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[发明专利]轨到轨输入级电路及运算放大器-CN202210373560.6有效
发明人：杨永晖;朱坤峰;杨法明;刘玉奎;黄文海;黄东;钱呈;张金龙;王鹏飞;陈俊 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过输入差分对模块与尾电流源模块、电流镜模块的配合设计，使得输入差分对模块可以利用MOS管自身的体效应实现输入信号的轨到轨输入乃至超过电源轨范围输入，输入信号的电压范围宽，不需要设计恒定跨导匹配电路，能有效避免现有输入轨到轨运算放大器电路的输入级中需要使用两对类型不同的输入管、需要对输入管进行跨导匹配而多设计的恒定跨导匹配电路，所带来的电路及版图的规模面积增加，以及对称性、匹配性下降问题。
轨到轨输入电路运算放大器

[发明专利]一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法-CN202010884582.X有效
发明人：朱坤峰;张广胜;杨永晖;钟怡;崔伟;谭开洲;黄东;钱呈;杨法明;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。
一种基于 bicmos 工艺硅锗异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]一种医用放疗定位标记装置及标定方法-CN201711200931.6有效
发明人：胡忞仁;贺晓东;叶影;苏斌;杨文艳;张士举;魏环海;钱呈;郑子龙;陈童;周楠峰;蒋笑非;赵红光;伍然;赵瑞峰 -专利权人：上海市肺科医院
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种医用放疗定位标记装置及标定方法，所述的放疗定位标记装置包括医用放疗定位标记贴、定位模，放疗定位辅助设备；医用放疗定位标记贴，固定贴于身体表面；定位模，有放疗的标记用于放疗的定位；放疗定位辅助装置，用于医用放疗定位标记贴的固定。医用放疗定位标记贴及辅助装置具有可重复使用性。本发明使用气体压强原理加固标记贴，确保标记贴能好更持久的附着与皮肤表面，不会在病人体表产生较大的标记印记，减少了不必要的标记面积，也使标记印记保存更长时间的。本发明具有特定方向性使医用放疗定位标记贴不会错误放置，易于操作人员更加方便、快捷、准确的使用，同时病人的生活不会受放疗的标记产生太大的影响。
一种医用放疗定位标记装置标定方法

[发明专利]抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法-CN202210861707.6在审
发明人：张广胜;朱坤峰;杨永晖;徐青;张培健;钱呈;钟怡;杨法明;裴颖;黄磊;任芳;邱盛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法，在本发明中，采用集成抗辐射的双栅氧化层工艺，在一个衬底上同时形成低压NMOS结构、低压PMOS结构、高压对称nLDMOS结构、高压非对称nLDMOS结构、高压对称pLDMOS结构、高压非对称pLDMOS结构、多晶高值电阻结构、MOS电容结构，实现了成套抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构，通过双栅氧化层工艺，采用了硅栅自对准注入的工艺方式，在多晶栅刻蚀之后再形成源漏，匹配全流程热预算设计，形成的低压NMOS结构和高压nLDMOS结构具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低的漏电和较小的阈值电压漂移，有效解决了宇航用抗辐射高低压CMOS类产品工艺制造难题。
辐射低压兼容模拟 cmos 器件集成结构及其制造方法

[发明专利]与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法-CN202010635339.4有效
发明人：殷万军;钟怡;刘玉奎;朱坤峰;桂林;梁康弟;裴颖;李光波;谭开州;刘青;钱呈 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑制后续氧化刻蚀工艺对于栅多晶纵向尺寸的影响，提高了栅多晶薄膜的电性能稳定性和工艺一致性，有效改善与高精密线性双多晶电容模块兼容性，有效提高了双多晶电容电压系数和近零偏压电容电压对称性。通过抑制掺杂离子特别是硼离子进入栅多晶薄膜，有效改善PMOS器件栅多晶表面平整性和产品长期可靠性。通过替代有机抗反射涂层，提高工艺兼容性并降低产品的制造成本，有效提升产品成品率和市场竞争力。
双栅氧高低压 cmos 工艺兼容提高器件稳定性多晶及其制作方法

[发明专利]成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及其制造方法-CN202110719199.3有效
发明人：朱坤峰;张广胜;杨永晖;徐青;钟怡;钱呈;张培健;杨法明;裴颖;黄磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及制造方法，器件集成结构包含：对称/非对称nLDMOS、对称/非对称pLDMOS、多晶高阻、MOS电容等器件。制造方法是在P型衬底上先形成N型埋层，生长外延层，在外延层上注入推阱形成N型和P型高压阱，其中N型高压阱形成nLDMOS漂移区和pLDMOS沟道，P型高压阱形成pLDMOS漂移区和nLDMOS沟道，生长抗辐射加固厚栅氧化层，匹配全流程工艺热预算，形成一种硅基抗辐射高压CMOS工艺平台。本发明制造的nLDMOS具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低器件漏电和较小阈值电压漂移量，解决了高栅压CMOS类产品辐射加固的工艺制造难题。
成套硅基抗辐射高压 cmos 器件集成结构及其制造方法

