“同和电子科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果294个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光半导体装置的制造方法以及光半导体装置-CN202080067471.8在审
发明人：丸山司;新木隆司;宫地岳广 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于：提供在高温工作下光半导体芯片长期维持高可靠性的光半导体装置及其制造方法。本发明是光半导体装置的制造方法，其具有：安装工序，在由陶瓷构成的封装基板上设置光半导体芯片；保管工序，在第1干燥气氛下保管所述安装工序后的封装基板；载置工序，将所述保管工序后的所述封装基板上的光半导体芯片的周围设为第2干燥气氛下，将透光性窗材借助接合材载置在所述封装基板的接合部；密封工序，在氧浓度1vol％以下的低氧浓度气氛中利用所述接合材将所述接合部和所述透光性窗材接合，从而将所述光半导体芯片封入到由所述封装基板和所述透光性窗材形成的封闭空间内，将所述密封工序后的所述封闭空间的水分浓度设为1000ppm以下、将氧浓度设为3vol％以下。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]硅氧化物被覆Fe系软磁性粉末及其制造方法-CN202080060280.9在审
发明人：西泽赖人;田上幸治 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01F1/24 文献下载
摘要：提供在成型为压坯时可得到具有高体积电阻率的压坯的硅氧化物被覆Fe系软磁性粉末及其制造方法。在包含5质量％以上且50质量％以下的水的、水与汉森溶解度参数值(SP值)为11.3以下的醇的混合溶剂中使Fe系软磁性粉末分散而得到浆料后，向该浆料中添加硅醇盐和该硅醇盐的水解催化剂，进行硅氧化物被覆，从而得到高绝缘性的硅氧化物被覆Fe系软磁性粉末。
氧化物被覆 fe 磁性粉末及其制造方法

[发明专利]溶液及其制造方法、以及二次电池用活性物质的制造方法-CN201780015165.8有效
发明人：相木良明;上山俊彦;田上幸治 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：提供一种溶液及其相关技术，其是含有锂、和铌络合物以及钛络合物中的至少任一者的溶液，该溶液的保存稳定性优异，同时适合用于形成能够改善活性物质的电池特性的被覆层。提供一种溶液及其相关技术，其是含有锂、和铌络合物以及钛络合物中的至少任一者的金属络合物、和氨的溶液，该溶液中的该氨的量为0.2质量％以下。
溶液及其制造方法以及二次电池活性物质

[发明专利]银粉及其制造方法-CN202080042385.1在审
发明人：藤井政德 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明提供在作为导电性糊料的材料使用并将该导电性糊料烧成而形成导电膜时，能够形成电阻值比以往低的导电膜的银粉及其制造方法。通过将第一银粉和第二银粉混合，制造在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为3个以上、且在通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个的银粉，所述第一银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个以上，所述第二银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为2个以上。
银粉及其制造方法

[发明专利]银粉及其制造方法-CN202080045793.2在审
发明人：藤井政德 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种银粉及其制造方法，在作为导电性糊料的材料来使用的情况下，即使导电性糊料的烧制时间变得比以往要短，也能形成电阻值较低的导电膜。将晶粒直径为50nm以下且累积50％粒径(D50)为1μm以上4μm以下的大直径的银粉、与晶粒直径为50nm以下且累积50％粒径(D50)为0.3μm以上1μm不到的小直径的银粉混合起来，由此来制造晶粒直径为50nm以下、且压缩密度为6.3g/cm3以上的银粉。
银粉及其制造方法

[发明专利]半导体光器件的制造方法和半导体光器件-CN202080039758.X在审
发明人：门胁嘉孝;田中治 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：提供一种半导体光器件的制造方法，其能够改善具备至少包含In、以及As和Sb的半导体层的半导体光器件的光器件特性。本发明的半导体光器件的制造方法具有如下工序：在InAs生长用基板上形成蚀刻阻挡层的第一工序；形成半导体层叠体的第二工序；形成配电部的第三工序；借助金属接合层而与支承基板接合的第四工序；以及，去除InAs生长用基板的第五工序。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201780078274.4有效
发明人：山本淳平;生田哲也 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：提供一种在包含InP包层的接合型半导体发光元件中能够缓和发射光谱中的多峰的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件在导电性支承基板上依次设置有第1导电型InP包层、半导体发光层和第2导电型InP包层，将所述第2导电型InP包层作为光提取侧，在所述导电性支承基板与所述第1导电型InP包层之间还具有金属反射层，所述金属反射层将从所述半导体发光层发射的光反射，在所述第2导电型InP包层的表面设置有多个凹部。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]溶液及其制造方法、以及二次电池用活性物质的制造方法-CN201780016056.8有效
发明人：相木良明;上山俊彦;田上幸治 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：提供一种溶液及其相关技术，其是含有锂、和铌络合物以及钛络合物中的至少任一者的溶液，溶液本身能够抑制腐蚀性，保存稳定性优异，同时适合用于形成能够改善活性物质的电池特性的涂覆层。提供一种溶液及其相关技术，其是含有锂、和铌络合物以及钛络合物中的至少任一者的金属络合物、和氨的溶液，该溶液中的该氨的量为1质量％以下。
溶液及其制造方法以及二次电池活性物质

