“奥村知巳”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置-CN201880015263.6有效
发明人：林英二;上泷领二;奥村知巳 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：半导体装置，具备：具有电极(121)的半导体芯片(12)；包含金属基材(186)、在与电极对置的对置面具有半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)的导电部件(18)；介于电极与安装部之间、将电极和导电部件连接的焊料(16)；以及将半导体芯片、导电部件的至少对置面以及焊料一体地密封的密封树脂体(14)。导电部件，作为周围部，以将安装部包围的方式设置，具有与密封树脂体密接的密接部(184)和设置在安装部与密接部之间并且不连接焊料、与密接部相比对密封树脂体的密接性较低的非密接部(185)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080069629.5在审
发明人：福冈大辅;奥村知巳;大谷祐司;小林涉;野村匠;满永智明;平野敬洋;坂井孝充;冈贤吾 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安装面(40a)，朝向半导体元件(30)突起。焊料(80)具有在俯视时与包含元件中心(30c)的半导体元件(30)的中央部分重叠的中央区域(80a)与将中央区域(80a)包围的外周区域(80b)。在外周区域，至少与半导体元件(30)的四角分别对应地配置有四个以上的线片。线片中的至少一个在俯视时朝向元件中心延伸。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980064631.0在审
发明人：大岛正范;奥村知巳;平野敬洋 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：半导体装置具备：半导体芯片(12)，具有有源区域(124)和将有源区域包围的外周区域(125)；金属部件(18)，在半导体芯片侧的一面具有安装半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)；接合部件(16)，介于半导体芯片与安装部之间，将半导体芯片与金属部件连接；以及封固树脂体(14)，将半导体芯片、金属部件的至少一面及接合部件一体地封固。金属部件，作为周围部而具有：密接部(184)，以将安装部包围的方式设置，与封固树脂体密接；和环状的非密接部(185)，设在安装部与密接部之间，不连接接合部件，与密接部相比对于封固树脂体的密接性低。在非密接部的全长的至少一部分中，宽度的整个区域在半导体芯片的厚度方向的投影观察中设在与半导体芯片重叠的区域内。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201610839901.9有效
发明人：岩崎真悟;奥村知巳 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：半导体元件；热沉，其包括第一表面和第二表面，所述半导体元件接合到所述第一表面，所述第二表面为所述第一表面的相对侧上的表面；以及封装件，其与所述半导体元件以及所述热沉的所述第一表面相接触，所述封装件在外面中包括凹部，其中所述热沉包括厚部和薄部，所述薄部具有比所述厚部的厚度小的厚度，并且所述薄部位于以最短距离将所述半导体元件的外面与所述凹部连接的线上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及功率模块-CN201580062593.7有效
发明人： 奥村知巳 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：半导体装置电连接有汇流条(61、62)，在两面侧配置冷却器(63、64)并被冷却。半导体装置具备：半导体芯片(20)，在第1主面(22)具有第1主电极，在第2主面(23)具有第2主电极；密封树脂体(24)；第1散热片(31)，与第1主电极电连接；以及第2散热片(39)，与第2主电极电连接。第1散热片仅在第1面上露出，并且与半导体芯片侧的面相反的面露出。第2散热片仅在第2面上露出，并且与半导体芯片侧的面相反的面从第2面露出。第1散热片以及第2散热片中的、与汇流条电连接的散热片的露出面与半导体芯片重叠，具有散热区域(33、41)和电连接区域(34、42)。
半导体装置以及功率模块

[发明专利]端子连接构造及半导体装置-CN201580012762.6有效
发明人：门口卓矢;原田新;平野敬洋;西畑雅由;福谷启太;奥村知巳 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
端子连接构造半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201580012369.7有效
发明人：门口卓矢;平野敬洋;川岛崇功;福谷啓太;奥村知巳;西畑雅由 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480050991.2有效
发明人： 奥村知巳;门口卓矢 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种能够实现在开关元件的排列方向上的小型化并能够降低浪涌电压、且即使密封树脂体的绝缘性能下降也不易发生短路的半导体装置。在第1开关元件(20)与第2开关元件(30)的排列方向上，第2散热片(52)与第3散热片(54)通过接头部(58)被电连接。另外，第2电源端子(42)在排列方向上配置于第1电源端子(40)与输出端子(44)之间且第2散热片与第3散热片之间的区域。而且，在密封树脂体(66)内，与第1电源端子相同电位的第1电位部和与输出端子相同电位的第3电位部的最短距离、以及与第2电源端子相同电位的第2电位部与第3电位部的最短距离中的至少一个距离比第1电位部与第2电位部的最短距离短。
半导体装置

