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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件的制造方法-CN202210728633.9在审
发明人：徐寜霜;廖哲贤 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法包含：沉积填充材料以填充基板的沟槽，其中沟槽具有深度以及宽度，深度与宽度的比值等于或大于8，并且其中填充材料包含氮化钛；以及将填充材料退火。本发明的半导体元件的制造方法解决了传统方法的字元线填充问题，使半导体元件具有更高质量的字元线，从而降低电阻率并提高其性能。
半导体元件制造方法

[发明专利]测试电路结构-CN202210833273.9在审
发明人：谢承宪 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测试电路结构包括第一焊盘、第二焊盘、多个被测试器件及多个开关。开关中的每一个在第一焊盘与第二焊盘之间串联耦接到被测试器件中的每一个。开关分别由多个控制信号触发而接通。
测试电路结构

[发明专利]存储器元件的制造方法-CN202310077389.9在审
发明人：蔡子敬 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件的制造方法，该制造方法包括：提供具有一第一表面的一半导体基板；设置位于该半导体基板的该第一表面上方的一第一介电层、位于该第一介电层上方的一导电层、及位于该导电层上方的一第二介电层；在该第二介电层上方设置一图案化遮罩；去除该第二介电层、该导电层及该第一介电层从该图案化遮罩露出的部分，以形成一第一沟槽；形成环绕该第一介电层、该导电层及该第二介电层的一间隙壁；在该第二介电层及该间隙壁上方设置一能量分解遮罩；用一电磁辐射照射该能量分解遮罩的一部分；去除该能量分解遮罩被该电磁辐射照射的该部分；以及去除该第二介电层从该能量分解遮罩露出的一部分。
存储器元件制造方法

[发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202211665084.1在审
发明人：杨圣辉 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法，该半导体元件结构包括设置于一第一半导体晶粒之上的一硅层，和设置于该硅层之上的一第一掩膜层。该半导体元件结构也包括设置于该第一掩膜层之上的一第二半导体晶粒，和穿过该硅层和该第一掩膜层的一硅穿孔。该硅穿孔的一底表面大于该硅穿孔的一顶表面，且该硅穿孔的该顶表面大于位于该硅穿孔的该顶表面和该底表面之间且平行于该顶表面和该底表面的一剖面。
半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]存储器元件-CN202211665404.3在审
发明人：蔡子敬 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件。该存储器元件包括：一半导体基板，包括一第一表面；以及一位元线，设置于该半导体基板的该第一表面上，其中该位元线包括一第一介电层、设置于该第一介电层上方的一导电层、设置于该导电层上方的一第二介电层、及环绕该第一介电层、该导电层及该第二介电层的一间隙壁，其中该第二介电层包括被该间隙壁环绕的一第一部分、及设置于该第一部分上方并从该间隙壁露出的一第二部分，且其中该第一部分的一第一宽度大致上大于该第二部分的一第二宽度。
存储器元件

[发明专利]半导体元件结构-CN202211254501.3在审
发明人：陈昱频;黄崇勋 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件结构，包括一基底、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一井区，以及一第一结构。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一栅极结构设置在该第一表面上。该第二栅极结构设置在该第一表面上。该第一井区位于该基底中，并在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间。该第一结构设置在该第一井区中。该第一结构的形状具有一锐角。
半导体元件结构

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210740426.5在审
发明人：林凯鸿;纪呈彦 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体元件的制造方法。该方法包含：沉积第一半导体层于基板的沟槽的内表面上；沉积第二半导体层于基板的沟槽的内表面的第一半导体层上，其中第一半导体层的掺杂物浓度小于第二半导体层的掺杂物浓度；以及沉积第三半导体层于第二半导体层上以填充基板的沟槽，其中第三半导体层的掺杂物浓度小于第二半导体层的掺杂物浓度。本揭露的半导体元件及其制造方法可以降低产生多晶孔洞的可能性并降低电阻率，从而提高其电性能。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]硬遮罩结构-CN202210592673.5在审
发明人：黄圣富;陈冠华 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种硬遮罩结构包含钨基导电层、碳基硬遮罩层以及氮化物层。碳基硬遮罩层设置在钨基导电层上。氮化物层设置在钨基导电层和碳基硬遮罩层之间，以增强它们之间的附着力。
硬遮罩结构

