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[发明专利]去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置-CN202310004462.X在审
发明人：王宇;王博;冯德伸;于鹏涛;林泉;李燕;雷同光 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置，其中去除锗单晶熔体浮渣的装置包括单晶炉、升降装置、坩埚、加热装置、调节装置以及石墨环；升降装置设于所述单晶炉内；坩埚与所述升降装置连接，所述升降装置用于调节所述坩埚的高度；加热装置环设于所述坩埚外；调节装置设于所述单晶炉内；石墨环与所述调节装置连接，所述调节装置控制所述石墨环在上下方向的位置。本发明提供的去除锗单晶熔体浮渣的装置，通过使坩埚内壁温度和熔体温度形成温度差，有效的收集浮渣，石墨环将浮渣与锗晶体完全隔离，浮渣无法进入石墨环的内环，提高了锗晶体的成晶率。
去除锗单晶熔体浮渣方法装置

[发明专利]一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺-CN202011151951.0有效
发明人：王宇;冯德伸;李燕;雷同光;王博 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达600℃以下的热场区域，然后再放肩到单晶所需的直径。本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。
一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺

[发明专利]一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺-CN202111680194.0有效
发明人：王宇;冯德伸;刘宁;王博;李燕;雷同光;林泉 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器，在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶，在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖，相邻的两层保温盖之间用石英块隔开；热屏悬挂在保温盖上，并从保温盖朝向靠近单晶的方向延伸到熔体液面上方的位置；热屏采用多层结构设计，热屏的主体结构为喇叭形，靠近单晶的内层热屏采用上薄下厚的楔形结构，两层热屏之间具有间隙。锗单晶的生长过程中，在籽晶前端浸入熔体前，需要分为四个烤晶悬停位置，使籽晶缓慢地从冷区浸入热区；调整热场的温度梯度，保证单晶生长环境的稳定性。
一种直拉法生长无位错锗单晶热场工艺

[发明专利]高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法-CN202310339974.1在审
发明人：王博;柴晨;曹琳;马远飞;冯德伸;林泉;刘晓华;莫杰;邢俊;郭伟才;张海涛;张海鹏;纪淼 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司;有研新材料股份有限公司;中国有研科技集团有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法，属于霍尔测试技术领域，其中一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，包括检测台和四个探针组件；检测台的上端面设有矩形的样片放置区；检测台内具有电路板，电路板与霍尔测试仪电连接；四个探针组件均匀分布在样片放置区的四周，探针组件包括固定片、限位杆和探针；固定片位于检测台的上端并与限位杆转动连接；探针连接在固定片的另一端，探针可纵向调节。本发明提供的高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，有效避免了引线焊接产生的虚焊、断焊等导致的欧姆接触失败，提高了连接的稳定性和霍尔测试的准确性，满足了探测器用高纯锗单晶净杂质浓度的测试需求。
高纯锗单晶霍尔测试微型探针方法

[实用新型]籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置-CN202022910260.6有效
发明人：王博;李燕;柴晨;雷同光;王宇;冯德伸;于洪国;林泉 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，该籽晶清洗用置放结构包括框架本体和多个限位凹槽，框架本体包括至少三个侧板，所述至少三个侧板均竖直设置，并且所述框架本体为采用所述至少三个侧板合围形成；所述多个限位凹槽均设置在所述侧板的顶部，用于盛放籽晶。该籽晶清洗用置放结构通过在侧板的顶部侧面上设置限位凹槽，能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中，清洗较为彻底；同时还起到限位作用，避免籽晶之间产生磕碰，使得籽晶清洗更加彻底、安全。
籽晶清洗置放结构应用于锗单晶生长装置

[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置-CN202022839236.8有效
发明人：刘志远;李燕;王博;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和阻挡结构，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述阻挡结构可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口处。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
应用于锗单晶生长掺杂装置

[实用新型]应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置-CN202022840437.X有效
发明人：李燕;王博;马会超;刘志远;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置，该装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和连接部，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述连接部设置在所述盖体顶部，用于连接籽晶连接杆。该杂质浮渣清除装置可以用于锗单晶生长过程中，能够快速、干净有效去除熔体表面杂质浮渣。
应用于锗单晶生长杂质浮渣清除装置

