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[发明专利]用于三维存储器件的贯穿阵列触点（TAC）-CN202210166774.6在审
发明人：陶谦;胡禺石;吕震宇;肖莉红;戴晓望;周玉婷;汤召辉;郭美澜;唐志武;魏勤香;徐前兵;刘沙沙;孙坚华;王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器件的互连结构和形成互连结构的方法的实施例。在示例中，3D NAND存储器件包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的交替堆叠层、以及在衬底的隔离区域上的垂直延伸通过交替堆叠层的电介质结构。此外，交替堆叠层邻接电介质结构的侧壁表面，并且电介质结构由电介质材料形成。3D存储器件额外包括垂直延伸通过电介质结构和隔离区域的一个或多个贯穿阵列触点，以及垂直延伸通过交替堆叠层的一个或多个沟道结构。
用于三维存储器件贯穿阵列触点 tac

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201910002763.2有效
发明人： 唐志武;孙坚华;夏季;邵明;王清清 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括存储区域，所述存储区域包括至少一个块存储区；所述块存储区包括：第一栅线隔槽，沿第一方向延伸，用于将所述块存储区划分为多个指存储区；第二栅线隔槽，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且与所述第一栅线隔槽连接，以平衡所述块存储区内部的应力分布。本发明解决了三维存储器内部应力分布不平衡的问题，改善了三维存储器的性能。
三维存储器及其制造方法

[外观设计]提锅-CN202030629755.4有效
发明人： 唐志武 -专利权人：佛山慕汐品牌策划有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： 07-10 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：提锅。2.本外观设计产品的用途：用于食物保温。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.右视图与左视图相同，省略右视图;后视图与主视图相同，省略后视图。
提锅

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN201810796712.7有效
发明人：孙坚华;陶谦;胡禺石;肖莉红;郭美澜;唐志武;邵明;夏季 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的叠层结构，所述叠层结构包括若干层间隔设置的栅极导体，所述栅极导体由栅线缝隙分割为多个栅线；贯穿所述叠层结构的多个沟道柱；以及位于所述栅线缝隙中的导电通道和绝缘层，所述导电通道采用所述绝缘层与所述多个栅线彼此隔开，其中，所述3D存储器件还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述栅线邻近所述导电通道的端部与绝缘层之间。该3D存储器件中的阻挡层可以避免残留的前驱气体形成缝隙导致栅极导体与导电通道短接，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。
存储器件及其制造方法

[发明专利]三维存储器的制备方法-CN201810645748.5有效
发明人：肖莉红;陶谦;周玉婷;汤召辉;唐志武;郭美澜;刘沙沙;黄海辉;黄竹青;闵源 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体结构，该半导体结构包括栅极堆叠层和贯穿该堆叠层的沟道孔，该沟道孔中填充有芯层和包围该芯层的存储器层，该芯层至少有外层为沟道层；去除该芯层的顶端以形成第一凹槽；在该第一凹槽的底部形成阻挡层；利用该阻挡层去除该存储器层突出于该阻挡层的部分以拓宽该第一凹槽，形成第二凹槽；在该第二凹槽中形成漏极。本发明提供的三维存储器的制备方法，由于使用由第一凹槽拓宽而成的第二凹槽制作漏极，所以能够使得漏极在水平方向的尺寸较大，所以能够降低在钨填充工艺中形成的钨电极不能与漏极连接的风险，提高三维存储器的生产良率。
三维存储器制备方法

[发明专利]三维存储器件及其制造方法-CN201810759498.8有效
发明人：孙坚华;陶谦;郭美澜;唐志武;邵明;夏季 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器件及其制造方法。该三维存储器件，包括核心区和阶梯区，所述阶梯区包括：与阶梯区的延伸面垂直的栅极隔离结构；以及与阶梯区的延伸面垂直并且与栅极隔离结构相邻的虚拟沟道结构；其中，以栅极隔离结构的上表面和虚拟沟道结构的上表面的其中一个作为参考平面，栅极隔离结构的上表面和虚拟沟道结构的上表面的另一个不低于参考平面，虚拟沟道结构的最大特征尺寸位于虚拟沟道结构的第一位置，栅极隔离结构的最大特征尺寸位于栅极隔离结构的第二位置，第一位置和/或第二位置位于参考平面的下方。本发明的三维存储器件及其制造方法降低了虚拟沟道结构和栅极隔离结构之间的短路风险。
栅极隔离沟道结构三维存储器件虚拟阶梯区上表面参考平面第二位置第一位置延伸面制造垂直的核心区短路垂直