[发明专利]半导体结构-CN202210933727.X在审
发明人：李维中;丘世仰 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括半导体基板、主动区、晶体管栅极、熔丝栅极、第一介电图案、第二介电图案以及多条金属线。主动区设置于半导体基板中。晶体管栅极具有沿着第一方向延伸穿过主动区的第一线段和第二线段。位于第一线段与第二线段之间的熔丝栅极沿第一方向延伸穿过主动区。第一介电图案设置于主动区和晶体管栅极之间。第二介电图案设置于主动区和熔丝栅极之间。位于晶体管栅极相对两侧的多条金属线电性连接至主动区。
半导体结构

[发明专利]半导体元件-CN202211677154.5在审
发明人：林育廷;林惠如 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件。该半导体元件具有一基底，界定多个沟槽；以及多个位元线接触点，设置在该基底上，其中至少一个位元线接触点设置在由该基底所界定的其中一个沟槽内，其中该多个沟槽具有一第一列以及一第二列，而该第一列的一间距不同于该第二列的一间距。
半导体元件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210728561.8在审
发明人：黄士庭 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括以下步骤。提供基板，其中基板具有主动区、相邻主动区的隔离结构以及在主动区上的接触件。在基板上形成介电堆叠。在介电堆叠上形成多晶硅层。蚀刻多晶硅层与介电堆叠，以形成开口，使得基板的接触件被暴露。形成导电层在开口中。然后，沉积原子层沉积氧化层在开口的侧壁上，以提升产品质量。此外，一种半导体结构亦在此发明。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210544021.4在审
发明人：高庆良;吴文杰;柯立苓 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法包括：在绝缘层上形成介电层；蚀刻绝缘层及介电层，使绝缘层及介电层中具有开口，其中绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁从开口中裸露；注入复数个掺杂物于绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁上；以及在开口中及介电层上形成半导体层，其中半导体层形成在绝缘层上的第一生长速率不同于半导体层形成在介电层上的第二生长速率。当半导体层形成在开口中时，半导体层将不具有长条状的缝隙，可改善半导体层漏电及效能不佳等问题，因此提高了半导体结构的整体效能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制备方法-CN202310085525.9在审
发明人：林育廷;林惠如 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底，界定多个沟槽；以及多个位元线接触点，设置在该基底上，其中至少一个位元线接触点设置在由该基底所界定的其中一个沟槽内，其中该多个沟槽具有一第一列以及一第二列，而该第一列的一间距不同于该第二列的一间距。
半导体元件制备方法

[发明专利]半导体设备的操作方法-CN202210411086.1在审
发明人：林昱利;赖璿午 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种半导体设备的操作方法包括在半导体设备的腔室中以射频功率与压力沉积半导体层在加热器上的晶圆；减小腔室中的射频功率与压力以执行第一等离子体净化程序；沉积氧化物层在半导体层上；下降加热器的位置；以及对腔室抽除气体。减小射频功率与压力使腔室中的等离子体工作区域缩小，借此降低半导体层表面出现缺陷的机率。
半导体设备操作方法

[发明专利]反熔丝感测装置及其操作方法-CN202210955639.X在审
发明人：张志航 -专利权人： 南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝感测装置及其操作方法。反熔丝感测装置包括反熔丝感测电路、电压生成电路以及上电检测电路。在电压生成电路的上电瞬时期间，上电检测电路提供初始化电压给反熔丝感测电路的控制端，以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态。在上电瞬时期间结束后，电压生成电路提供控制电压给反熔丝感测电路的控制端。反熔丝感测电路基于控制电压感测反熔丝的阻态。在电压生成电路提供控制电压的期间，上电检测电路停止提供初始化电压至反熔丝感测电路的控制端。
反熔丝感测装置及其操作方法

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