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[发明专利]采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统及相应的钝化工艺-CN201910025495.6有效
发明人：徐开凯;胡明稹;戴胜强;廖智;刘宁;张浩;戴建定;马晓洁;赵建明;刘继芝;雷浩东;夏建新 -专利权人：电子科技大学;四川洪芯微科技有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统，包括加压釜、至少一个控制阀、涂布器、显微摄像头、计算机控制装置、光电检测模块和真空硅片台。本发明还公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化工艺。本发明能够实现将玻璃粉按沟槽位置精确覆盖，并能够大量减少玻璃粉用量，且无丙酮使用成本。本发明适用于所有采用沟槽工艺生产的GPP二极管以及其他GPP工艺产品的钝化技术领域。
采用涂布法沟槽玻璃钝化系统相应工艺

[发明专利]一种集检测和包装于一体的二极管编带包装系统及方法-CN202210810481.7有效
发明人：廖楠;李为民 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B65B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种集检测和包装于一体的二极管编带包装系统及方法，它包括工作台（1），工作台（1）的台面上且从右往左顺次设置有不合格二极管剔除装置（2）、电性能检测装置（3）和热压合装置（4），电性能检测装置（3）包括开设于工作台（1）上的第一通槽（5）、固设于第一通槽（5）正上方的支架（6）、固设于支架（6）上的升降气缸（7）；热压合装置（4）包括固设于工作台（1）台面上的垂向气缸（11），框架（12）的底表面上且沿其周向间隔固设有多个压头（13），框架（12）的前后侧壁上均设置有加热棒（14）。本发明的有益效果是：结构紧凑、提高二极管封装效率、方便客户将胶膜从载带短节上撕扯下来。
一种检测包装一体二极管系统方法

[发明专利]多晶硅SOI基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法-CN201910824277.9有效
发明人：徐开凯;冯新;李建全;赵建明;张宁;冯志成;黄兴发;李健儿;廖楠;徐银森;洪继霖;陈勇;施宝球;曾尚文;李洪贞;刘继芝 -专利权人：电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川晶辉半导体有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川上特科技有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。
多晶 soi 基板型光电耦合器集成电路制备方法

[发明专利]一种在二极管引脚处自动套装隔套的装置及方法-CN202210810920.4在审
发明人：廖楠;李为民 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种在二极管引脚处自动套装隔套的装置及方法，它包括工作台（1）、固设于工作台（1）台面上的两个升降电缸（2），两个升降电缸（2）活塞杆的作用端上均连接有连接柱（3），两个连接柱（3）的顶部均固设有升降板（4），旋转板（7）的顶表面上且沿其长度方向间隔焊接有多个定位座（8）；各个定位座（8）的顶表面上均开设有定位槽（9），定位槽（9）的外轮廓与二极管的本体（22）的外轮廓相配合，各个定位座（8）内位于定位槽（9）的下方均开设有水平通道（10），相邻两个接头（11）之间均连接有真空管（12）。本发明的有益效果是：结构紧凑、极大提高隔套套装质量、防套装过程中引脚发生变形。
一种二极管引脚自动套装装置方法

[发明专利]一种精密弯折三极管引脚的弯折装置及方法-CN202210810762.2在审
发明人：廖楠;李为民 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B21F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种精密弯折三极管引脚的弯折装置及方法，它包括工作台（1）、固设于工作台（1）台面上的定位条（2），定位条（2）的顶表面上且位于其前后侧均固设有护板（3），两个护板（3）之间的纵向间距等于三极管的本体（15）的纵向宽度，定位条（2）的底表面上沿其长度方向开设有多个定位孔（4）；工作台（1）的台面上且位于定位条（2）的两侧均固设有垂向气缸（5），两个垂向气缸（5）活塞杆的作用端之间固设有升降板（6），升降板（6）位于定位条（2）的正上方，升降板（6）上开设有多个分别定位孔（4）相对应的通槽（7）。本发明的有益效果是：结构紧凑、极大提高弯折精度、极大提高三极管上引脚弯折效率。
一种精密三极管引脚装置方法