[发明专利]具有共同围绕焊料黏结物以防止焊料散布的凹槽的半导体装置-CN201480048461.4有效
发明人：门口卓矢;平野敬洋;川岛崇功;奥村知巳;西畑雅由 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体装置包括：对置的第一和第二金属板；多个半导体元件，均介于第一和第二金属板之间；金属块，其介于第一金属板和每个半导体元件之间；焊料构件，其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块；和注塑树脂，其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面，其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧，暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽，凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT，其在转换电功率时进行开关操作，且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。
具有共同围绕焊料黏结防止散布凹槽半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480067494.3有效
发明人：门口卓矢;平野敬洋;原田新;奥村知巳;福谷啓太;西畑雅由 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：第一开关元件(20)；第二开关元件(30)；第一金属构件(50)；第二金属构件(54)；第一端子(40)，其具有在高电位侧上的电位；第二端子(42)，其具有在低电位侧上的电位；第三端子(44)，其具有中点电位；以及树脂部(66)。第一电位部(P)具有与所述第一端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第一电位部和第二电位部之间的第一爬电距离大于第一电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201711338622.5在审
发明人：佐藤海晴;畑佐启太;奥村知巳 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：准备第一半成品的工序，在该第一半成品中，导电性衬垫的下表面钎焊于第二导电性构件，并且在导电性衬垫的上表面设置有预备焊料；准备第二半成品的工序，在该第二半成品中，半导体元件的下表面钎焊于第一导电性构件，并且在半导体元件的上表面接合有接合线；及使第一半成品的预备焊料熔融而将第二半成品的半导体元件的上表面钎焊于第一半成品的导电性衬垫的下表面的工序。
半成品半导体元件半导体装置导电性衬垫上表面下表面钎焊焊料导电性构件预备制造接合接合线熔融

[发明专利]引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法-CN201410350640.5有效
发明人：门口卓矢;平野敬洋;原田新;西畑雅由;奥村知巳 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开，提供一种引线框架，包括并排地布置的第一岛和第二岛；外周框架；第一引线，第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第二引线，第二引线在第二方向上延伸；第一联结部分，第一联结部分将第一引线联结到框架；第二联结部分，第二联结部分将第二引线联结到框架；中间部分，中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在第一和第二岛之间的空间之前终止；和变形抑制部分，变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中，并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
引线框架电力变换装置半导体设备及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380012899.2有效
发明人：门口卓矢;岩崎真悟;持田晶良;奥村知巳 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，将多组功率单元在预定方向上排列配置，且将该多组功率单元一体地进行树脂封装，所述功率单元中，多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上，所述半导体装置中，在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体，其中，所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间，所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201280018795.8有效
发明人：门口卓矢;岩崎真悟;川岛崇功;奥村知巳;西畑雅由 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一半导体元件（10）；第一厚板部（31），由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极（11）；第二半导体元件（20），其主表面面向第一半导体元件的主表面；第二厚板部（32），由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极（21）；第三厚板部（41），由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极（12）；第四厚板部（42），由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极（22）；第一薄板部（33、34），由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄；以及第二薄板部（43、44），由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]端子连接结构以及半导体装置-CN201480072596.4在审
发明人：门口卓矢;平野敬洋;原田新;奥村知巳;福谷啓太;西畑雅由 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：一种端子连接结构，包括：凸端子(16)；以及凹端子(31))，其上装配有所述凸端子。所述凸端子包括第一金属材料(161)以及形成在所述凸端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第一金属材料的第一金属膜(163)。所述凹端子包括第二金属材料(311)以及形成在所述凹端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第二金属材料的第二金属膜(312)。所述第一金属材料的硬度不同于所述第二金属材料的硬度。
端子连接结构以及半导体装置

1
2
下一页»
尾页
共 23 条