[发明专利]置换型ε氧化铁磁性粒子粉、置换型ε氧化铁磁性粒子粉的制造方法、压粉体、压粉体的制造方法和电波吸收体-CN202080025358.3在审
发明人：堀达朗;儿玉大辅;小畑诗穗;后藤昌大 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：[课题]提供非磁性的α型铁系氧化物的含量减少了的、用其它金属元素置换了ε‑Fe2O3的一部分Fe位点的置换型ε氧化铁磁性粒子粉和置换型ε氧化铁磁性粒子粉的制造方法。[解决手段]将包含3价铁离子和待置换一部分Fe位点的金属的离子的酸性水溶液，中和至pH2.0以上且7.0以下后，向包含所生成的含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物的分散液添加具有水解基团的硅化合物，接着将分散液中和至pH8.0以上后进行保持和熟化，将硅化合物的化学反应生成物被覆于含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物并进行加热，由此得到α型铁系氧化物的含量减少了的置换型ε氧化铁磁性粒子粉。
置换氧化铁磁性粒子制造方法压粉体电波吸收体

[发明专利]银粒子分散液及其制造方法、以及使用该银粒子分散液的导电膜的制造方法-CN201780068249.8有效
发明人：冈野卓;野上德昭 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供能作为喷墨用浆料使用的低价的银粒子分散液及其制造方法，以及使用该银粒子分散液的导电膜的制造方法。在由银粉和溶剂构成的银粒子分散液中，作为银粉，使用平均一次粒径(DSEM)为0.15～0.5μm且体积基准的累积50％粒径(D50)与平均一次粒径(DSEM)的比(D50/DSEM)在1.7以上的表面附着有脂肪酸的银粉，作为溶剂，使用主成分是碳数6～12的高级一元醇、丁基卡必醇或丁基卡必醇乙酸酯的溶剂。
粒子分散及其制造方法以及使用导电

[发明专利]置换型ε氧化铁磁性粒子粉、置换型ε氧化铁磁性粒子粉的制造方法、压粉体、压粉体的制造方法和电波吸收体-CN202080018538.9在审
发明人：堀达朗;儿玉大辅;小畑诗穗;后藤昌大 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：[课题]提供非磁性的α型铁系氧化物的含量减少了的、用其它金属元素置换了ε‑Fe2O3的一部分Fe位点的置换型ε氧化铁磁性粒子粉和置换型ε氧化铁磁性粒子粉的制造方法。[解决手段]将包含3价铁离子和待置换一部分Fe位点的金属的离子的酸性水溶液中和至pH2.0以上且7.0以下后，向包含所生成的含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者包含羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物的分散液添加具有水解基团的硅化合物，接着将分散液中和至pH8.0以上后进行保持和熟化，将硅化合物的化学反应生成物被覆于含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物并进行加热，由此得到α型铁系氧化物的含量减少了的置换型ε氧化铁磁性粒子粉。
置换氧化铁磁性粒子制造方法压粉体电波吸收体

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201680043718.6有效
发明人：渡边康弘;藤田武彦 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有比以往优异的元件寿命的Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光元件(100)的特征在于，依次具有：n型Ⅲ族氮化物半导体层(30)；将势垒层(40a)及比势垒层(40a)带隙小的阱层(40b)依次交替层叠各N层(其中，N为整数)而成的Ⅲ族氮化物半导体层叠体(40)；AlN引导层(60)；和，p型Ⅲ族氮化物半导体层(70)，AlN引导层(60)的厚度为0.5nm以上且为2.0nm以下。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]铁粉及其制造方法和前体的制造方法和电感器用成型体及电感器-CN201780043515.1有效
发明人：山地秀宜;后藤昌大 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：【课题】提供复相对磁导率μ’大且具有充分小的tanδ的铁粉。【解决手段】将包含3价铁离子和含磷离子的酸性水溶液用碱水溶液中和，得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序、或将含磷离子添加至将包含3价铁离子的酸性水溶液用碱水溶液中和而得到的包含水合氧化物的沉淀物的浆料的工序之后，将硅烷化合物添加至得到的浆料，将硅烷化合物的水解产物被覆于水合氧化物的沉淀物，将该被覆后的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收，对回收的沉淀物进行加热，得到被覆有硅氧化物的铁粒子后，溶解除去硅氧化物被覆的一部分或全部。
铁粉及其制造方法电感器用成型电感器

[发明专利]半导体光器件和其制造方法-CN201780016697.3有效
发明人：田崎宽郎 -专利权人： 同和电子科技有限公司
申请日： 2017-01-30 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供具有比以往优异的光提取效率或光吸收效率且降低了布线电极部的剥离率的半导体光器件和其制造方法。在本发明的半导体光器件中，在半导体层(110)的成为发光面或受光面的表面设有布线电极部(120)，布线电极部(120)的线宽(W1)为2μm以上且为5μm以下，布线电极部(120)具有形成于半导体层(110)上的金属层(121)和形成于金属层(121)上的导电性硬质膜(122)，导电性硬质膜(122)的硬度高于金属层(121)的硬度。
半导体器件制造方法

[发明专利]铁系氧化物磁粉及其制造方法-CN202080011770.X在审
发明人：大越慎一;生井飞鸟;吉清麻里绘;儿玉大辅;小畑诗穗;后藤昌大 -专利权人：国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：提供热稳定性良好、在高温环境下矫顽力的变化也小的包含Fe位点的一部分被其他金属元素置换的ε氧化铁的粒子的铁系氧化物磁粉和铁系氧化物磁粉的制造方法。在将包含3价铁离子和将Fe位点的一部分置换的金属的离子的酸性的水溶液中和而生成的包含置换金属元素的铁氢氧化物的沉淀物中，使用硅烷化合物被覆硅氧化物时使含磷离子共存，从而得到热稳定性良好、在高温环境下矫顽力的变化也小的、包含Fe位点的一部分被其他金属元素置换的ε氧化铁的粒子的铁系氧化物磁粉。
氧化物及其制造方法