[实用新型]一种二极管的电性能测试装置-CN202120655984.2有效
发明人：廖楠 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管的电性能测试装置，它包括设置于工作台（1）上的升降气缸（2）和电缸（3），升降气缸（2）的缸筒固设于工作台（1）的台面上，升降气缸（2）活塞杆的作用端上固设有升降板（4），升降板（4）上设置有电性能检测仪（5），电性能检测仪（5）的机壳固设于升降板（4）上，电性能检测仪（5）的两个电极头（6）均朝上设置，电缸（3）的活塞杆上设置有载板（7），载板（7）设置于电极头（6）的上方，载板（7）的顶表面上且沿其长度方向开设有多个凹槽（8）。本实用新型的有益效果是：结构紧凑、减轻工人劳动强度、避免检测过程中引脚弯折变形、操作简单。
一种二极管性能测试装置

[实用新型]一种二极管引脚封胶装置的上胶装置-CN202120656009.3有效
发明人：廖楠 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管引脚封胶装置的上胶装置，它包括由下往上顺次设置的底板（1）、载板（2）、升降板（3）和进液管（4），载板（2）的顶表面上且沿其长度方向开设有多个凹槽（5），凹槽（5）与二极管的主体部分（14）的外轮廓间隙配合，升降板（3）的底表面上固设有多个与凹槽（5）相对应的压头（6），压头（6）内开设有两个通孔（7），两个通孔（7）均贯穿升降板（3）的顶表面设置，两个通孔（7）分别设置于二极管两个引脚（15）的正上方，载板（2）的两侧均设置有升降气缸I（8）。本实用新型的有益效果是：结构紧凑、提高二极管上胶效率、提高二极管上胶质量、操作简单。
一种二极管引脚装置

[实用新型]用于超结MOS器件的介质埋层保护终端-CN202121147471.7有效
发明人：廖楠;黄武;金晓静;夏建新;赵建明 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于超结MOS器件的介质埋层保护终端，从器件边缘向器件元胞方向依次为终端区和元胞区，在终端区和元胞区之中有着多个相互独立的周围环绕有P型掺杂柱的氧化硅区，且氧化硅区深度大于P型掺杂柱的深度；通过将P柱形成于氧化硅区侧面，避免了多次光刻和外延生长等繁琐昂贵的工艺步骤，节省了成本，同时可以获得更加平齐、均匀的P柱；比P型掺杂柱更深的氧化硅区，使得P型掺杂柱可以更接近于矩形；终端区的P型低掺杂区连接相邻的P型掺杂柱，形成等位环，优化了器件表面电场，从而提高了器件耐压水平。本实用新型属于半导体功率器件技术领域，适用于超结高压VDMOS器件。
用于 mos 器件介质保护终端

[实用新型]一种基于二次光刻的非均匀掺杂用灰度光刻版-CN202121148438.6有效
发明人：廖楠;金晓静;黄武;夏建新;赵建明 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于二次光刻的非均匀掺杂用灰度光刻版，其由第一灰度光刻版和第二灰度光刻版组成；第一灰度光刻版和第二灰度光刻版对应于半导体器件横向非均匀掺杂的区域均划分有均匀的面积均为S的n个栅格，各个栅格中心的铬层开设有孔；对于第一灰度光刻版上、第二灰度光刻版的第m栅格，铬层开孔的面积分别为Sm、Tm。采用上述结构的灰度光刻版制备高压半导体器件，无需调节窗口、注入能量、注入剂量以及推进扩散时间等诸多工艺参数，无需经过高温推进扩散过程，使用较少的工艺步骤和成本就能实现快速横向非均匀掺杂。本实用新型属于半导体集成电路制造技术领域，适用于制备采用非均匀灰度光刻版以实现表面耗尽区扩展的结终端。
一种基于二次光刻均匀掺杂灰度