[发明专利]锗单晶及锗单晶的热处理工艺-CN202110202067.3在审
发明人：王博;冯德伸;易见伟;王宇;李燕;马远飞;于洪国;林泉;雷同光 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗单晶及锗单晶的热处理工艺，该热处理工艺包括以下步骤：在惰性气氛中，对锗单晶依次进行第一恒温阶段、第一降温阶段、第二恒温阶段、第二降温阶段的处理；其中，第一恒温阶段为：升温至750～850℃，然后恒温保持一定时间；第一降温阶段为：以一定的速度降温至450～550℃；第二恒温阶段为：在450～550℃的条件下恒温一定时间，并且所述第二恒温阶段的恒温时间大于所述第一恒温阶段的恒温时间；第二降温阶段为：以一定的速度降温至20～30℃。该热处理工艺能够有效消除250mm以上大直径锗单晶中的残余应力，提高锗单晶的光学均匀性，对红外锗单晶加工和制造环节有重要作用。
锗单晶热处理工艺

[实用新型]一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉-CN201922387139.7有效
发明人：王宇;冯德伸;于洪国;雷同光;李燕;马英俊;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺。
一种直拉单晶炉底部保温装置

[实用新型]配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备-CN201920901916.2有效
发明人：朱显超;李万朋;许所成;张嘉亮;雷同光;冯德伸;霍承松 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B13/14 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备，涉及锗单晶制备技术领域，包括：上舟体和下舟体，所述上舟体设置在所述下舟体的顶端，上舟体和下舟体在自下至上的方向上横截面面积逐渐增大；间隔支撑件，间隔支撑件支撑在上舟体和下舟体之间。在上述技术方案中，区熔舟便通过上舟体和下舟体构成，当下舟体置于区熔管的内腔以后，内腔中空置的空间可以继续容纳上舟体，使区熔管的内腔空间得到充分的利用，利用上舟体和下舟体共同盛装更多量的锗锭原料，并利用等量电能同时加热更多量的锗锭原料。由于区熔效率的提升和能耗的降低，从而便可以大大的降低区熔操作的成本。
配合区熔管使用区熔舟以及设备

[实用新型]用于悬浮坩埚的调节支架以及坩埚套装-CN201920877424.4有效
发明人：王宇;冯德伸;张嘉亮;雷同光;张路;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种用于悬浮坩埚的调节支架以及坩埚套装，涉及锗单晶生长技术领域，包括：坩埚套；至少两个支撑杆；支撑杆的一端通过伸缩结构安装在坩埚套的外部，以能够沿着支撑杆的长度方向相对于坩埚套伸缩。基于上述技术方案，随着锗单晶的生长悬浮坩埚内腔的熔体会减少，由于支撑架与外坩埚的内侧壁相抵接但不连接，所以悬浮坩埚能够继续通过浮力作用而悬浮在熔体中，并随着熔体的减少悬浮坩埚也会随之下降，从而使外坩埚内的熔体通过悬浮坩埚上的通孔补入至悬浮坩埚的内腔中，保证悬浮坩埚内的熔体深度稳定，使悬浮坩埚内部热场不发生变化，保证锗单晶的生长环境稳定，能够良好的生长。
用于悬浮坩埚调节支架以及套装

[实用新型]一种步进式移动平台及锗单晶位错密度测试装置-CN201822048631.7有效
发明人：张路;马会超;冯德伸 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种步进式移动平台及锗单晶位错密度测试装置。该步进式移动平台包括底部支撑板、中部滑板和上部支撑台面，所述支撑台面上设有支撑圆环，所述中部滑板分别与所述底部支撑板和所述上部支撑台面滑动步进连接，并且所述底部支撑板相对于中部滑板的滑动方向与所述上部支撑台面相对于中部滑板的滑动方向互为垂直，所述支撑圆环与所述支撑台面转动步进连接。该装置包括上述的步进式移动平台。采用该装置测试锗单晶的位错密度，操作简单，方便实用，定位准确，读数精准的优势，提高工作效率，解决了现有技术中测试位错密度时存在的操作繁琐、读数有偏差、工作效率较低等技术问题。
支撑台面滑板步进式移动平台底部支撑板工作效率滑动方向支撑圆环锗单晶步进位错密度测试装置本实用新型定位准确装置测试滑动测试位支撑台转动垂直