[实用新型]一种金刚石压腔实验机械手-CN202120222832.3有效
发明人：朱玉东;巫翔;李想;刘云贵;钱呈 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石压腔技术领域，且公开了一种金刚石压腔实验机械手，包括底座，所述底座的顶部分别固定安装有金刚石压腔与固定柱，所述固定柱的内部分别安装有第一转动轴与第三转动轴，所述第一转动轴的外侧固定安装有第一斜齿轮，所述第二转动轴的外侧固定安装有第二斜齿轮，通过转动第一转动轴带动第一斜齿轮进行转动，第一斜齿轮转动时会带动第二斜齿轮进行转动，第二斜齿轮转动时会带动第二转动轴进行转动，第二转动轴转动时候会通过螺纹块带动伸缩柱上下移动，当伸缩柱上下移动时会通过调节块与移动块上下移动，即可通过第一转动杆带动挑样针上下移动，从而改变挑样针与金刚石压砧面之间的上下距离效果。
一种金刚石实验机械手

[发明专利]一种对显微操作生物样本吸持控制方法及系统-CN202110722970.2在审
发明人：于兴虎;钱呈 -专利权人：宁波智能装备研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种对显微操作生物样本吸持控制方法及系统。该方法包括获取吸持针针尖模板以及显微操作中的吸持针与生物样本的操作图像；利用所述吸持针针尖模板对所述操作图像进行模板匹配，定位吸持针针尖的位置；根据所述吸持针针尖的位置以及所述吸持针针尖模板提取感兴趣区域；所述感兴趣区域的范围大于所述吸持针针尖模板的范围；对所述感兴趣区域进行灰度以及二值化处理；根据二值化图像确定更新后的感兴趣区域；根据更新后的感兴趣区域确定生物样本的表皮位置；根据所述表皮位置与期望位置，利用PID控制器进行生物样本吸持控制。本发明能够实现显微操作生物样本吸持的动态调节。
一种显微操作生物样本控制方法系统

[发明专利]一种金刚石压腔实验机械手-CN202110105949.8在审
发明人：朱玉东;巫翔;李想;刘云贵;钱呈 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石压腔技术领域，且公开了一种金刚石压腔实验机械手，包括底座，所述底座的顶部分别固定安装有金刚石压腔与固定柱，所述固定柱的内部分别安装有第一转动轴与第三转动轴，所述第一转动轴的外侧固定安装有第一斜齿轮，所述第二转动轴的外侧固定安装有第二斜齿轮，通过转动第一转动轴带动第一斜齿轮进行转动，第一斜齿轮转动时会带动第二斜齿轮进行转动，第二斜齿轮转动时会带动第二转动轴进行转动，第二转动轴转动时候会通过螺纹块带动伸缩柱上下移动，当伸缩柱上下移动时会通过调节块与移动块上下移动，即可通过第一转动杆带动挑样针上下移动，从而改变挑样针与金刚石压砧面之间的上下距离效果。
一种金刚石实验机械手

[发明专利]一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法-CN201910823826.0有效
发明人：徐开凯;刘炜恒;施宝球;曾德贵;赵建明;曾尚文;钱呈;钱津超;李建全;廖楠;徐银森;刘继芝;李洪贞;陈勇;黄平;李健儿 -专利权人：电子科技大学;广安职业技术学院;四川晶辉半导体有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司;四川上特科技有限公司;重庆中科渝芯电子有限公司;四川芯合利诚科技有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
一种用于集成电路晶圆级封装方法