[发明专利]高压半导体器件横向非均匀掺杂方法-CN202110579842.7在审
发明人：廖楠;黄武;金晓静;赵建明;夏建新 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压半导体器件横向非均匀掺杂方法，首先，设计两块灰度光刻版；然后，在每块光刻版灰度区域，设置尺寸小于光刻分辨率的均匀栅格，并对栅格铬层开孔制得灰度图像光刻版；接着，以这两块灰度光刻版作为掩膜对光刻胶先后两次曝光，显影后产生横向厚度非均匀的光刻胶；最后透过对厚度非均匀光刻胶掩膜杂质离子注入，即可实现横向非均匀掺杂。采用上述方法，无需对注入能量、注入剂量以及高温推进扩散时间等诸多工艺参数进行调整，能够降低工艺难度和成本、缩短工艺时间；同时，双曝光增加了对非均匀掺杂范围与梯度的选择；本发明属于半导体集成电路制造技术领域，适用于采用非均匀灰度光刻版以实现表面耗尽区扩展的结终端制备。
高压半导体器件横向均匀掺杂方法

[发明专利]一种具有终端保护区的超结MOS型器件-CN202110580389.1在审
发明人：廖楠;黄武;金晓静;赵建明;夏建新 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有终端保护区的超结MOS型器件，从器件边缘向器件元胞方向依次为终端区和元胞区，在终端区和元胞区之中有着多个相互独立的周围环绕有P型掺杂柱的氧化硅区，且氧化硅区深度大于P型掺杂柱的深度；通过将P柱形成于氧化硅区侧面，避免了多次光刻和外延生长等繁琐昂贵的工艺步骤，节省了成本，同时可以获得更加平齐、均匀的P柱；比P型掺杂柱更深的氧化硅区，使得P型掺杂柱可以更接近于矩形；终端区的P型低掺杂区连接相邻的P型掺杂柱，形成等位环，优化了器件表面电场，从而提高了器件耐压水平。本发明属于半导体功率器件技术领域，适用于超结高压VDMOS器件。
一种具有终端保护区 mos 器件

[发明专利]一种三极管封装生产线及其生产方法-CN202110348449.7在审
发明人：廖楠 -专利权人： 四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B65B35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种三极管封装生产线，它包括龙门架（1）、设置于龙门架（1）下方的螺旋振动盘（2）和机台（3），安装板（5）的底部固设有步进电机（6），步进电机（6）的输出上固设有旋转臂（7），旋转臂（7）上且沿其长度方向设置有多个吸料机构（8），吸料机构（8）包括真空管（9）、弹簧（10）、软垫（11）以及开设于旋转臂（7）上的导向孔，螺旋振动盘（2）的出料口处固设有导轨（14），导轨（14）设置于软垫（11）的正下方，导轨（14）的末端处固设有限位板（15），所述机台（3）设置于螺旋振动盘（2）的右侧。本发明的有益效果是：结构紧凑、减轻工人劳动强度、提高三极管封装效率、操作简单。
一种三极管封装生产线及其生产方法

[发明专利]一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法-CN201910823826.0有效
发明人：徐开凯;刘炜恒;施宝球;曾德贵;赵建明;曾尚文;钱呈;钱津超;李建全;廖楠;徐银森;刘继芝;李洪贞;陈勇;黄平;李健儿 -专利权人：电子科技大学;广安职业技术学院;四川晶辉半导体有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司;四川上特科技有限公司;重庆中科渝芯电子有限公司;四川芯合利诚科技有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
一种用于集成电路晶圆级封装方法

[发明专利]一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路-CN201910310814.8有效
发明人：徐开凯;雷浩东;黄平;李为民;赵建明;施宝球;李建全;刘继芝;徐银森;李晶;陈勇 -专利权人：电子科技大学;上海朕芯微电子科技有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川矽芯微科技有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K3/017 文献下载
摘要：本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
一种 mos 器件变频驱动负载功率调整电路

[发明专利]反偏型硅发光SOI光电隔离器、其集成电路及制作方法-CN201910823544.0有效
发明人：黄磊;孙宏亮;徐开凯;赵建明;施宝球;范洋;洪继霖;钱津超;李建全;曾尚文;李洪贞;廖楠;徐银森;黄平;刘继芝;陈勇 -专利权人：电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川晶辉半导体有限公司;成都智芯微科技有限公司;上海联芯微电子科技有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L31/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。
反偏型硅发光 soi 光电隔离器集成电路制作方法

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