[实用新型]三维存储器-CN201820962326.6有效
发明人：肖莉红;陶谦;汤召辉;唐志武;黄海辉;黄竹青;王家友;蒲浩;潘国卫;闵源 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向间隔排列的若干层栅极层；穿过所述堆叠层的沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层和漏极；所述漏极位于所述沟道层之上，所述漏极沿所述沟道孔的径向向外的方向突出于所述沟道层。本实用新型提供的三维存储器由于具有沿沟道孔的径向向外的方向突出于沟道层的漏极，所以其导电接触孔与漏极之间发生错位的概率较低，在生产过程中能够具有较好的良率。
漏极沟道层沟道三维存储器堆叠层衬底本实用新型径向向外导电接触孔方向间隔生产过程栅极层良率垂直错位穿过概率

[发明专利]用于三维存储器件的贯穿阵列触点(TAC)-CN201880000655.5在审
发明人：陶谦;胡禺石;吕震宇;肖莉红;戴晓望;周玉婷;汤召辉;郭美澜;唐志武;魏勤香;徐前兵;刘沙沙;孙坚华;王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器件的互连结构和形成互连结构的方法的实施例。在示例中，3D NAND存储器件包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的交替堆叠层、以及在衬底的隔离区域上的垂直延伸通过交替堆叠层的电介质结构。此外，交替堆叠层邻接电介质结构的侧壁表面，并且电介质结构由电介质材料形成。3D存储器件额外包括垂直延伸通过电介质结构和隔离区域的一个或多个贯穿阵列触点，以及垂直延伸通过交替堆叠层的一个或多个沟道结构。
电介质结构交替堆叠衬底存储器件隔离区域互连结构触点半导体三维存储器件电介质材料侧壁表面沟道结构邻接贯穿三维

[发明专利]三维存储器及其制备方法、在凹陷结构上制作漏极的方法-CN201810645841.6在审
发明人：肖莉红;陶谦;汤召辉;唐志武;黄海辉;黄竹青;王家友;蒲浩;潘国卫;闵源 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器及其制备方法、在凹陷结构上制作漏极的方法，其中三维存储器的制备方法包括以下步骤：提供半导体结构，该半导体结构包括衬底、和堆叠层，该堆叠层包括若干层栅极层；形成穿过该堆叠层的沟道孔；形成位于该沟道孔内的沟道层，该沟道层的顶表面低于该沟道孔的开口；形成位于该沟道孔内的漏极，该漏极位于该沟道层之上，并沿该沟道孔的径向向外的方向突出于该沟道层。本发明提供的三维存储器及其制备方法，由于能够使三维存储器的漏极沿沟道孔的径向向外的方向突出于沟道层，使得漏极在水平方向的尺寸较大，所以能够降低在钨填充工艺中形成的钨电极不能与漏极连接的风险，提高三维存储器的生产良率。
三维存储器漏极沟道沟道层制备堆叠层半导体结构凹陷结构径向向外顶表面钨电极钨填充栅极层衬底良率制作开口穿过生产

[发明专利]一种BeZnOS化合物半导体材料、其制备方法及应用-CN201610130050.0在审
发明人：何云斌;张武忠;黎明锴;程海玲;唐志武 -专利权人：湖北大学
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电材料技术领域，具体涉及一种BeZnOS化合物半导体材料、其制备方法及应用。本发明所提供的BeZnOS材料为BeO和Zn S以一定比例固溶得到的四元化合物半导体材料，通过Be和S复合取代的协同作用，不但能实现对ZnO带隙的更自由调控，还起到增加取代元素Be、S在ZnO中的溶解度和消除固溶体带隙与晶格常数调节相互牵制的效果。该BeZnOS四元化合物是带隙自由可调的宽禁带半导体，可用于紫外至日盲区发光器件或光探测器件。本发明所提供的BeZnOS化合物半导体材料可采用脉冲激光沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单。本发明所提供的BeZnOS单晶薄膜材料为世界上首次成功合成，对于开发波长可调的ZnO基光电器件具有非常重要的意义。
一种 beznos 化合物半导体材料制备方法应用

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