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[发明专利]碳化硅器件终端结构及其制作方法-CN201811408241.4有效
发明人：王永维;马杰;吕树海;王国清;张力江 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N‑型外延层、第二N‑型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层，通过将P型终端置于第一N‑型外延层内部远离表面的位置，使得碳化硅器件反向偏置时峰值电场位于SiC材料内部，从而能够解决现有碳化硅器件终端结构容易发生表面击穿的问题，同时还能够降低对SiC和钝化介质界面质量的要求，提高了器件的可靠性。
碳化硅器件终端结构及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅器件的离子注入方法-CN201811391500.7有效
发明人：秦龙;宋洁晶;胡泽先;高渊;高昶;孙虎;赵红刚;吕鑫;朱延超;高三磊;王强栋;吕树海;刘相伍 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。
一种碳化硅器件离子注入方法

[发明专利]半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片-CN201810166868.7有效
发明人：付兴中;王川宝;廖龙忠;吕树海;张力江;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片，该方法包括：在半导体芯片第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点的边缘区域；在所述第一SiN层的上表面形成有机聚合物层；在所述有机聚合物层的上表面和侧壁形成第二SiN层；其中，所述第一SiN层和所述第二SiN层完全包裹所述有机聚合物层。本发明能够显著提高半导体芯片的抗潮气性能。
半导体芯片保护层制备方法

[实用新型]微加速度与微角速率单片集成传感器-CN200920101941.9有效
发明人：杨拥军;吕树海;徐淑静;徐爱东;张旭辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G01P15/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微加速度与微角速率单片集成传感器，包括密封外壳和位于外壳内部的传感器感应芯，该感应芯为中间具有空腔的框形上下层结构，在空腔中设有与框架连接的加热器和温度传感器，加热器和下层温度传感器位于下层，构成微加速度传感器结构，上层温度传感器位于上层，构成微角速率传感器结构。本实用新型采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，不存在可动结构，大大提高了器件抗冲击能力，结构简单，易于加工；加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，不存在质心误差和安装误差；下层传感器对称布置在加热器两侧或四周，测量更加精确。
加速度速率单片集成传感器

[发明专利]微加速度与微角速率集成传感器制造方法-CN200910073948.9有效
发明人： 吕树海;杨拥军;徐淑静;徐爱东;张旭辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G01P15/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种微加速度与微角速率集成传感器制造方法，采用气体(如氩气、氮气、二氧化碳等气体)作为感知元件，在一个衬底上制备微加速度传感器需要的温度传感器和加热器，该温度传感器和加热器悬空在衬底腔体中，在另一个衬底上制备微角速率传感器需要的温度传感器，该温度传感器悬空在衬底腔体中；采用键合工艺(如金硅键合工艺)将两衬底键合成一体，再经划片、管芯分离、装架、键合引线、封装即可。本发明方法采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，将加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，加工工艺简单、成本低，测量精度高。
加速度速率集成传感器制造方法

[发明专利]微加速度与微角速率单片集成传感器-CN200910073949.3有效
发明人：杨拥军;吕树海;徐淑静;徐爱东;张旭辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G01P15/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种微加速度与微角速率单片集成传感器，包括密封外壳和位于外壳内部的传感器感应芯，该感应芯为中间具有空腔的框形上下层结构，在空腔中设有与框架连接的加热器和温度传感器，加热器和下层温度传感器位于下层，构成微加速度传感器结构，上层温度传感器位于上层，构成微角速率传感器结构。本发明采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，不存在可动结构，大大提高了器件抗冲击能力，结构简单，易于加工；加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，不存在质心误差和安装误差；下层传感器对称布置在加热器两侧或四周，测量更加精确。
加速度速率单片集成传感器

[发明专利]基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法-CN200810054697.5无效
发明人： 吕树海;杨拥军;徐永青;齐荣巧 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法，属于微机械传感器加工领域，用于制作微机械高深宽比结构。其基本过程为：选用符合硅硅键合要求的单晶硅片；对单晶硅片局部刻蚀，形成具有一定深度的硅腔体；将带有硅腔体单晶硅片与另一片单晶硅片进行硅硅键合，形成一个带硅腔体的材料；再进行微结构的高深宽比刻蚀。本发明在硅硅键合前增加一步在支撑层或者结构层上刻蚀硅腔体的步骤，利用硅腔体的深度控制微机械结构和衬底之间的纵向距离，以调整活动结构的阻尼。利用本方法加工时，刻蚀的区域内没有氧化层，可以避免刻蚀过程中产生footing效应，能够精确的实现高深宽比的结构。
基于硅硅键合高深微机加工方法

[发明专利]微机械热流式传感器的加工方法-CN200710139610.X有效
发明人： 吕树海;杨拥军;徐永青 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机械热流式传感器的加工方法，它属于微机械传感器加工领域。本发明包括加热器以及温度传感器的加工、悬梁的腐蚀、硅腔体的腐蚀，单层结构的微机械热流式传感器的加工技术的基本步骤为：(1)基体材料的选用，(2)薄膜的生长，(3)加热器和温度传感器同时制备，(4)悬梁的释放，(5)腔体的腐蚀。本发明的加热器和温度传感器同时制备在硅片上，悬梁的释放是采用牺牲层技术。制作多层结构的微机械热流式传感器时采用多层键合技术。本发明是一种通用的、适合各种微机械热流式传感器的加工技术，可以实现具有立体结构传感器的加工。采用本加工方法制造的热流式传感器具有体积小、质量小和抗高冲击的特点，可以节约制造成本。
微机热流传感器加工方法