[发明专利]球形锗颗粒的制备装置及制备方法-CN201910562663.5在审
发明人：朱显超;雷同光;张路;冯德伸;王宇;李燕;林泉 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种球形锗颗粒的制备装置及制备方法，包括支撑架、两端开口的隔离管、设有底部尖端且在底部尖端开有通孔的石墨舟、带有第一进气管和第二进气管的塞体、流量控制器、用于加热的中频感应加热电源、用于监测温度的温度传感器、盛有冷却液的容器和搅拌器，隔离管通过支撑架悬于容器的上方，制备方法包括向石墨舟和隔离管通入惰性气体、开启中频感应加热电源加热使锗熔化、通过温度传感器控制升温速率、开启搅拌器使落入冷却液的熔融锗液滴分散和冷却的步骤。本发明具有制备装置结构简单，制备的锗颗粒具有连续稳定、清洁无污染且表面光滑、粒径均一的特点。
制备制备装置隔离管锗颗粒中频感应加热电源温度传感器搅拌器进气管冷却液石墨舟支撑架加热熔化流量控制器惰性气体粒径均一两端开口熔融塞体通孔锗液冷却清洁监测

[实用新型]一种球面铣磨工件的定位装夹转接工装-CN201721773114.5有效
发明人：刘胜利;董霞;闵振东;冯德伸 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： B23Q3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种球面铣磨工件的定位装夹转接工装，包括工装基座、多个限位阀、多个定位块、多个限位块和铣磨工件夹具，工装基座包括中间位置设有通孔的垫块和围绕垫块设置的环壁，铣磨工件夹具与垫块的一侧面贴合设置，铣磨工件夹具的中心设有夹具通孔，多个限位阀等间距地穿过环壁，多个定位块与多个限位阀一一对应，并被限位阀固定在环壁的外壁，多个限位块一一对应地固定在多个限位阀的位于环壁内的末端，多个限位阀通过对应的限位块对铣磨工件夹具进行夹持固定，使得夹具通孔与工装基座的通孔同轴心。本实用新型的定位装夹转接工装，并能够满足客户小批量、多品种的需求方式。
限位阀夹具环壁定位装夹工装基座转接限位块工装垫块球面本实用新型夹具通孔定位块通孔夹持固定贴合设置需求方式多品种同轴心小批量外壁穿过侧面客户

[实用新型]一种用于单晶炉石墨加热器安装的吊装装置-CN201721741419.8有效
发明人：刘书跃;冯德伸;王霈文 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： B66C1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单晶炉石墨加热器安装的吊装装置，所述吊装装置包括支撑件和吊装件，所述支撑件包括吊板、上保护盖、吊环和连接螺栓，所述吊装件包括吊索和锁扣，其中，所述吊板上周边设有供连接螺栓穿过的固定孔，所述吊板上中部设有安装吊环的吊环安装孔，所述上保护盖周边设有容置所述加热器上部边缘的凹槽，所述上保护盖中部设有供吊索穿过的通孔；所述吊索穿过相应吊环后采用锁扣锁合，所述吊索上部穿过所述上保护盖中部的通孔后束集一起并通过锁扣锁合后形成环装挂钩。采用该吊装装置更换加热器时，可以从上部将加热器吊装进入炉室，节约了安装时间，减小了加热器受损风险。
吊索加热器吊装装置保护盖吊板锁扣穿过石墨加热器连接螺栓单晶炉吊装件支撑件锁合通孔吊环本实用新型吊环安装孔安装吊环上部边缘固定孔减小炉室容置吊装受损挂钩节约

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