[实用新型]一种医用放疗定位标记装置-CN201721599966.7有效
发明人：胡忞仁;贺晓东;叶影;苏斌;杨文艳;张士举;魏环海;钱呈;郑子龙;陈童;周楠峰;蒋笑非;赵红光;伍然;赵瑞峰 -专利权人：上海市肺科医院
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种医用放疗定位标记装置，所述的放疗定位标记装置包括医用放疗定位标记贴、定位模，放疗定位辅助设备；医用放疗定位标记贴，固定贴于身体表面；定位模，有放疗的标记用于放疗的定位；放疗定位辅助装置，用于医用放疗定位标记贴的固定。医用放疗定位标记贴及辅助装置具有可重复使用性。本实用新型使用气体压强原理加固标记贴，确保标记贴能好更持久的附着与皮肤表面，不会在病人体表产生较大的标记印记，减少了不必要的标记面积，也使标记印记保存更长时间的。本实用新型具有特定方向性使医用放疗定位标记贴不会错误放置，易于操作人员更加方便、快捷、准确的使用，同时病人的生活不会受放疗的标记产生太大的影响。
放疗定位标记定位标记装置本实用新型标记印记标记贴定位模定位辅助装置标记产生病人体表定位辅助辅助装置皮肤表面气体压强身体表面固定贴可重复使用性附着保存

[发明专利]半导体集成电路螺旋电感-CN201610934537.4有效
发明人：谭开洲;崔伟;杨永晖;朱坤峰;张霞;黄东;钱呈;梁柳洪;汪璐;张静;陈俊;韩卫敏;吴雪;刘娇 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路螺旋电感，包括衬底、多层介质层和金属布线层，其中衬底上形成有多层介质层，且每层介质层上都形成有金属布线层，针对每层介质层，介质层上开设有螺旋状的通槽，在通槽内填充有钨金属，以在介质层中形成钨金属墙，且各个介质层中钨金属墙相互重叠，金属布线层用于连接各个介质层中的钨金属墙。本发明通过设计多层具有螺旋状钨金属墙的介质层，并使介质层之间的金属布线层将各个介质层中的钨金属墙互连，可以增大螺旋电感线圈的厚度，从而可以降低螺旋电感的线圈金属电阻损耗和趋肤效应引起的损耗，提高螺旋电感的品质因数。
半导体集成电路螺旋电感

[发明专利]硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法-CN201810477302.6在审
发明人：崔伟;杨永晖;李文;张霞;朱坤峰;黄东;钱呈;谭开洲;梁柳洪;汪璐 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法，包括：在衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；在衬底的表面上形成SiGe材料层；在衬底的表面上形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；在硅片表面上形成SiGe HBT晶体管多晶发射极；以及形成SiGe HBT晶体管。上述发明通过在第二多晶硅层上增加一层抗反射材料层，减小基区窗口底部和发射极周边台阶侧壁对多晶发射极光刻的反射，从而改善多晶发射极的形貌。同时该抗反射材料层还可以作为第三多晶硅层刻蚀时的停止层，可精确控制第二多晶硅层刻蚀，避免在后续刻蚀中损伤SiGe HBT的外基区材料层。
发射极多晶硅层晶体管多晶刻蚀硅锗异质结双极晶体管抗反射材料层衬底形貌晶体管基区衬底表面硅片表面基区窗口周边台阶材料层侧壁对发射区停止层外基区减小反射制作损伤发射

[发明专利]一种具有平衡装置的双倍行程倍增机构-CN201710147874.3在审
发明人：林伟阳;钱呈;李湛;于兴虎 -专利权人：浙江优迈德智能装备有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： F16H7/02 文献下载
摘要：一种具有平衡装置的双倍行程倍增机构，涉及一种传动机构装置，具体涉及一种行程倍增机构。本发明为了解决现有的单倍行程倍增机构的行程有限的问题和双倍行程倍增机构结构复杂的问题。本发明的上托板设置在支架的上端，下安装板设置在支架的下端；上托板上方设置有主动齿形带轮；下安装板下方设置有轴承座，从动齿形带轮设置在通过轴承座的轴上；同步齿形带包绕住主动齿形带轮和从动齿形带轮，两个张紧装置固定在同步齿形带上，能够沿着支架上下滑动；紧固滑块和运载滑台分别固定在两个张紧装置上，伸缩装置固定在工作台上；钢丝绳的一端固定在伸缩装置内部，钢丝绳的另一端固定在支架的底端或者下安装板上。本发明适用于传动装置的设计制造领域。
一种具有平衡装置双倍行程倍增机构

[发明专利]与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法-CN201610676009.3在审
发明人：崔伟;张霞;朱坤峰;黄东;钱呈;谭开洲;杨永晖;梁柳洪;汪璐 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明提供一种与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法，该方法首先制作双多晶电容的下极板和介质层，然后在制作MOS管的多晶硅栅的同时制作双多晶电容上极板，由此可以减少MOS管多晶硅栅的侧壁残留，另外，相比于在制作MOS管的多晶硅栅的同时制作双多晶电容下极板，可以提高多晶电容上极板厚度，这样可以避免接触孔过刻蚀时引起的双多晶电容短路，并可以减小接触电阻。
mos 集成多晶电容结构制造方法

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