[发明专利]一种硅MEMS压阻式加速度传感器-CN200710139407.2有效
发明人：杨拥军;徐淑静;吕树海 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅MEMS压阻式加速度传感器，它属于微机械传感器领域。本发明包括硅框架、质量块、扭转梁、敏感梁和压敏电阻，在质量块的左右两侧设置有互相对称的、和硅框架连接的敏感梁，敏感梁上表面的端部制作有压敏电阻；在质量块的前后两侧设置有一对对称的、和硅框架连接的扭转梁，其垂直方向的高度大于敏感梁的高度。本发明所提供的压阻式加速度传感器，是一种利用制作在结构的上表面的压敏电阻来测量横向加速度信号的微传感器，可以避免使用在结构侧面制作压敏电阻的复杂工艺，降低了加工难度，提高了电阻的加工精度、一致性和成品率，并易于实现三轴集成。该传感器还具有体积小、质量轻、交叉耦合小、可靠性高、成本低和易于集成的特点。
一种 mems 压阻式加速度传感器

[发明专利]三轴热对流加速度传感器-CN200710062556.3有效
发明人：杨拥军;徐淑静;吕树海 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种三轴热对流加速度传感器，它属于微机械传感器领域。它包括内部设置有敏感元件的封闭腔体、加热器、温度传感器，加热器和三个轴向的温度传感器都设置在封闭腔体内，敏感元件为限定在封闭腔体内的气体，加热器位于封闭腔体中心，在X、Y、Z三个轴向上分别设置有等距离对称布置的、特性值相同的温度传感器。它以单一气体作为敏感元件能够感知三个轴向的加速度。本发明的加速度传感器可以应用在许多场合，使用本发明进行加速度检测时，可以感知空间任意方向的加速度、简单方便、体积小、成本低、可靠性高。
三轴热对流加速度传感器

[实用新型]纳米尺度的微型温度传感器-CN200520023352.5无效
发明人：杨拥军;徐淑静;吕树海 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2005-01-13 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米尺度的微型温度传感器，涉及传感器领域中的一种测量温度的传感器器件。它由硅腔体、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件，周围环境温度的变化引起其阻值的变化，达到测量温度，作为传感器的目的。本实用新型还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。特别适用于微流体传感器等要求体积较小的场合作为精确温度测量及IC芯片、传感器芯片等嵌入式在片温度测量的传感器装置。
纳米尺度微型温度传感器

[发明专利]纳米尺度微型温度传感器的制作方法-CN200510012319.7无效
发明人：杨拥军;徐淑静;吕树海 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2005-01-13 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法，涉及传感器领域中的一种纳米尺度测量温度传感器器件的制作。本发明制作的器件由单晶硅片、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件，周围环境温度的变化引起其阻值的变化，达到测量温度，作为传感器的目的。本发明制作的器件还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。特别适用于微流体传感器等要求体积较小的场合作为精确温度测量及IC芯片、传感器芯片等嵌入式在片温度测量的传感器装置。
纳米尺度微型温度传感器制作方法

[实用新型]微型热流加速度计-CN03269899.2无效
发明人：杨拥军;徐爱东;徐永青;吕树海;吝海锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2003-09-10 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G01P15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型热流加速度计，涉及传感器领域中的一种加速度计。它由密闭的单晶硅片、加热丝、温度传感器、内外腔体、检测电路等部件构成。它以气体为敏感介质、利用气体自然对流在加速度作用下发生改变的原理，测量某一坐标轴或同时测量两个坐标轴方向加速度的一种微传感器。它的加热丝和温度传感器悬固在硅腔体上面。加热丝产生的热场在有加速度时发生改变，通过检测电路检测温度传感器的温度变化从而测量出加速度值。本实用新型无检验质量块、弹性梁或应变梁等活动部件，因此它具有性能可靠，工艺简单成熟，制造成本低廉，采用微机械加工技术便于批量生产等特点，特别适用于智能炮弹、汽车、玩具等场合作加速度传感器。
微型热流加速度计

[发明专利]微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片-CN03137632.0无效
发明人：李志信;罗蓉;王玮;吕树海 -专利权人：清华大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2003-06-09 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片。包括微槽，以及微槽背面由绝热槽隔开的恒温区，在微槽背面的电阻式微温度传感器，对称置于该温度传感器两侧的微加热器。在生物基因组研究、法医学、遗传分析、治疗效果评估和医疗诊断等领域中有广泛应用。样品与反应物以微液滴形式在具有三个恒温区的槽中振荡运动以实现聚合酶链式反应(PCR)的变性、退火和延伸过程，减小了生物芯片工作时所需要的驱动压力，避免了可能产生的气泡对芯片功能的影响；集成于芯片上的恒温区有利于PCR反应混合物实现快速的升降温过程，并便于改变工作区温度以优化PCR过程，或实现某些特殊要求；采用硅微加工技术制造，便于大批量生产，尺寸小，成本低。
微液滴振荡型硅槽式聚合链式反应生物芯片

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