明具有自动避让和驱赶功能避免生物和物体对作业中的无人机造成损害,保障无人机的正常运行,同时本发明还具有路径监测的功能,避免无人机脱离移动路径。
  • 一种无人机无线定向导航系统
  • [发明专利]一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管-CN202110967348.8有效
  • 王雪珂;石艳玲;孙亚宾;李小进;刘赟 - 华东师范大学
  • 2021-08-23 - 2023-06-23 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管,包括内部栅极、内部高介电常数栅极氧化物、沟道重叠区、源极一侧沟道非重叠区、漏极一侧沟道非重叠区、外部高介电常数栅极氧化物、外部栅极、源极、漏极、内部漏极介质隔离层、外部漏极介质隔离层、内部源极介质隔离层、外部源极介质隔离层、绝缘隔离层、衬底。特征是内部栅极和外部栅极的非对称结构,通过不同的功函数设置和电压偏置,本发明在沟道重叠区中反型出的电子空穴层间发生隧穿。与现有纳米管隧穿晶体管相比,不要求源极沟道结处具有陡峭的掺杂分布,降低工艺难度;同等面积上可获得更大的电流密度,提高电流驱动能力;在大的电流范围内具有陡峭的亚阈值斜率,利于工作电压的缩放。
  • 一种对称结构纳米管隧穿晶体管
  • [发明专利]一种基于数据识别的无人机探测系统及方法-CN202310464426.1在审
  • 娄山良;徐波;孙亚宾 - 中联金冠信息技术(北京)有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-05-30 - G06Q10/04
  • 本发明公开了一种基于数据识别的无人机探测系统及方法,包括探测信息采集模块、无人机信息采集模块、起飞位置采集模块、目标位置采集模块、环境信息采集模块、像控点采集模块、数据处理模块、总控模块与信息发送模块;所述探测信息采集模块用于采集探测信息,探测信息包括预估探测面积与探测位置信息;所述无人机信息采集模块用于采集无人机信息,所述环境信息采集模块用于采集探测位置的天气信息;所述像控点采集模块用于采集像控点信息,所述起飞位置采集模块用于采集起飞位置信息,所述目标位置采集模块用于采集目标位置信息。本发明能够更加快速的准确的完成无人机探测任务。
  • 一种基于数据识别无人机探测系统方法
  • [发明专利]一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管-CN202211278461.6在审
  • 孙亚宾;汪超;石艳玲;李小进 - 华东师范大学
  • 2022-10-19 - 2023-03-31 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管,包括水平排列的鳍式沟道、水平或垂直排列的纳米片沟道或水平或垂直排列的纳米线沟道,包裹沟道的栅极氧化物,在栅极氧化物外侧的关于器件中线对称的控制栅极和极性栅极,在控制栅极与极性栅极的之间、包裹栅极氧化物的栅极隔离层,在控制栅极左侧、包裹沟道的源边墙,在极性栅极右侧、包裹沟道的漏边墙,在边墙两侧的、每条沟道两端伸入其中约1/14沟道长度的源、漏,以及在器件底部的衬底。本发明与普通非嵌入式沟道的可重构场效应晶体管相比,向源内部延伸的沟道增加了源与沟道的接触面积,开态电流提升。在关断时,关态电流基本保持不变,故有更为理想的电流开关比和逻辑响应速度。
  • 一种嵌入式沟道可重构场效应晶体管
  • [发明专利]一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管-CN202211278471.X在审
  • 孙亚宾;汪超;石艳玲;李小进 - 华东师范大学
  • 2022-10-19 - 2023-03-14 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管,包括水平排列的鳍式沟道或水平排列的纳米片沟道或纳米线沟道,在沟道两端、每条沟道伸入其中约1/14沟道长度的源、漏,包裹沟道的栅极氧化物,包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极,在控制栅极和极性栅极中间、包裹栅极氧化物的栅极隔离层,在控制栅和源中间、包裹沟道的齿状源侧墙,在极性栅和源中间、包裹沟道的齿状漏侧墙以及在器件底部的衬底。本发明与常规器件相比,齿状侧墙的存在增大了源与沟道的接触面积,且实现了源侧沟道末端垂直于沟道方向的隧穿,故将开态电流提升两个数量级,同时关态电流基本保持不变,故具有更为理想的电流开关比和逻辑响应速度。
  • 一种具有齿状可重构场效应晶体管
  • [发明专利]一种静态随机存取存储器-CN201911170922.6有效
  • 姚岩;孙亚宾;李小进;石艳玲;王昌锋;廖端泉;田明;曹永峰 - 华东师范大学;上海华力微电子有限公司
  • 2019-11-26 - 2023-03-14 - G11C11/412
  • 本发明公开了一种静态随机存取存储器,该存储器包括上拉晶体管、传输晶体管及下拉晶体管。其中上拉晶体管和传输晶体管包括沟道、设置在沟道两侧的源端和漏端、设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极,设置在控制栅极与源端之间的电学隔离的边墙;下拉晶体管包括沟道、设置在沟道两侧的源端和漏端、设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极,设置在控制栅极与漏端之间的电学隔离的边墙。本发明利用非对称型可重构场效应晶体管结构上的差异,来达到导通电流的不一致,实现了静态随机存储单元所需的较高读取静态噪声容限和写入能力,有效的提高了静态随机存储单元的读写稳定性,同时进一步提高了静态存储电路的性能。
  • 一种静态随机存取存储器

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top